XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemjunctions
NNNPS 一致性表格模板
A12 切姆斯福德至 A120 拓宽计划（拟议计划）包括对 A12 19 号交叉口（Boreham 立交桥）和 25 号交叉口（Marks Tey 立交桥）之间的路段进行改进，距离约为 24 公里，即 15 英里，如位置图 [APP-005] 所示。拟议计划涉及将 A12 拓宽至三车道（如果尚未是三车道），并在 22 号和 23 号交叉口之间修建一条旁路，并在 24 号和 25 号交叉口之间修建第二条旁路。该计划还包括安全改进，包括关闭现有的私人和当地直接通往主车道的通道，并为行人、骑自行车者和骑马者 (WCH) 提供替代设施，以替代将被拆除的 A12 沿线现有路线。拟议计划被列为国家重大基础设施项目 (NSIP)，并已提交环境影响评估 (EIA) 以支持 DCO 申请。
下一代约瑟夫森电压标准的纳米技术 - 仪器和测量，IEEE 交易
2cm 10 V 约瑟夫森电压标准芯片。光刻技术和材料的持续改进提高了这些具有大量结点的电路的产量 [11]。例如，IBM 的约瑟夫森计算机项目导致了结氧化物屏障和 PbInAu 超导电极的改进 [12]。由于 Pb 合金结会随着热循环而发生变化，因此人们开始努力开发一种全耐火结工艺，使用铌作为结电极和布线。然而，事实证明氧化铌是一种较差的结屏障，只能产生中等质量的结。下一个重大改进发生在贝尔实验室的 Gurvitch 等人 [13] 发现热生长的氧化铝屏障非常稳定时，从而产生了第一个具有出色均匀性的高质量约瑟夫森结。多年来，这种全耐火
电压偏置的约瑟夫森二极管中的非肾脏电荷运输和亚谐波结构
我们研究电压偏置的单渠道连接处的电荷传输，涉及有限的库珀对动量的螺旋超导体。对于约瑟夫森结，平衡电流相关的关系显示出超级传导二极管效应：临界电流取决于传播方向。我们为电压偏置的约瑟夫森二极管制定了一种散射理论，并表明多个安德烈的反射过程在DC电流 - 电压曲线中导致在低温和小电压下，由于光谱间隙的多普勒移位而导致的小电压。在当前偏向的情况下，二极管效率具有最大的矩效率η0≈0。4对于此模型。在电压偏置的情况下，拟合效率可以达到理想值η=1。我们还讨论了正常金属和螺旋超导体之间正常驾驶连接的电荷传输，并对具有自旋轨道相互作用和磁性Zeeman Fileds的相关模型发表评论。
acsami.2c04043.pdf - DR-NTU
摘要：共晶镓-铟 (EGaIn) 因其在室温下可塑性强、导电性和机械稳定性，越来越多地被用作分子电子学和可穿戴医疗设备中的界面导体材料。尽管这种用途日益广泛，但控制 EGaIn 与周围物体相互作用的机械和物理机制（主要受表面张力和界面粘附力调节）仍不太清楚。在这里，我们在原始 EGaIn/GaO x 表面上使用深度感应纳米压痕 (DSN)，揭示了 EGaIn/基底界面能的变化如何调节粘附和接触机械行为，特别是具有不同毛细管几何形状和压力的 EGaIn 毛细管桥的演变。通过使 EGaIn 处于不同的化学环境中，并用化学性质不同的自组装单层 (SAM) 对尖端进行功能化，可以改变界面能，我们发现 EGaIn 和固体基底之间的粘附力可以提高多达 2 个数量级，从而使毛细管桥的伸长率增加约 60 倍。我们的数据表明，通过部署具有不同端基的 SAM 的分子结，电荷传输速率趋势、单层的电阻以及 EGaIn 和单层之间的接触相互作用（从电气特性来看）也受界面能控制。这项研究为了解界面能对 EGaIn 毛细管桥几何特性的作用提供了关键的理解，为以受控方式制造 EGaIn 结提供了见解。关键词：EGaIn、毛细管桥、深度感应纳米压痕、分子结、自组装单分子膜■ 简介
乳酸杆菌M247：抵消CST IV
图1-乳酸乳杆菌菌株M247释放过氧化氢，该氢诱导肠上皮细胞中PPAR-γ的升高。作为直接结果，TLR-2增加，TLR-4降低，紧密连接变得更加结构化。这些事件共同产生抗炎反应
基于锗的超导体/半导体混合纳米结构用于量子信息
基于超导电路的超导量子比特由超导电容器和具有 transmon 几何的约瑟夫森结组成，广泛应用于高级量子处理器，追求可扩展的量子计算。transmon 的量子比特频率的调整依赖于超导环路中两个超导体-绝缘体-超导体 (S-I-S) 约瑟夫森结的超电流之间的磁通量相关干扰。基于超导体-半导体-超导体 (S-Sm-S) 材料的约瑟夫森结为门可调 transmon 提供了一种可能性，称为“gate-mon”，其中量子比特频率可以通过静电平均值进行调整。在 III-V 材料平台上实现的 gatemon 显示出 transmon 替代品的令人瞩目的发展，但在可扩展性方面仍然存在一个大问题。硅锗 (SiGe) 异质结构由于其高空穴迁移率和 Ge-金属界面的低肖特基势垒而成为承载混合器件的潜在平台之一。此外，与硅基半导体行业的兼容性是扩大量子比特平台的一个有力优势。在本论文中，我们基于 SiGe 异质结构中的 Al-Ge-Al 约瑟夫森结开发了门控。首先，建立了自上而下方法中约瑟夫森场效应晶体管 (JoFET) 的稳健制造配方。我们对 JoFET 进行了详尽的测量，以研究它们随栅极电压、温度和磁场变化的特性。这些器件显示了临界电流 (I C ) 和正常态电阻 (R N ) 的栅极可调性。估计这些器件具有高透明度的超导体-半导体界面，SiGe异质结构上的高 I C R N 乘积证明了这一点。在有限电压范围内，观察到对应于多个安德烈夫反射 (MAR) 的特征。然后，我们在 SiGe 异质结构上制造和表征氮化铌 (NbN) 超导谐振器。我们在传输模式下测量谐振器，并从传输系数 (S 21) 中提取谐振频率 (f r)、内部品质因数 (Q i) 和耦合品质因数 (Q c)。随后，我们开发了制造工艺，将与电容器分流的 Al-Ge-Al 结（换句话说，gatemon）集成到谐振器方案中，并根据设计进行制造。我们在其中一个制造的 gatemon 中演示了反交叉特性。使用双音光谱技术映射门控器的谐振频率，发现它是门可调的。量子位具有较大的光谱线宽，这意味着相干时间较低。此外，我们对超导量子干涉装置 (SQUID) 几何中的结进行了电流相位关系 (CPR) 测量。我们可以证明结构成非正弦 CPR。此外，在辐照结的电流-电压特性曲线中观察到整数和半整数 Shapiro 阶跃。这表明我们的结具有 cos 2 φ 元素，这可以为受保护的量子位开辟另一种可能性。
外部磁场对 STT-MRAM 的影响
根据常见的外部磁场强度，我们在下面显示，一旦芯片安装在印刷电路板 (PCB) 上或插入其工作环境中，STT-MRAM 的磁抗扰度足以满足大多数用途。这一说法得到了 60 年使用磁性硬盘驱动器 (HDD) 的经验支持，其中包括 20 年使用包含磁隧道结的读取器的 HDD、20 多年在汽车行业中用作位置编码器的磁场传感器以及 15 多年使用 MRAM。主要是在处理芯片期间需要小心谨慎，以避免将芯片暴露在过高的磁场中。MRAM 将数据位存储在磁隧道结 (MTJ) 中。它们由两个由氧化物隧道屏障隔开的磁性层组成。其中一个磁性层称为自由层（或存储层），具有可切换的磁化，
![arxiv：2302.13185v2 [cond-mat.supr-con] 29年2月29日，2024年2月](/simg/g:\will\search\icon\source\c\ca11df5a1e69845c8fe5fceb9b2f5c4bbb0e4eef.webp)
arxiv：2302.13185v2 [cond-mat.supr-con] 29年2月29日，2024年2月
有限摩托车配对是一种非常规的超导性形式，被普遍认为需要有限的磁化。altermagnetism是一种新兴的磁相，具有高度各向异性的特定对称性旋转旋转，但净磁力为零。在这里，我们研究了与常规S波超导体相关的金属altermagnets中的库珀配对。值得注意的是，尽管系统中的净磁化为零，但在Altermagnets中引起的库珀对获得了有限的质量势。这种异常的库珀对动量在很大程度上取决于传播方向，并表现出异常的对称模式。此外，它产生了几个独特的特征：（i）高度取决于顺序参数中的振荡，（ii）在约瑟夫森超流量中可控的0-π跃迁，（iii）大型cooper-angle-angle cooper-pair-pair-pair-pair pair toptories在连接中的旋转范围与串联的串联（vanist and）的旋转（ii iv）的旋转相似的方向相平行（iv）方向。最后，我们讨论了我们在候选材料（例如RUO 2和KRU 4 O 8）中的预测实施。
eurolight®用户手册
2-阶段|一条车道，有2个行人横梁2-相|一条车道，有一个连接点和3个行人横梁2-相|十字路口（平行），有4个行人横梁3-相|连接（旋转）与3个行人横梁3-相|一个带2个连接的车道，带4个行人横梁4-相|十字路口（旋转），有4个行人横梁