稀土发射器已在集成的光学源中研究了一段时间,作为激光源[1]和带有眼镜[2,3]或聚合物[4]的波导放大器。最近,它们被整合到互补的金属氧化物半导体(CMOS)驱动或兼容的SI光子芯片中,作为激光源[5],放大器[6,7]以及调节剂[8,9]。稀土发射器为开发新的主动光学功能的可能性提供了许多可能性,该功能最初集中于第四组[10]或III-V材料[11,12]。然而,需要在硅平台上的有效掺入(例如粘结[13],掩盖沉积[5,14],额外的层[15]或蚀刻[16,17],需要复杂的处理,这对实际应用可能是昂贵且有害的。尤其是Y 2 O 3和Al 2 O 3矩阵的情况,它需要电感耦合等离子体优化的蚀刻[18-20]。在这项工作中,我们提出了稀土掺杂层微发射体的创新设计,而无需使用升降加工与脉冲激光沉积(PLD)结合使用。在通过掩模(例如g。photoresist)的升降过程中,通过蚀刻的经典结构进行了蚀刻的经典结构,但在升降过程中,将材料与沉积的材料一起清除。这种方法比蚀刻更容易,避免沿蚀刻的侧壁潜在损害。尽管非常有吸引力,但提升过程的主要缺点之一是沉积过程中的底物温度。pld允许克服这种限制。升降处理是薄层图案(例如金属)或较厚层的微电子中常规的,具有低温沉积(如溅射)[21],原子层[22]或玻璃沉积[23]。的确,如果底物温度高于200°C(即光固定剂的硬烘烤温度),则提升处理不能成功。PLD是一种通常用于
1华沙大学物理学院实验物理研究所,华沙02-093波兰2物理系,罗马萨皮恩扎大学,罗马00185,意大利罗马3劳动力国家国家 /地区champs crampscrampsmagnétiqus登山 Nanotechnologies, National Research Council (CNR-IFN), 00133 Rome, Italy 5 Central European Institute of Technology, Brno University of Technology, Brno 61200, Czech Republic 6 Research Center for Functional Materials, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044, Japan 7 International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, Tsukuba 305-0044,日本8 Centera实验室,高压物理研究所,波兰科学院,波兰华沙01-142 ∗作者,应与之解决任何信件。
Sige合金数十年来引起了很多兴趣,尤其是在微电子行业中。如今,它们已在许多设备中使用。的确,由于GE [1]中的较高的孔迁移率和相对较小的晶格参数差异,因此它们与硅设备的兼容性使得能够设计出诸如应变,载流子迁移率和带盖之类的特性。一个人可以使用sige:b源和排水量来压缩PMOS通道,从而改善其电气性能[2]。但是,设备的连续微型化需要形成越来越浅的源/排水(S/d)连接,但具有高掺杂剂激活。因此,退火过程时间尺度变短且较短[3,4]。纳秒激光退火(NLA)可以达到SI [5-7]或GE [8,9]中的较高掺杂剂的激活。紫外线NLA(UV-NLA)也可以用于3D整合,因为其短脉冲持续时间及其短波长导致表面附近的高退化温度,同时将嵌入式层保持在较低的温度下[10-13]。
https://doi.org/10.26434/chemrxiv-2025-t5www orcid:https://orcid.org/0009-0009-2330-0241 content content content contem content not chemrxiv未通过chemrxiv进行同行查看。许可证:CC BY-NC-ND 4.0
得益于大量的研究努力,有机太阳能电池已成为可再生能源领域的有力候选者,据报道其能量转换效率超过 19%,使用寿命超过几十年。在组成有机太阳能电池的薄膜堆栈中,界面处的传输层起着关键作用,与光活性材料本身一样重要。由于这些界面所需的非常特殊的特性,电子 (ETL) 和空穴 (HTL) 传输层确实直接与器件的效率和稳定性有关。专注于 HTL 界面,大量材料已用于有机太阳能电池,例如 2D 材料、导电聚合物或过渡金属氧化物。在这篇综述中,我们介绍了用于制造有机太阳能电池的 HTL 材料的演变和最新进展,描述了它们的特性和沉积过程,并将它们与活性层中的富勒烯或新型非富勒烯受体的用途联系起来。关键词:有机太阳能电池;界面;空穴传输层。
图 5 与疾病相关的 E 启动子变异示例。(A)变异 rs11672691 与前列腺癌相关,位于内部 PCAT19 启动子内。替代变异切换相对启动子和增强子活性,导致最上游 PCAT19 启动子和远端基因 CEACAM21 上调。(B)变异 rs1046496 与甲状腺功能减退症相关,位于 BAZ2B 启动子内。替代变异降低 MARCHF7 基因的转录。(C)变异 rs922483 与系统性红斑狼疮相关,位于 BLK 启动子内。替代变异降低 BLK 基因的转录,同时增加 FAM167A 基因的表达。(D)包含主要变异 rs10900585 的五个变异的单倍型与严重疟疾相关,位于 ATP2B4 的内部启动子内。替代变体切换了相对启动子和增强子活性,导致最上游的 ATP2B4 启动子的上调。
背景:有证据表明,认知训练干预措施会对执行功能产生积极影响,并且一些研究表明,运动员通常在某些认知任务上表现出更高的准确性和更快的响应时间。虽然建议执行职能的参与是高级体育活动的一部分,但尚不清楚这种训练方法是否可以直接受益于运动表现。目的:这项研究的目的是评估合并虚拟现实(VR)和基于平板电脑的认知训练干预对青少年网球运动员的影响的影响。在这里,我们检查了通过认知训练干预措施补充定期网球训练的球员的通用网球评分(UTR)的差异,以及仅继续定期网球训练的小组。该自定义认知培训计划针对特定的认知控制能力,包括注意力,工作记忆和目标管理。方法:在由专门研究团队领导的随机对照试验设计中,从一群网球运动员中收集了数据。参与者(n = 23,年龄:平均14.8,SD 2.4岁)来自捷克草坪Tenis Klub(布拉格,捷克共和国)参加这项研究。这些个体被随机分为干预 +训练组(n = 13)或训练组(对照组; n = 10),而UTR分数的变化是感兴趣的主要指标。结果:基线两组之间的UTR没有差异(干预:平均8.32,SD 2.7;控制:平均7.60,SD 2.3)。在治疗期之后,干预组的个体显示出其UTR的显着改善(0.5; t 12 = 4.88,p <.001)与对照组不同(增加0.02; t 9 = 1.77,p = .12)。在比较每个组达到的UTR(训练后UTR减去UTR)的变化时,我们发现干预组的UTR比对照组高38%。对协方差的分析表明,干预组的UTR的改善要大于对照组(F 1,20 = 8.82,p = .008)。
Wissal Belayachi,Salma Boujmiraz,Salma Zouhair,KübraYaşaroğlu,Guy Schmerber等。研究基于MAI的混合有机有机 - 内科卤化物太阳能细胞基于MAI [(PBI2)1 – X(CUI)x] X] x] x] x] x] x] x] x] x] x]。材料科学杂志:电子学中的材料,2021,32(15),pp.20684-20697。10.1007/s10854-021-06582-2。hal-03322284
我们在现象学上制定并在实验上观察到通过人工倾斜多层(ATML)中的热电流重新定位增强了绝热的热电转换。通过交替堆叠具有不同导电性的两种材料,并相对于纵向温度梯度旋转其多层结构,诱导导热性张量中的非分子分量。这种非对角线热传导(ODTC)在绝热条件下产生有限的横向温度梯度,并在绝热条件下产生了seebeck效应诱导的热电器,该温度是由异热横向热电器上置于由外diagonal驱动的热量热电器上的。在这项研究中,我们计算和观察包括热电CO 2 MNGA Heusler合金和BI 2-A SB A TE 3化合物的ATML中的二维温度分布以及所得的横向热电器。通过将倾斜角从0°更改为90°,横向温度梯度显然出现在中间角度,横向热电图在CO 2 MNGA/BI 0.2 MNGA/BI 0.2 SB 1.8 TE 3 te 3 te 3 te的ATML中以45°的倾斜度为45°的ATML,均来自45°的贡献。这种从ODTC得出的混合动作导致横向热电转化率最大降低效率的显着差异从等热极限的3.1%到绝热极限的8.1%。
Ritesh Haldar,Hongye Chen,Antoine Mazel,Dong-Hui Chen,Gaurav Gupta等人。天线:实现晶体化的伪装性果皮中实现良好的光波长转化的关键。高级材料界面,2021,8(10),pp.2100262。10.1002/admi.202100262。hal-03384232