现在众所周知,自2014年以来,印度在增长最快的国家中注册,并增加了在全球经济中的作用,这是由于其在不断发展的Covid-19 Covid-19大流行中的政治和战略重要性。印度确实是全球经济事务的关键人物,并且有几个因素导致其经济实力。印度的经济特征是信息技术,药品和服务等各种部门在维持增长方面发挥了作用。印度的人口红利,人口众多,被视为经济增长的潜在优势。该国实施了经济改革,并发起了“印度制造”之类的倡议,以促进制造业并吸引外国投资。利用劳动密集型制造业和吸引外国直接投资的优势确实是印度提高其经济绩效并促进包容性增长的关键领域。莫迪政府以其雄心勃勃的目标和倡议而闻名,旨在在各种方面改变印度,包括经济发展,基础设施,治理和外交政策,以及成为全球舞台上主要参与者的潜力。在2021年,印度确实是世界上最大的经济体之一。是GDP(当前的$)将其置于全球顶级经济体之列。印度在总进口和进口方面的地位可能会根据用于计算的不同来源和方法而有所不同。经济复杂性指数(ECI)评估了一个国家出口的多样性和复杂性。与其他一些主要经济体相比,该国的人均GDP相对较低,将其置于人均收入方面。如果印度在ECI中排名第41,则表明其经济活动的复杂程度中等。
二维(2D)过渡金属二分法(TMD)的内在特性受其界面条件的深刻影响。工程TMD/底物接口对于在设备应用中利用2D TMD的唯一光电特性至关重要。这项研究深入研究了单层(ML)MOS 2的瞬态光学特性如何受底物和膜制备过程的影响,特别是集中在光激发载体的产生和重组途径上。我们的实验和理论分析表明,转移过程中诱导的应变和缺陷在塑造这些光学特性中起关键作用。通过飞秒瞬态吸收测量值,我们发现了ML MOS 2中载体捕获过程的底物改变的影响。此外,我们研究了激子 - 外激体歼灭(EEA),表明EEA速率随不同的底物而变化,并且在低温(77 K)时会显着降低。这项研究为通过战略接口工程定制TMD的光电特性铺平了道路,有可能导致创建高效的电子设备,例如光电记忆,光发射二极管和光电探测器。
第二次谐波生成(SHG)是一个非线性光学过程,其中两个光子连贯地组合成两个光子的能量的两倍。的效果SHG。在这里,我们显示了反转对称晶体中非线性光学过程的调整。这种可调节性基于双层MOS 2的独特性能,该特性显示出强烈的光学振荡器强度,但也显示了层间激子的共振。当我们通过改变激光能将SHG信号调谐到这些共振上时,SHG振幅通过几个数量级增强。在谐振情况下,双层SHG信号达到的幅度与单层的两个共振信号相当。在施加的电场中,可以通过鲜明的效应来调节层间激子能量。因此,取消了层间激子退化性,并通过我们的模型计算得出的良好再现了两个数量级,进一步增强了双层SHG响应。
b'magic-角角扭曲的双层石墨烯可容纳各种有趣的物质状态,包括非常规的超导状态。但是,这种材料可以形成全新的物质状态吗?在本次演讲中,我将讨论两种不同类型的电子冷凝物的可能出现,它们超出了BCS耦合范式。这些是由典型的四元素形成的冷凝物,在电子对之间没有相干性,而是对成对对之间的相干性。通过使用大型蒙特卡洛模拟在魔术角扭曲的低能有效模型[1]中,我们表明,取决于超导地面状态,费米式四倍体置置供应量可以作为遗传相吻合。由四个破坏时间逆转对称性的电子形成,通常出现在超导过渡上方[2]。相反,如果基态是列明超导体,则我们的数值模拟表明,该系统在正常金属相中熔化之前表现出电荷4E相[3]。这表明扭曲的双层石墨烯是稳定和观察这些新型量子状态的理想平台。
X射线吸收是一种通过样品的元素构成来研究物质的方法。该方法对像2P(如2p)的共振内壳激发特别敏感!3D或3D!4F过渡,可以获得亚层敏感性。在这里,我们报告了总电子产量的Everhart - Thornley(ET)检测方案,该方案可在低光子通量下具有高质量的XAS,这是辐射敏感样品的曼陀罗。我们将ET电子产量检测方案应用于HO M 5和M 4边缘的HO 3 N@C 80内hode骨的单层量的X射线吸收。分子(如内叶列烯)是分子旋转型和电子产品的候选成分,其中XAS可能会揭示内侧单元的构象和磁性。1在当前的XAS应用中,我们研究了温度内部方向的可能变化,众所周知,单层内叶烯的平均方向可能在30 K和室温(RT)之间变化。2
简介。最近的Moiré材料激增已大大扩大了具有强相关电子的实验平台的数量。虽然相关的绝缘状态和扭曲双层石墨烯中的超导性[1-4]的超导能力启动,但过渡金属二分法(TMD)材料的双层中电子相关性的强度超过了石墨烯cousins中的材料[5]。在TMD中进行的实验揭示了Mott绝缘子的特征[6-10],量子异常的霍尔效应[11]和 - 在杂词中 - 分数纤维上的莫特 - 木晶体[7,12-16]。当电子电荷定位时,只有自旋程度仍然存在,并且在最近的实验中开始研究TMDMoiréBiLayers中的杂志[17-19]。Heterobilayers在三角形晶格上意识到了一个诱导的Hubbard模型[20-23],因此,局部旋转非常沮丧。这种挫败感可能会导致旋转液相,这是一种异国情调的物质,其物质实现一直在寻求[24,25]。在这封信中,我们表明n =±3 /4的通用Mott-Wigner状态报告了WSE 2 / WS 2双层[12,13]的填充状态,可以实现手性旋转液体[26,27]和Kagome Spin液体(KSL)[28-33]。在这种特殊的填充下,电子位于有效的kagome晶格上,该晶格以其高度的几何挫败感而闻名。TMD双层的可调节性 - 更换扭曲角度,栅极调整,材料在这里,我们证明了现实的模型参数如何导致该kagome晶格的有效自旋模型,并使用广泛的最新密度矩阵构造组(DMRG)模拟研究模型[34,35]。
大多数疫苗都需要多剂诱导高频率疫苗的持久保护性免疫,并确保个人和牛群免疫力强。重复的免疫原性刺激不仅会增加适应性免疫的强度和耐用性,而且还会影响其质量。已知几种疫苗参数会影响自适应免疫反应,包括尤其是免疫数,它们之间的延迟以及不同重组疫苗载体的递送顺序。此外,初始效应器先天免疫反应是激活和调节B和T细胞反应的关键。优化同源和异源素/增强疫苗接种策略需要透彻了解疫苗接种历史如何影响记忆B和T细胞特征。这需要更深入了解先天细胞如何应对多种疫苗接触。在这里,我们回顾了先天细胞,尤其是髓样谱系的细胞如何以外在和内在的方式对第一和第二疫苗剂量有所不同。一方面,主要的特定抗体和记忆T细胞的存在,其临界特性随着启动后的时间而变化,在重新接种时为先天细胞提供了一个不同的环境。另一方面,先天细胞本身可以在初始刺激后很长一段时间内发挥增强的内在抗菌功能,这被称为训练有素的免疫力。我们讨论了训练有素的先天细胞成为主要/增强疫苗策略中的游戏改变者的潜力。它们在抗原摄取,抗原表现,迁移以及作为细胞因子生产者中的功能增加确实可以改善主要记忆B和T细胞的再刺激及其分化为响应增强的有效次级记忆细胞。对训练有素的免疫机制的更好理解对于利用训练有素的先天细胞的全部潜力,优化免疫策略将非常有价值。
激子的基本特性取决于库仑结合的电子和孔的自旋,山谷,能量和空间波形。在范德华材料中,这些属性可以通过层堆叠配置进行广泛设计,以创建具有静态平面外电偶极子的高度可调的层间激子,以牺牲振动性内置偶极偶极子的强度,负责轻度降低光线的振动。在这里我们表明,双层和三层2H-Mose 2晶体中的层间激子与地面(1 s)和激发态(2 s)的电端驱动耦合(2 s)。我们证明,这些独特的激子物种的杂种状态可提供强大的振荡力强度,大型永久性偶极子(高达0.73±0.01 ENM),高能量可调性(高达〜200 meV)以及对旋转和山谷特征的完全控制,因此激子G型可以在较大的范围内操纵ICKITON G-ICTOR。此外,我们观察到双层和三层激发态(2 s)互层激元及其与内部激子态(1 s和2 s)的耦合。我们的结果与具有自旋(层)选择性和超越标准密度功能理论计算的耦合振荡器模型非常吻合,促进了多层2H-MOSE 2作为一个高度可调的平台,可探索与强光相互作用相互作用的Exciton-Exciton相互作用。
准确的分子特性预测对于药物发现和计算化学至关重要,促进了有希望的化合物并加速治疗性发育的鉴定。传统的机器学习以高维数据和手动特征工程的速度失败,而现有的深度学习方法可能不会捕获复杂的分子结构,而留下了研究差距。我们引入了深CBN,这是一个新型框架,旨在通过直接从原始数据中捕获复杂的分子表示来增强分子性质预测,从而提高了准确性和效率。我们的方法论结合了卷积神经网络(CNN)和biforter注意机制,同时采用了前向算法和反向传播。该模型分为三个阶段:(1)功能学习,使用CNN从微笑字符串中提取本地特征; (2)注意力完善,通过向前前锋算法增强的Biforter模块捕获全球环境; (3)预测子网调整,通过反向传播进行微调。对基准数据集的评估 - 包括TOX21,BBBP,SIDE,Clintox,Clintox,Bace,HIV和MUV,表明深-CBN达到了近乎完美的ROC-AUC分数,显着超过了最好的State-Art-Art方法。这些发现证明了其在捕获复杂分子模式的有效性,提供了一种强大的工具来加速药物发现过程。
材料上的特性。15最近,多层材料在表面工程社区中引起了广泛的关注,复合电极的制造也广泛用于LM电极处理。这还涉及增强电极材料的表面和界面,例如,减少金属颗粒的大小,不合适的多孔或分层结构,并与各种纳米颗粒进行修改或功能化表面(例如,,金属,金属氧化物,碳材料和离子/电子导电聚合物)。16 - 19虽然一项重要的研究集中在界面模式cation在改善金属化lms的能量存储和电性能中的作用,但它在自我修复特性方面已被很大程度上忽略了。由于其出色的电绝缘层和高导热率,可以将金属氧化物连接到聚丙烯LMS的表面上,以通过蒸气沉积形成复合的绝缘培养基。该方法不仅在适度地增加了复合lms的相对介电常数,而且在显着增强了电容器核心的热有效性方面。20,21尽管热量的快速耗散是由于电容器的介电损失或自我修复而产生的,但据信复合LMS可以防止在自我控制点附近介电lm的层间粘附,从而在自我控制过程中发挥隔离功能。22,23