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结合锁定热成像和鼓风机激励检测建筑物外墙的空气泄漏
摘要 建筑外围护结构中的空气泄漏是建筑物供暖和制冷需求的很大一部分原因。因此，快速可靠地检测泄漏对于提高能源效率至关重要。本文介绍了一种从外部确定建筑外围护结构中空气泄漏的新方法，将锁定热成像和鼓风机门系统的热激发相结合。鼓风机在建筑物内产生周期性的过压，导致外表面（立面）泄漏附近的表面温度发生周期性变化。通过以已知频率激发的温度变化，以激发频率对热图像的时间序列进行傅里叶变换，可得到突出显示泄漏影响区域的幅度和相位图像。红外摄像机的周期性激发和检测称为锁定热成像，广泛用于表征半导体器件和无损检测。激发通常通过光、电或机械能量输入实现。在本研究中，在 75 Pa 压差下，以三个 40 秒的激励周期对外墙进行了测量，总测量时间仅为 2 分钟。在光照、风和云量变化很大的条件下，空气温差为 5 至 7 K 时进行了测量。与最先进的差分红外热成像测量相比，测量结果显示检测质量更高，受环境条件变化的影响更小。该方法仅在激励频率下突出显示振幅图像的变化，从而过滤掉由环境影响引起的变化。因此，低至几开尔文的温差就足够了，可以从外部检查大型外墙。该振幅图像已经比用差分热成像创建的图像更清晰。使用标量积对振幅进行相位加权，可以进一步减少图像中不需要的伪影。关键词 锁定、热成像、鼓风机门、气密性、泄漏检测、建筑围护结构、建筑节能 1 引言 不受控制的气流通过建筑围护结构，造成 30-50% 的建筑物供暖能耗 (Kalamees，2007 年；Jokisalo 等人，2009 年；Jones 等人，2015 年)。因此，气密性评估，特别是快速可靠地定位泄漏，对于减少供暖能源需求至关重要。风扇加压法或鼓风机门测试在多项国际标准 (Deutsches Institut für Normung e. V.，2018 年；ASTM，2019 年) 中有规定，用于测量建筑物的整体气密性。然而，泄漏定位很麻烦，需要
结合锁定热成像和鼓风机激励检测建筑物外墙的空气泄漏
摘要 建筑外围护结构中的空气泄漏是建筑物供暖和制冷需求的很大一部分原因。因此，快速可靠地检测泄漏对于提高能源效率至关重要。本文介绍了一种从外部确定建筑外围护结构中空气泄漏的新方法，将锁定热成像和鼓风机门系统的热激发相结合。鼓风机在建筑物内产生周期性的过压，导致外表面（立面）泄漏附近的表面温度发生周期性变化。通过以已知频率激发的温度变化，以激发频率对热图像的时间序列进行傅里叶变换，可得到突出显示泄漏影响区域的幅度和相位图像。红外摄像机的周期性激发和检测称为锁定热成像，广泛用于表征半导体器件和无损检测。激发通常通过光、电或机械能量输入实现。在本研究中，在 75 Pa 压差下，以三个 40 秒的激励周期对外墙进行了测量，总测量时间仅为 2 分钟。在光照、风和云量变化很大的条件下，空气温差为 5 至 7 K 时进行了测量。与最先进的差分红外热成像测量相比，测量结果显示检测质量更高，受环境条件变化的影响更小。该方法仅在激励频率下突出显示振幅图像的变化，从而过滤掉由环境影响引起的变化。因此，低至几开尔文的温差就足够了，可以从外部检查大型外墙。该振幅图像已经比用差分热成像创建的图像更清晰。使用标量积对振幅进行相位加权，可以进一步减少图像中不需要的伪影。关键词 锁定、热成像、鼓风机门、气密性、泄漏检测、建筑围护结构、建筑节能 1 引言 不受控制的气流通过建筑围护结构，造成 30-50% 的建筑物供暖能耗 (Kalamees，2007 年；Jokisalo 等人，2009 年；Jones 等人，2015 年)。因此，气密性评估，特别是快速可靠地定位泄漏，对于减少供暖能源需求至关重要。风扇加压法或鼓风机门测试在多项国际标准 (Deutsches Institut für Normung e. V.，2018 年；ASTM，2019 年) 中有规定，用于测量建筑物的整体气密性。然而，泄漏定位很麻烦，需要
分析基于HFO2/Taox的3-D垂直电阻随机访问存储器阵列
摘要：提议三维垂直电阻随机访问记忆（VRRAM）作为增加电阻存储器存储密度的有前途的候选者，但是3-D VRRAM阵列的性能评估机制仍然不够成熟。先前评估3-D VRRAM性能的方法是基于写入和读取余量的。但是，3-D VRRAM阵列的泄漏电流（LC）也是一个问题。多余的泄漏电流不仅降低了记忆单元的读/写公差和责任，还可以增加整个数组的功耗。在本文中，使用3-D电路HSPICE模拟来分析3-D VRRAM体系结构中阵列大小和操作电压对泄漏电流的影响。模拟结果表明，迅速增加泄漏电流显着影响3-D层的尺寸。高读取电压是提高读取余量的预告仪。但是，泄漏电流也增加。减轻这一冲突需要在设置输入电压时进行权衡。通过分析多位操作对整体泄漏电流的影响，提出了提高阵列读/写入效率的方法。最后，本文探讨了减少3-D VRRAM阵列中泄漏电流的不同方法。本文提出的泄漏电流模型为3-D VRRAM阵列的初始设计提供了有效的性能预测解决方案。
当前泄漏机制与在Si（001）上生长的GE富含螺纹脱位有关
目前的工作研究了螺纹位错密度（TDD）在低密度状态下在SI 0.06 GE 0.94异质结构中集成在SI上（001）的垂直传输的作用。使用无意间掺杂的Si 0.06 GE 0.94层可以研究成长的螺纹位错（TD）的影响，而不会与加工诱导的缺陷相互作用，例如来自掺杂剂的植入。研究的杂层虽然成分等于应变弛豫程度和厚度，但具有三种不同的TDD值：3×10 6、9×10 6和2×10 7 cm -2。电流 - 电压测量结果表明，泄漏电流不会与TDD线性扩展。泄漏电流的温度依赖性表明，通过TD诱导的缺陷状态进行陷阱辅助的隧道，在室温下通过TD诱导的缺陷态进行了陷阱辅助的隧道。在较低的温度和高电场下，无直接相互作用与缺陷水平直接相互作用的直接带对隧道成为主要的运输类型。在较高的温度（> 100°C）下观察到与中间隙陷阱发射有关的泄漏电流。在这里，我们看到材料中SRH的贡献减少，其中最小的TDD（3×10 6 cm -2），我们将其归因于被困在TD菌株中的点缺陷簇中的减少。
AL2O3/ZRO2/SIO2/ZRO2/AL2O3 M
金属 - 绝缘子 - 金属（MIM）电容器对于集成电路（ICS）至关重要。它们可以通过多种方式使用，例如解耦和过滤。高电容密度，低泄漏电流和小二次电压系数（a）是MIM电容器良好电性能的信号。为了获得高电容密度，可以使用高介电常数（K）材料，例如TA 2 O 5，HFO 2，Al 2 O 3，TiO 2和ZRO 2 [1-4]。Zro 2薄膜被认为是这些高k材料中的强大候选者，可以替代传统的介电材料SIO 2和SI 3 N 4，因为它具有许多优势，例如，高击穿电场，高介电结构和较大的能隙宽度[4]。有人研究了单个ZRO 2电介质MIM电容器，并获得了高电容密度，但是泄漏电流和值很差[5]。在这里，我们介绍了Al 2 O 3和SiO 2层以改进上述两个参数，因为Al 2 O 3的较大带隙为8.8 eV，SIO 2的较大频带差距为负值，因此Al 2 O 3 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Zro 2 /Al 2 O 3（Azsza）结构MIM Capicitors设计了。需要强调的是，AZSZA结构是在相同的原子层沉积（ALD）系统中制备的。这不仅降低了实验的复杂性和成本，还降低了污染和引入杂质的可能性。因此，这是一种在
在地质存储期间，理解，评估和补救从废弃的石油和天然气井中泄漏
关于作者：Digiulio博士是美国环境保护署的退休地球科学家。他已经进行了研究：从蓄水到地下水到地下水的漏水，产生的水，冷凝水和钻孔液的挥发性有机化合物的排放，水力破裂，地下甲烷和二氧化碳的碳化气（流动气体）的Indorface vapior sissurface vapior a Indorfer Froffore vapior vabierface in Indorface vapior sissurface vabiors in Indorface vabiors in Inderface vabiors in Indorface Vabiers（vapierface in Indorface Vabiers insuberface）污染地下水（污染地下水）。修复（土壤真空提取，生物电视），地下水采样方法，土壤气体采样方法，气体渗透性测试以及污染物在土壤中的溶质转运。他协助开发了EPA关于蒸气侵入的原始指南，以及EPA关于二氧化碳地质隔离的VI类规则。他曾是与石油和天然气开发有关的诉讼专家证人，在国家石油和天然气委员会对拟议法规之前作证，并在国会向国会作证，就石油和天然气开发对水资源的影响。他的咨询服务包括有关：流浪甲烷气体迁移，路易斯安那州的地质碳存储，在解决方案洞穴中存放天然气液体，在科罗拉多州的拟建石油和天然气法规，从俄亥俄州，爱达荷州和佛罗里达州的II类处置井中对地下水的水资源产生的油和天然气，沿俄亥俄州的水上运输，沿水，欧洲河水运输，欧洲河水运输，提议的河流运输公司的水上运输，供应欧洲河流，提议的运输公司的运输公司的运输业是源头的运输。怀俄明州，蒙大拿州和科罗拉多州的租赁。
草稿研讨会议程 - CDN
摘要 - 在室温和市售大区域1.2 kV 4H-SIC功率MOSFET的室温和升高的温度下，进行了频率泄漏电流和恒定电压时间与时间依赖时间的介电分解（TDDB）测量值，以研究其门氧化物的可靠性并更好地了解其失败模式。表明，Fowler-Nordheim（F-N）隧穿电流是导致门泄漏电流的主要机制。尽管界面状态密度（d）和接近氧化物陷阱可能引起的异常门泄漏电流行为，但在正常工作条件下的泄漏电流（在28℃下为V g = 20 V）小于100 pa。从TDDB测量值推断出来，当V g = 20 V时，在28℃和175°C时的预测寿命远远超过目标10年。索引术语 - 碳化物（SIC），MOSFET，氧化物可靠性，Folwer-Nordheim，TDDB，故障时间
栅极源偏置电压和栅极泄漏电流对FTO型SIC功率MOSFET的短路性能的影响
最近已显示：损害累积和SC-FTO型设备的故障仅用于短路脉冲比给定临界值更长的短路脉冲，此后，栅极裂口电流明显增加； 由于热机械应力和随后的温度相关的顶部金属化挤出，降解和失效是在顶部SIO 2中产生裂纹的结果[1]； 遵守临时偏置条件，由于金属路径在设备顶部区域融合效果，因此可以恢复功能[2]。在此，提出和讨论了一个新的结果，即直接在门和排水之间流动的泄漏电流的检测，也影响晶体管的短路性能和稳健性，为此表明，短路期间门源偏置的值也起着重要作用。
anh_dd_065-oxera-review-leakage.pdf
图1.5 RORE在AMP7期间与泄漏减少PCL相关的影响，四分位数的泄漏每1,000公里的电源长度和每个物业性能的泄漏（1/4是最高表现的四分位数，4/4是最差的四分位数）18图1.6 Pr19 pr19 pr1 pr1 rore rore rore the Is-performiation the Is-perfortion the Is-perfortion the Is-performiation the Is-performiation the Is-perfortion the Is-perfortion the 4/4/4/表现最差的四分位数）19图2.1 Anglian和工业AMP8 PCL反对历史表现：i。每1,000公里的电源； ii。per 100,000 property 22 Table 2.1 PR24 leakage allowances and proposed leakage reductions in AMP8 23 Figure 2.2 Average enhancement funding received by companies, by quartiles for leakage performance implied by 2029–30 PCLs 25 Figure 2.3 PR24 leakage ODI risk model, P10 and P90 RoRE (%) 27 Figure 3.1 Expenditure to reduce leakage (enhancement): first four years of AMP7 against PR24 DD allowance, £m (2022–23) 31 Figure 3.2 Expenditure to reduce (enhancement) and maintain (base) leakage: first four years of AMP7 against PR24 DD allowance, £m (2022–23) 32 Table 3.1 Leakage model specifications, including 2023– 24 data 35 Figure 3.3 Leakage performance (ML/d) per mains (vertical axis) and per property (horizontal axis) in 2023–24 37图3.4 Ofwat对Anglian泄漏增强的评估，£m（2022-23）39图3.5替换主管以减少泄漏单位成本范围（£/米）42图3.6替换，替换电源以降低泄漏成本，以减少每毫升/d的收益（£，000 000 000千元/d）43
使用动态自旋和梯度回波平面成像 MRI 同时量化脑胶质瘤的灌注、通透性和渗漏效应
摘要目的确定在单次注射对比剂期间使用动态自旋和梯度回波平面成像 (动态 SAGE-EPI) 在胶质瘤中同时获得的动态磁化率对比 (DSC)、动态对比增强 (DCE) 和对比剂漏泄效应得出的定量图的可行性和生物学相关性。材料和方法 使用动态 SAGE- EPI 对 38 例增强脑胶质瘤患者进行前瞻性成像，并计算传统 DSC 指标（归一化相对脑血流量 [nrCBV]、信号恢复百分比 [PSR]）、DCE 指标（体积转移常数 [ K trans ]、血管外隔室 [ ve ]）和泄漏效应指标：Δ R 2,ss *（反映 T 2 *-泄漏效应）、Δ R 1,ss（反映 T 1 泄漏效应）和示踪剂平衡时的横向弛豫率（TRATE，反映 Δ R 2,ss * 和 Δ R 1,ss 之间的平衡）。在患者亚组（初治 [TN] vs 复发 [R]）和生物学特征（IDH 状态、Ki67 表达）之间比较了这些指标。结果 在 IDH 野生型神经胶质瘤（IDH wt - 即胶质母细胞瘤）中，先前接受治疗导致 TRATE 较低（p = 0.002），以及 PSR 较高（p = 0.006）、K trans 较高（p = 0.17）、Δ R 1,ss 较高（p = 0.035）、ve 较高（p = 0.006）和 ADC 较高（p = 0.016）。在 IDH 突变型神经胶质瘤（IDH m）中，先前接受治疗导致 K trans 和 Δ R 1,ss 较高（p = 0.026）。在 TN 神经胶质瘤中，动态 SAGE-EPI 指标往往受 IDH 状态的影响（p 范围为 0.09–0.14）。高于 142 mM −1 s −1 的 TRATE 值仅见于 TN-IDH wt ，而在 TN-胶质瘤中，该截止值作为 Ki67 > 10% 的预测因子具有 89% 的敏感性和 80% 的特异性。结论动态 SAGE-EPI 能够同时量化脑肿瘤灌注和通透性，以及通过单次注射造影剂绘制与细胞结构 (TRATE) 和血脑屏障破坏 (Δ R 1,ss) 相关的新指标。临床相关性声明使用动态 SAGE-EPI 同时进行 DSC 和 DCE 分析可减少扫描时间和造影剂剂量，分别减轻对成像方案长度和钆不良反应和积累的担忧，同时提供反映血脑屏障破坏和肿瘤组织细胞结构的新型泄漏效应指标。要点•传统上，脑肿瘤的灌注和通透性成像需要两次单独的造影剂注射和采集。 • 动态自旋和梯度回波平面成像可同时进行灌注和通透性成像。 • 动态自旋和梯度回波平面成像可提供新的图像对比度，反映血脑屏障破坏和细胞结构特征。