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支持 Moss Landing – Las Aguilas 230 kV 升级 (...
5 加州议会第 398 号法案，https://leginfo.legislature.ca.gov/faces/billTextClient.xhtml?bill_id=201720180AB398。
320 KVA和380什么柴油发电机
主要功率等级：主要功率评级适用于实用程序不可用或不可靠的装置。在不同的负载下，发电机集的操作小时数是无限的。十二个小时可用10％的过载能力。评分符合ISO-8528/1，根据ISO-3046/1和BS 5514。对于有限的运行时间和基本负载等级，请咨询工厂。在完整评级定义的评级指南中获取技术信息公告（TIB-101）。
600 kVa和650 kVa柴油发电机
主要功率等级：主要功率评级适用于实用程序不可用或不可靠的装置。在不同的负载下，发电机集的操作小时数是无限的。十二个小时可用10％的过载能力。评分符合ISO-8528/1，根据ISO-3046/1和BS 5514。对于有限的运行时间和基本负载等级，请咨询工厂。在完整评级定义的评级指南中获取技术信息公告（TIB-101）。
3.3 kV 4H-SiC JBS 二极管的优化 - WRAP：Warwick
摘要—本文报告了一项综合研究，该研究优化了使用镍、钛和钼接触金属制成的 3.3 kV 结势垒肖特基 (JBS) 二极管的 OFF 和 ON 状态特性。在此设计中，使用与优化终端区域相同的植入物来形成 JBS 有源区域中的 P 区。P 区的宽度和间距各不相同，以优化器件的 ON 和 OFF 状态。所有测试的二极管均显示出高阻断电压和理想的开启特性，最高额定电流为 2 A。然而，发现漏电流和肖特基势垒高度 (SBH) 与肖特基与 p + 区域的比例成比例。没有 p + 区域的全肖特基和具有非常宽肖特基区域的肖特基具有最低的 SBH（Ni 为 1.61 eV、Mo 为 1.11 eV、Ti 为 0.87 eV）和最高的漏电流。肖特基开口最小（2μm）的二极管具有最低的关断状态漏电，但它们受到周围 p + 区域的严重挤压，从而增加了 SBH。性能最佳的 JBS 二极管是间距最窄的 Ni 和 Mo 器件，p + 植入物/肖特基区域均为 2μm 宽。这些器件提供了最佳的平衡器件设计，具有出色的关断状态性能，而肖特基比保证了相对较低的正向压降。
- TLE系列UPS 40–150KVA/kW 480VAC高度...
功能和优势•无变形设计在277/480VAC上，可降低足迹和重量，但可提高可靠性。•高输入功率因数和IGBT整流器的使用消除了超大输入馈线的使用，并最大程度地提高了待机生成器的兼容性。•高开关频率IGBT逆变器提供一流的瞬态响应和低输出电压失真。一个非常类似于实用程序功率的输出电压波形！•紧凑的足迹和低听觉设计，可用于大多数商业和工业建筑。•通过ABB的RPA设计对UPS模块的可靠并行，这消除了所有和所有常见的模式故障点。•可接受的交流输入电压和频率宽带，可以消除滋扰向电池厂的转移，从而最大化电池罐的寿命。
DTC 230 KV线路和DTC变电站
（i）在新的100英尺宽的1右通行右上方的230 kV双电路传输线环上构建一个新的新型，通过切割230 kV beaumeade-beco线＃2143位于位于结构＃2143/12-13之间的交界处的2143号线＃2143，毗邻该公司现有的beco beco beco beco beco beco dendatine（II）230 kveaumeadekv beaumeadedccv beaumeadedc（i）230 kv beaumeade（i）＃（i）230 kv beaumeade（i）＃ Beco-DTC线＃2249（“ DTC循环”）。从交界处，DTC环将沿建议的路线延伸约1.30英里，通常向东北向拟议的DTC变电站延伸。虽然提出的交界处位于现有的通行权中，但提议的DTC循环将在新的通行权上构建，并由15个双电路，单轴单轴镀锌钢杆和两个双电路镀锌钢2杆结构，利用三相双键双捆扎的768.2 ACS/TW类型的夏季转换能力，1,1,1,5157.1574，和
COVID-19 疫苗接种：PakVac 疫苗指南
14. 当针头仍在药瓶中时，去除气泡（如果有），以免疫苗丢失。 15. 确保最终剂量为 0.5 毫升疫苗。1 16. 以 90⁰ 角（直角）在注射部位进行肌肉注射 17. 将注射器丢弃在安全箱中 18. 完成 NIMS 的输入 19. 将客户送到观察区 30 分钟 20. 30 分钟后，如果客户没有出现急性不良事件，则将客户送回家。
Vertiv™Liebert®APS指南指南5至20KVA（200-240V; 200/100-240/120V）单相 - 不间断的电源系统
Vertiv™Liebert®APSUPS系统应包括适当数量的容量和/或冗余模块。所有模块应同时运行并共享负载。在非冗余系统中，构成UPS的所有模块都应提供全部额定负载。如果模块应发生故障，则应将负载自动传输到旁路线。如果电池模块应发生故障，则应将其与系统隔离，从而减少备份时间。对于冗余操作，UPS的模块应超过提供全额额定负载所需的模块。其中一个模块的故障应导致该模块与系统隔离，其余模块应继续承载负载。可以更换模块，而不会干扰连接的负载。
450 kVA SecoMT 三相 25 级 AI-AI AT23000 BT480-277.cdr
这些设备用于地下配电系统，由于人员的不断流动，电气装置的安全至关重要，通常连接在中低压紧凑型变电站中，主要用于大型工业和商业，如酒店、购物中心、医院等。
商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 栅极漏电流行为调查
摘要 — 过去十年，碳化硅 (SiC) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的商业化不断扩大。栅极氧化物可靠性是 SiC 功率 MOSFET 的主要问题，因为它决定了器件的使用寿命。在这项工作中，我们研究了商用 1.2 kV SiC 功率 MOSFET 在不同栅极电压下的栅极漏电流。高氧化物电场引发的碰撞电离和/或阳极空穴注入 (AHI) 导致空穴捕获，从而增强了栅极漏电流并降低了器件的阈值电压。由于 Fowler-Nordheim (FN) 隧穿而产生的电子注入和捕获往往会降低栅极漏电流并增加阈值电压。还对商用 MOSFET 进行了恒压时间相关电介质击穿 (TDDB) 测量。栅极漏电流的结果表明，场加速因子的变化是由于高栅极氧化物场下栅极电流/空穴捕获增强所致。因此，建议在低栅极电压下进行 TDDB 测量，以避免在正常工作栅极电压下高估寿命。