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Paddock 110 kV 变电站开发 Kilbride Road, Co. Meath
变电站会对人类或动物造成健康风险吗？有些人担心电线和电缆附近的电场和磁场 (EMF)。电流流动时会产生 EMF，但其频率处于电磁波谱的极低端。它们出现在家庭、工作场所或我们使用电的任何地方。EMF 的天然来源包括地球的地磁场和风暴云的电场。卫生和监管机构的共识是，极低频率的 EMF 不会带来健康风险。
首先在1.2 kV SIC MOSFET身体二极管鲁棒性测试
1。上下文SIC MOSFET由于其强劲的损失而广泛用于新应用设计，并且具有高开关频率和高工作温度的功能。与氧化门相关的可靠性问题已经很好地解决，并且已经发表了许多有关阈值电压不稳定性的研究[1; 2]。使用车身二极管避免外部Schottky二极管[3; 4]。在本研究中，对1.2 kV的SIC MOSFET体二极管进行了压力并进行了研究，以确定使用时任何衰老或降解问题。
商用 1.2 kV 4H-SiC 功率 MOSFET 栅极漏电流行为调查
摘要 — 过去十年，碳化硅 (SiC) 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 的商业化不断扩大。栅极氧化物可靠性是 SiC 功率 MOSFET 的主要问题，因为它决定了器件的使用寿命。在这项工作中，我们研究了商用 1.2 kV SiC 功率 MOSFET 在不同栅极电压下的栅极漏电流。高氧化物电场引发的碰撞电离和/或阳极空穴注入 (AHI) 导致空穴捕获，从而增强了栅极漏电流并降低了器件的阈值电压。由于 Fowler-Nordheim (FN) 隧穿而产生的电子注入和捕获往往会降低栅极漏电流并增加阈值电压。还对商用 MOSFET 进行了恒压时间相关电介质击穿 (TDDB) 测量。栅极漏电流的结果表明，场加速因子的变化是由于高栅极氧化物场下栅极电流/空穴捕获增强所致。因此，建议在低栅极电压下进行 TDDB 测量，以避免在正常工作栅极电压下高估寿命。
infinigen：具有动态KV缓存管理的大语言模型的有效生成推断
基于变压器的大语言模型（LLMS）在各种自然语言处理任务中都具有令人印象深刻的表现。为LLM推断为生成长含量而构成挑战，这是由于瞬态状态的巨大内存足迹（称为键值（KV）缓存），该状态以序列长度和批处理大小缩放。在本文中，我们提出了Infinigen，这是一种针对Longext Genertion量身定制的新型KV缓存管理框架，该框架协同与现代卸载基于卸载的推理系统合作。Infinigen利用了关键见解，即可以通过对当前层的最小彩排以及查询权重的一部分和后续层的关键缓存进行最小化的彩排来推测，对于计算变压器中后续注意力层至关重要的重要洞察力。这使我们只能预取基本的KV缓存条目（不提供所有内容），从而在基于卸载的LLM服务系统中减轻主机内存中的提取开销。我们对几种代表性LLMS的评估表明，与先前的KV高速缓存管理方法相比，Infinigen将基于现代卸载系统的总体性能提高了3.00倍，同时提供了更好的模型准确性。
草稿研讨会议程 - CDN
摘要 - 在室温和市售大区域1.2 kV 4H-SIC功率MOSFET的室温和升高的温度下，进行了频率泄漏电流和恒定电压时间与时间依赖时间的介电分解（TDDB）测量值，以研究其门氧化物的可靠性并更好地了解其失败模式。表明，Fowler-Nordheim（F-N）隧穿电流是导致门泄漏电流的主要机制。尽管界面状态密度（d）和接近氧化物陷阱可能引起的异常门泄漏电流行为，但在正常工作条件下的泄漏电流（在28℃下为V g = 20 V）小于100 pa。从TDDB测量值推断出来，当V g = 20 V时，在28℃和175°C时的预测寿命远远超过目标10年。索引术语 - 碳化物（SIC），MOSFET，氧化物可靠性，Folwer-Nordheim，TDDB，故障时间
10 kV SiC 功率模块堆叠基板设计，具有图案化中间层，可减少局部放电
摘要 — 电源模块中的直接键合铜 (DBC) 等基板需要承受足够高的绝缘电压，以提供半导体芯片和冷却系统之间的隔离。当电场超过绝缘材料的临界介电强度时，就会发生局部放电 (PD)，并且它通常是电源模块中的关键退化指标。确保在中高压电源模块封装中没有基板 PD 更具挑战性。与简单地增加单个基板绝缘层的厚度相比，堆叠多个基板似乎是实现高绝缘电压的一种有前途的解决方案。本文研究了堆叠基板的 PD 性能，并提出了在堆叠基板中采用图案化中间层以进一步提高绝缘电压。优化了堆叠基板的金属化之间的偏移量，以实现电场和热阻之间的权衡。基于中间层图案化堆叠基板设计开发了10 kV SiC 功率模块，并通过高达 12.8 kVrms 的 PD 测试验证，与传统堆叠基板相比，最大电场降低了 33%。
2024 年区域输电计划 (RTP) 345 kV 计划和德克萨斯州 765 kV 战略输电扩建
在 2024 年 RTP 中，ERCOT 首先制定了一项全面的 765 kV 计划，以应对未来的潜在需求增长，然后确定了到 2030 年所需的关键组件（核心计划）。在制定核心计划后，ERCOT 与常规 345 kV 计划同时制定了 765 kV 计划，以解决分析中发现的可靠性问题。RTP 765 kV 计划是使用 2030 年夏季峰值案例创建的，这也是 345 kV 计划的起始案例。765 kV 计划的起始案例纳入了 Permian Basin 可靠性计划中到 2030 年所需的所有本地项目，以及三条 Permian Basin 765 kV 导入路径。分析是在 N-1 应急条件下进行的，即发电机或 345/138 kV 变压器先停运，然后是 N-1 应急条件，以及 300 kV 及以上电压等级的维护停运。下图 1.1.1.1 显示了核心 765 kV 计划。
支持可再生能源发展：额尔德尼布伦-米扬加德220千伏输电线路子项目最新环境影响评估（第二卷）
- 在详细设计期间根据需要修改 EIA 和 EMP。 - 确保 EMP 要求包含在招标文件和土木工程合同中。 - 获得项目所需的所有环境许可和许可证。 - 协调本 EMP 中描述的培训计划的实施。 - 确保承包商正确实施 EMP。 - 确保承包商遵守蒙古和亚洲开发银行的相关环境管理和保护要求和法规，以及任何子项目环境或社会贷款契约和保证。 - 在实施过程中识别任何环境问题并提出必要的纠正措施。 - 就 EMP 的实施和纠正措施与亚洲开发银行进行联络。 - 与项目利益相关方和受影响人员（AP）进行持续的宣传和沟通。 - 确保实施 GRM，以便高效、有效地解决受影响人员的投诉。 - 确保实施 EMP 环境监测计划中提出的环境监测。 - 审查并合并承包商提交的季度环境监测报告。 - 编制并向环境部项目管理机构提交合并的半年度环境监测报告，以便转交给亚洲开发银行。
2.83 kV 双层 NiO/β-Ga2O3 垂直 pn ...
摘要：本文设计了高性能NiO/β-Ga 2 O 3 垂直异质结二极管（HJD），其具有由两层不同长度的p型NiO层组成的双层结终端扩展（DL-JTE）。底部的60 nm p-NiO层完全覆盖β-Ga 2 O 3 晶片，而上部60 nm p-NiO层的几何形状比方形阳极电极大10 μm。与单层JTE相比，双层JTE结构有效抑制了电场集中，使击穿电压从2020 V提高到2830 V。此外，双p型NiO层允许更多空穴进入Ga 2 O 3 漂移层，降低了漂移电阻，比导通电阻从1.93 mΩ·cm 2 降低到1.34 mΩ·cm 2 。采用DL-JTE结构的器件功率因数（PFOM）达到5.98 GW/cm 2 ，是传统单层JTE结构的2.8倍。这些结果表明，双层JTE结构为制备高性能Ga 2 O 3 HJDs提供了一种可行的方法。