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Leoch电池连接Victron逆变器指令
在GX设备中选择CAN-BUS BMS（500 kbits/s）CAN-PROFILE。菜单路径：设置→服务→CAN-PROFILE。请注意，这会改变VE.CAN端口的功能：不可能将VE.CAN产品和Leoch电池连接到颜色控制GX上。在金星GX上有可能。正确接线和设置后，Leoch将在设备列表中可见为电池：
IGLOO® 和 ProASIC®3 FPGA - Microchip 技术
与同等的 ProASIC3 器件相比，ProASIC3L 系列 Microchip Flash FPGA 可大幅降低动态功耗 40%，静态功耗 50%。这些节能效果与性能、密度、真正的单芯片、低至 1.2V 的 I/O 操作、可重新编程性和高级功能相结合。使用 Flash*Freeze 技术，用户可以即时关闭动态电源并将器件切换到静态模式，而无需关闭时钟或电源，同时保留器件的内部状态。• 逻辑密度从 7K LE 到 35K LE • 1 Kbit 片上可编程非易失性 FlashROM 存储器 • 1.2V–1.5V 操作 • 基于最多 6 个集成 PLL 的时钟调节电路 • 最多 504 Kbit 的真正双端口 SRAM • 最多 620 个用户 I/O • 最佳设计安全性
IGLOO® 和 ProASIC®3 FPGA - Microsemi
与同等的 ProASIC3 器件相比，ProASIC3L 系列 Microchip Flash FPGA 可大幅降低动态功耗 40%，静态功耗 50%。这些节能效果与性能、密度、真正的单芯片、低至 1.2V 的 I/O 操作、可重新编程性和高级功能相结合。使用 Flash*Freeze 技术，用户可以即时关闭动态电源并将器件切换到静态模式，而无需关闭时钟或电源，同时保留器件的内部状态。• 逻辑密度从 7K LE 到 35K LE • 1 Kbit 片上可编程非易失性 FlashROM 存储器 • 1.2V–1.5V 操作 • 基于最多 6 个集成 PLL 的时钟调节电路 • 最多 504 Kbit 的真正双端口 SRAM • 最多 620 个用户 I/O • 最佳设计安全性
采用 Flash*Freeze 技术的耐辐射 ProASIC3 低功耗航天闪存 FPGA
特性和优点 符合 MIL-STD-883 B 类标准 封装 • 带有六西格玛铜包裹铅锡柱的陶瓷柱栅阵列 • 平面栅阵列 • 陶瓷四方扁平封装 低功耗 • 大幅降低动态和静态功耗 • 1.2 V 至 1.5 V 内核和 I/O 电压支持低功耗 • Flash*Freeze 模式下的低功耗 辐射性能 • 25 Krad 至 30 Krad，传播延迟增加 10%（TM 1019 条件 A，剂量率 5 Krad/min） • 晶圆批次特定的 TID 报告 高容量 • 600 k 至 3 M 个系统门 • 高达 504 kbits 的真双端口 SRAM • 高达 620 个用户 I/O 可重编程闪存技术 • 130 纳米、7 层金属（6 铜）、基于闪存的 CMOS • 上电实时(LAPU) 0 级支持 • 单芯片解决方案 • 断电时保留已编程的设计 高性能 • 350 MHz (1.5 V) 和 250 MHz (1.2 V) 系统性能 • 3.3 V、66 MHz、66 位 PCI (1.5 V)；66 MHz、32 位 PCI (1.2 V) 在系统编程 (ISP) 和安全性 • ISP 使用片上 128 位高级加密标准 (AES) 通过 JTAG 解密（符合 IEEE 1532 标准） • FlashLock ® 设计用于保护 FPGA 内容 高性能布线层次结构 • 分段、分层布线和时钟结构
实现 PROMISE，可编程混合信号 ASIC 电子框架
B. 非易失性存储器 IP 非易失性存储器 (NVM) 宏广泛用于数字电路中，用于存储指令、用户数据或任何配置数据。在 PROMISE 中，NVM 宏保存用户定义的 FPGA 配置数据。FPGA 由多个 LUT 实例组成。一般来说，每个 LUT 都有配置信号，这些信号定义 LUT 执行的逻辑功能。同时，这些配置信号的集合定义了 FPGA 的特定用户功能。在 PROMISE FPGA 中，配置数据在通电时从 NVM 上传到 LUT 寄存器。显然，NVM 的数据容量等于 FPGA 配置信号的数量加上辐射加固技术所需的冗余位。在 PROMISE 中设计的 NVM 宏基于 180 nm HV CMOS 工艺中提供的 E2PROM 类型的 SONOS 单元。该单元有望提供令人满意的抗 TID 效应鲁棒性。E2PROM 类型的写入/擦除操作提供可靠的数据保留参数。单元耐久性（擦除/写入周期数）比 FLASH 单元类型差，但目标应用不需要高耐久性。通过使用标准 DARE RH 缓解方法，NVM 内存可抵御 SEL 和 SEU/SET。除此之外，还实施了具有单纠错双错检测 (SECDED) 功能的纠错码 (ECC) 作为 SEU 缓解方法。ECC 还提高了 NVM 的一般读取稳健性，因此在太空应用中非常需要。[3] 中详细描述了不同类型的纠错码。因此，NVM 宏将用作坚固且抗辐射的数据存储 IP。NVM 宏具有 344 kbits 用户数据容量，并由 32 位数据字组成，其中 24 位为用户数据，8 位为 ECC。它分为 2 个 32x22 页的存储体。每页包含 8 个字。内存组织参数在表 II 中提供。 NVM 具有标准同步并行用户界面，可简化读取操作。NVM 具有内置电荷泵以及所有控制逻辑，可根据用户指令执行擦除/写入操作。NVM 宏中实现了各种测试模式，以支持生产测试流程。断电模式是另一个内存功能，它