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CMOS 的局限性和绝热/可逆 CMOS 的前景
传统 CMOS 逻辑的能效正在快速接近实际极限，而这最终源于基本的物理考虑。根据 IRDS 路线图，到 2030 年左右，最小典型逻辑信号能量预计将降至最低，约为 0.2 fJ (1.25 keV)。这将加剧可实现的设备密度（随着行业转向 3D VLSI 技术，该技术可以在一个制造过程中集成多个“层”有源设备，设备密度将继续增加）与芯片封装内功率耗散密度保持可控的需求之间的矛盾。实际上，这些限制将导致实际芯片设计中潜在可用的设备数量资源越来越未得到充分利用，加剧了目前已经存在的“暗硅”问题。
加拿大光源的生物医学成像和疗法束线的硬X射线成像和层析成像
加拿大光源的生物医学成像和治疗设施包括两个梁线，它们覆盖了从13 kevup到140 KEV的X射线能量范围。梁线的设计侧重于临床前成像和兽医科学以及微束辐射疗法中的同步加速器应用。虽然它们仍然是两种光束线活动的主要部分，但最近的许多升级增强了梁线的多功能性和性能，尤其是对于高分辨率的微型造影实验。因此，用户社区已迅速扩展，以包括高级材料，电池，燃料电池，农业和环境研究的研究人员。本文总结了梁属性，描述了端站与检测器池一起描述，并介绍了用户可用的各种X射线成像技术的几个应用程序案例。
尼贝特锂结构壁的局部研究
Isolde-Cern的角相关性。单个结构域的螺旋和定期固定的LNO样品应在30 KEV处植入111m cd探针后的不同退火和温度条件下进行研究。的目标是研究在定期刺激单晶的扰动函数中观察到的异常，并将结果与以下情况相关联：（i）可能对域壁产生局部电导率效应； （ii）第二谐波生成极化参数。与密度功能理论相关的提出的测量值可以深入了解电动LNO域壁中电子传输和电荷捕获的机制，并支持它们在前瞻性纳米电子设备中的使用。请求班次的摘要：目标上的12个质子偏移（分为至少3次通过
硅的拉曼光谱，用铂掺杂并被质子辐照
摘要。在这项工作中，通过拉曼光谱法研究了质子照射和铂杂质对硅样品晶体结构的影响。已经确定，具有铂的Si的单晶掺杂会导致小变化和拉曼光谱中新振动的出现。在521 cm – 1处主硅峰的强度降低了1.6倍，而其FWHM实际上没有变化，约为4.0 cm – 1。这种峰强度的降低可能是由于PT扩散而导致硅晶格结构中键的键和破坏。表明，在Si 光谱中60–280 cm1范围内的新振动的出现与元素PT的存在和PTSI的形成有关。已经发现，具有600 keV质子的Si 样品的照射会导致拉曼光谱发生变化，而PT和/或PTSI的峰消失了。
引用：Rodani T.，Osmenaj E.，Cazzaniga A.，Panighel M.，Africh C.＆Cozzini S.朝扫描隧道显微镜图像的公开化。
目前，基于高阶谐波发电（HHG）的台式超级紫外线（XUV，10-124 eV）和软X射线（从124 eV到几个KEV）辐射的台式超快来源显然是在对电子超时时间量表的行为方面的科学进步明显促进了科学进步。1–7这些来源成功的关键点依赖于结合极端和空间分辨率的独特能力，从而使超快动力学具有原子特异性和化学环境敏感性，直至达到了时间范围的时间域（1 as = 10-18 s）。除了在极端时间尺度上揭示动力学的惊人潜力外，HG技术仍在持续进展，旨在克服几个基本限制，从而极大地阻碍其应用。例如，HHG的显着较低的转化效率仍然代表一个主要问题，尤其是在Soft-X射线中
一项基于GAN的Betavoltaic电池的研究
摘要在本文中，通过金属 - 有机化学蒸气沉积和P型欧姆接触而生长了基于GAN的betavoltaic外延结构，以不同的Ni/Au金属厚度比，n 2：O 2：O 2（1：1）的温度依赖于这种同种疗程的n 2：o 2：o 2（1：1）的温度。转移长度方法测量是在每个不同的过程条件后进行的，以检查特定的接触电阻率。GAN的BETAVOLTAIC电池，并将扫描电子显微镜（SEM）用作测试这些设备的电子源。为此，将连接到印刷电路板连接的设备暴露于1.5 Na的电子电流，而SEM中的17 keV能量。对于1×1 mm 2设备，在0 V时的暗电流值为2.8 pa，填充系数为0.35，最大功率转换效率为3.92％，最大输出功率为1 µW。
标题 使用锆-铍对活化探测器进行等离子体聚焦中子能量和各向异性测量 作者 SV Springham、R. Verma、
图 4：（蓝色）脉冲高度分析仪 (PHA) 光谱，来自锆激活 BGO 探测器，位于 PF 轴 0° 处，累积了 7 个系列的拍摄，每个系列 16 次拍摄，每个拍摄的门间隔为 3.0 秒，连续 112 次 PF 拍摄的累计有效时间 = 336 秒。（绿色）实验室背景辐射的 PHA 光谱，有效时间 = 160 分钟 = 9600 秒，但缩小到 336 秒有效时间。在次轴上：（红色）净（背景减去）PHA 光谱，和（黑色）MCNP5 模拟的 BGO 能量光谱，用于 ¦¦¦ 发射的 γ 射线。灰色虚线框表示 SCA 能量窗口。 SCA 能量窗口内每次发射的计数为： 、 、 、 、 、 。 。 。 PHA bin 宽度为 1.93 keV。
朝高光谱分辨率量子X射线量热法
用于结合高光谱分辨率和量子效率的X射线光谱的热检测器。这些“微钙化器”通过感测小吸收结构的温度升高来测量吸收单个光子中释放的能量。这种设备的最终能量分辨率受热力学和等温浴之间的热链连接中的热力学功率波动的限制，并且原则上可以低至1 eV。由于噪声贡献（例如热敏电阻中的过量（L/F）噪声）以及能量转换为声子，因此真实设备的性能被降低。我们在这里报告了在存在噪声的情况下，在温度计，X射线吸收和热化，制造技术和检测器优化方面的最新进展。这些改进使我们能够生产出光谱分辨率为17 eV FWHM的设备，该设备在6 keV下测量。
海报 钻石光源有限公司材料与磁性光束线 I16
I16 是一条位于 Diamond Light Source 的高通量、高分辨率 X 射线光束线。该光束线工作在 2.7-15 KeV 范围内，是一种专为研究单晶样品的共振和磁散射过程而优化的衍射设备 [1]。共振弹性 X 射线散射是表征材料的电子、磁性和结构特性的理想选择，因为它对原本较弱的散射过程具有增强的灵敏度，可提供光谱信息和化学选择性。I16 的主仪器是一台大型 6 圆 K 衍射仪，能够适应各种辅助环境。该光束线可完全控制其大部分能量范围内的入射光子偏振。它与大光子计数面积探测器和安装在 K 衍射仪上的真空线性偏振分析仪相结合，用于隔离和增强与有序现象相关的特定散射过程。