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III 族氮化物InAlN 半导体异质结研究进展
由于在高频和高功率固态微波电源设备中的巨大潜在应用，基于GAN的高电子迁移式晶体管（HEMTS）在过去的二十年中引起了很多关注，并且在实现市场商业化方面取得了巨大进展。为了进一步提高设备性能，尤其是在高压，高级材料和设备制造过程中，提出了新颖的设备结构和设计的高操作频率和设备可靠性。在提出的方法中，由于其独特的优质材料特性，基于Inaln的晶格匹配的异质结构可能成为下一个下摆的首选。在本文中，结合了III III化合物半导体材料和设备领域的相对研究工作，我们简要综述了基于Inaln基于Inaln的异质结构半导体组合的艺术状态的进展。基于对基于INALN的异质结构的外延生长的分析，我们讨论了提出的脉冲（表面反应增强）金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）的优势和成就，用于INALN/GAN异质结构的外交。
追踪 AlN 多层基板中的金属扩散现象扩散...
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WAlilHlNGTON 25，V. 0.，80 1958 年 11 月更新如下：删除。
[._有权获得战斗信用的单位。1. 莱茵兰。WD General Orrlors 118，1\)45；由 DA General Orders 29，1\148 第 4 节、DA General Orders 72，1948 第 I 节第 11 段补充；DA General Orders 6，1050 第 II 节第 11 段；DA General Orders 37，1950 第 I 节第 14 段；DA General Orders 32，1953 第 III 节第 17 段； DA 一般命令 60，1153 第 T1 节；DA 一般命令 87，1153 第 V1 节第 2 段；DA 一般命令 9，1954 年第 VI 节第 3 段；DA 一般命令 25，1954 年第 I 节 B 段；DA 一般命令 57，1954 年第 V 节第 5 段；DA 一般命令 74，1054 年第 VII 序列第 1 段；DA 一般命令 0，1955 年第 IV 节第 3 段；以及 DA 一般命令 28，1956 年第 I 节第 2 段，涉及莱茵兰协议，进一步修订如下：