重离子束是一种电离辐射,它已作为一种强诱变剂应用于植物育种,并且是一种诱导大规模缺失和染色体重排的有前途的工具。重离子辐照的有效性可以用线性能量转移 (LET;keV µm -1 ) 来解释。不同 LET 值的重离子束会诱发不同类型和大小的突变。已有研究表明,缺失大小随 LET 值的增加而增大,较高的 LET 辐射会诱发复杂的染色体重排。在本研究中,我们将在拟南芥突变体中检测到的重离子束诱导的缺失定位到其基因组中。我们发现,不同的 LET(100 至 290 keV mm -1 )之间的缺失大小相似,其上限受必需基因分布的影响,并且检测到的染色体重排避免了破坏必需基因。我们还重点研究了串联基因 (TAG),即基因组中两个或多个同源基因相邻。我们的结果表明,100 keV µm -1 的 LET 足以破坏 TAG,并且必需基因的分布会强烈影响与其重叠的突变的遗传性。我们的研究结果提供了拟南芥基因组中大量缺失诱导的基因组视图。
1. 引言. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 432 5.1. 一般考虑. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 442
1. 引言. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 432 5.1. 一般考虑. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 442
注意:如果您谈论的是语言,任何语言协助服务都可以免费前往您所在的地方。呼叫号码 (800) 204-2085 苗族: LUS CEEV: Yog tias coach hais lus Hmoob,cov cave pub txog lus,muaj cave pub dawb rau coach。致电 (800) 204-2俄语(俄语):俄语:俄语中的语言不是雪花。电话(800)204-2085。塔加洛语(塔加洛语 - 菲律宾语):注意:如果您说塔加洛语,您可以免费使用语言协助服务。致电 (800) 204-2085。古吉拉特语(Gujarati):词典:对古吉拉特语是,对否是:Shri Bhagavad Gita Savitri 位于一楼否则请拨打(800)204-2085。柬埔寨语(孟高棉柬埔寨语):柬埔寨语我是,你是我的朋友ឺអចមានសំារ់រំបរើអ្នក។电话号码: (800) 204-2085។ Deutsch(德语):ACHTUNG:如果您说德语,您将获得免费的语言帮助服务。屋顶号码: (800) 204-2085。印地语:注意:如果您讲印地语,我们可以为您提供免费的语言协助服务。致电 (800) 204-2085。
设计并制造了实时低能石墨量热仪原型,用于测定电子能量通量(单位面积电子能量)以及薄膜剂量计的同步辐射。这项工作由马来西亚核技术研究所 (MINT) 和玛丽女王学院和韦斯特菲尔德学院辐射物理组与国家物理实验室合作发起。标准包包含石墨芯、热敏电阻和数据记录器,在 MINT 电子束设施中进行了测试。它们使用 500 keV 的扫描光束和 200 keV 的自屏蔽电子辐照器。该系统被证明是一种有用的参考剂量计,特别是对于自屏蔽设施,在机器输出的校准和常规薄膜剂量计的标准化方面。
摘要。宽场成像仪(WFI)是高能天体物理学的高级望远镜(雅典娜)的两种焦平面仪器之一,ESA的下一个大型X射线天文台计划于2030年代初发射。当前的基线光环轨道在L2左右,并且正在考虑太阳 - 地球系统的第二个Lagrangian点。对于潜在的光环轨道,辐射环境,太阳能和宇宙质子,电子和Heions都将影响仪器的性能。对仪器背景的进一步关键贡献是由未关注的宇宙硬X射线背景产生的。重要的是要了解和估算预期的工具背景并研究措施,例如设计模式或分析方法,这可以改善预期的背景水平,以达到具有挑战性的科学要求(<5×10 - 3计数∕ cm 2 ∕ cm 2 kev kev s s in 2至7 kev)。通过考虑到L2处的质子通量的新信息,可以改善Geant4中进行的WFI背景模拟。此外,已对WFI仪器的模拟模型及其在Geant4模拟中采用的周围环境进行了完善,以遵循WFI摄像机的技术开发。©作者。由SPIE发表在创意共享归因4.0未体育许可下。全部或部分分发或复制此工作需要完全归因于原始出版物,包括其DOI。[doi:10.1117/1.jatis.7.3.034001]
在本研究中,使用铸造方法制造了六硅橡胶掺杂的硅橡胶。使用Archimedes方法测量了由牙四硼酸氧化物样品掺杂的硅橡胶的密度。此外,使用Hyper Pure族对硅胶橡胶掺杂的牙胆剂氧化物样品的线性衰减系数进行了评估,并使用理论PHY-X程序对记录的线性衰减系数进行了记录的线性衰减系数。使用带有放射性同位素AM-241,CS-137和CO-60的窄光束传输方法进行实验测量,其能量为59、661、1173和1332 KEV。线性衰减系数在4.73次,1.20时间,1.17,时间和1.17次时的增强,在伽玛光子光能为59、661、1173和1332 KeV时,TEO 2浓度在制造的配合材料中增加到59、661、1173和1332 KEV。线性衰减系数的增强对传输速率值有积极的影响,而在半价值厚度和传输速率则降低并伴随着RPE的增加。©2023韩国核协会,由Elsevier Korea LLC出版。这是CC BY-NC-ND许可证(http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/)下的开放访问文章。
长期以来,各种理论模型都预测了分子态,特别是在单玻色子交换模型中预测的 DD ∗ 同标量轴矢量分子态。在本文中,我们研究了高斯展开法中的 DDD ∗ 系统,其 DD ∗ 相互作用源自单玻色子交换模型,并受到 T cc 相对于 D ∗ + D 0 阈值的 273 ± 63 keV 的精确结合能约束。我们证明了 DDD ∗ 态的存在,其结合能为几百 keV,自旋宇称为 1 − 。其主要衰变模式是 DDD π 和 DDD γ 。这种状态的存在原则上可以通过即将发布的 LHC 数据得到证实,并将明确地确定 T + cc 态以及许多类似奇异状态的性质,从而加深我们对非微扰强相互作用的理解。
•遵循脉冲RF系统•E-/X射线脉冲的火车•最大。= 2.700每火车/27.000/s•电子能量:8.5 - 17.5 GEV•光子能量:0.26-> 25 keV•脉冲持续时间:2 - 100 fs
•在(𝑥1,𝑦1,𝑧1)处与ABCD平面相交=(0.431 mm,-1.127 mm,0.500 mm); •沿Z(垂直于ABCD和EFGH平面垂直的苍蝇3.75μm) - 这是正确的吗?也请参见下一张幻灯片); •排放荧光光子,= 9.25 keV at(𝑥2,𝑦2,𝑧2)=(0.431 mm,-1.127 mm,0.496 mm); •该荧光光子在(𝑥3,𝑦3,𝑧3)=(0.429毫米,-1.116毫米,0.500 mm)上飞过ABCD; •也就是说,芯片内部荧光光子的“路径”(发射后)仅为𝑥3 -𝑥22 +𝑦3−𝑦2 2 2 +𝑧3−𝑧2 2 =11.8μm; •GAAS中的该𝐸= 9.25 keV光子的吸收系数为23.92 1 mm; •𝑝= 1 -Exp -23.92 1 mm×11.8×10 -3 mm = 0.246; •𝑝gen =统一0,1 = 0.272; •𝑝<𝑝gen⇒无吸收。