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扩展腔二极管激光主振荡器电源...
典型的性能波长767 nm（k），780 nm（rb）871 nm（yb +），1064 nm（yag）1070 nm（al +）光学功率> 30mw30mw内在线宽5 <3 kHz 〜3 kHz 〜3 kHz 〜3 kHzfWHm linewidth（fwhm linewidth（10°S）5 <100 khz 5 <<<100 khz 5 <<<100 khz 5 <<<<100 khz <<<100 khz <<<<<<<<100 khz。足迹25 x 80mm²质量40 g空间资格和任务
2024 LaserBlade 产品详情
线宽 (3 dB) • 2500W 单模 • 窄线宽 • 1050 - 1080nm 输出 • 低 SWaP • 3 m 传输光纤 • 内部/外部种子 ±0.5 或更好
729 nm Ti:Sa 激光器的频率稳定性，用于捕获钙离子中的量子比特操控
捕获 40 Ca + 离子的量子信息科学实验需要波长为 729 nm 的窄线宽激光器来驱动 4 2 S 1 / 2 和 3 2 D 5 / 2 之间的量子比特跃迁。本文介绍了一种钛宝石激光器，该激光器使用 Pound-Drever-Hall 技术将频率稳定到波长为 729 nm 的参考腔。激光线宽是通过与其他频率稳定激光器的拍频测量和对单个捕获 40 Ca + 离子的 Ramsey 实验来测量的。最窄的测量线宽 (FWHM) 是通过拍频测量获得的，在测量时间为 1 s 时为 4.2(17) Hz，代表了钛宝石激光器线宽的上限。在参考腔下方安装隔振板后实现了这个最窄的线宽。对已安装的光纤噪声消除和激光强度稳定装置的分析表明，光纤和激光强度噪声不会限制最窄的测量线宽。还利用其他频率稳定激光器的拍频测量来获得稳定激光器频率漂移的值，测量结果为 -371(3) mHz/s。
光子整合大型体积Brillouin Lasers
在集成的单模式激光器中生成超低线宽和高输出功率仍然是未来紧凑，便携式，精度应用程序的关键挑战。moreso，在激光设计中实现了这些特征，使缩放能够缩放降低线宽和更高的功率，并在晶圆尺度集成平台中实现，该平台可以从可见光到近IR运行，并与其他组件集成。这样的进步可能会影响广泛的应用，包括原子和量子传感和计算，计量学，相干纤维通信和传感以及超低噪声MMWAVE和RF生成。然而，在集成的激光器中实现这些目标仍然难以捉摸。在这里，我们报告了一类集成的激光器，可以克服这些限制，并证明了31 MHz瞬时线宽，这是迄今为止我们最好的最低线宽，具有41兆瓦输出功率和73 dB SideMode抑制比例，并且可以通过22.5 nm范围调节。由于在较大的模式体积，非线性光子声子，MHz-scale-fsr，超低损失硅氮化物谐振器腔内发生的Brillouin非线性动力学，因此可以进行这种性能。这种激光设计可以扩展到MHz基本线宽和瓦特类激光器的新工作状态。这样的激光有望解锁对精度量子实验，便携式精度应用以及原子，分子和光学物理学的新灵敏度和保真度。
Douglas E. Thornton、Davin Mao、Mark F. Spencer、Christopher A. Rice 和 Glen P. Perram，“数字全息术实验中时间相干性降低
摘要。为了模拟多纵向模式和中心频率快速波动的影响，我们分别使用了正弦相位调制和线宽加宽。这些效应使我们能够降低主振荡器激光器的时间相干性，然后我们将其用于进行数字全息实验。反过来，我们的结果表明，相干效率随条纹可见度二次下降，并且我们的测量结果与我们的模型一致，正弦相位调制的误差在 1.8% 以内，线宽加宽的误差在 6.9% 以内。© 作者。由 SPIE 根据 Creative Commons Attribution 4.0 Unported 许可证发布。分发或复制本作品的全部或部分内容需要完全署名原始出版物，包括其 DOI。[DOI：10.1117/1.OE.59.10.102406]
时间相干性降低的数字全息实验
摘要。为了模拟多纵向模式和中心频率快速波动的影响，我们分别使用了正弦相位调制和线宽加宽。这些效应使我们能够降低主振荡器激光器的时间相干性，然后我们将其用于进行数字全息实验。反过来，我们的结果表明，相干效率随条纹可见度二次下降，并且我们的测量结果与我们的模型一致，正弦相位调制的误差在 1.8% 以内，线宽加宽的误差在 6.9% 以内。© 作者。由 SPIE 根据 Creative Commons Attribution 4.0 Unported 许可证发布。分发或复制本作品的全部或部分内容需要完全署名原始出版物，包括其 DOI。[DOI：10.1117/1.OE.59.10.102406]
八nB层完全平面的150 nm节点...
•为了基于SC2节点，我们使用自换连接器和150 nm的电感器设计测试电路，并进行了制造和测试，例如DC-SFQ和SFQ-DC转换器，平衡比较器，SFQ和QFP逻辑，Ac-Ac-ships exhips cubsister，Ac-Ac-ships expressers，Ac-Ac-ships Expisters等。，我们通过在最接近堆栈中JJ层的NB层上实现了150 nm线宽电感的单层通过在NB层上实现150 nm线宽电感的单层，从而证明了电路密度的增加约2倍。对于具有600-µA/µm 2自换的约瑟夫森连接的移位寄存器，我们达到的电路密度为1.3∙107 JJS/cm 2，因此超过了每1 cm 2芯片的10m JJS阈值，在大尺度超尺寸超大型电子系统中应用所需的集成量表所需的集成规模所需。
AFRL 的高功率全光纤激光器
• 需要光束组合以进一步提高功率 • HP 工业光纤激光器：带宽（~5-10nm）-> 不可光束组合；或多模光纤（强度降低）-> 光束质量 (BQ)/亮度较差 • 可光束组合光纤：需要窄线宽和单模 BQ
双激子中单光子的级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a ，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b ，56 µ m × 56 µ m 范围内 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等高线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c ，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV (P1) 和 1.7206eV (P2)。d ，P1 和 P2 的提取线宽，绘制为激发功率的函数。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的分辨率受限线宽。e，P1 和 P2 的光子发射积分计数随着
双激子级联发射单光子...
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的设备示意图。 b ，在 56 µ m × 56 µ m 上，能量范围在 1.525eV 和 1.734eV 之间的光致发光强度云图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c ，WSe 2 单层中局部发射极在 4.5K 下的光致发光光谱，随着激光功率的增加显示出不同的发射行为，以 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）处的峰值为主。d ，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，P1 和 P2 的光子发射的积分计数随着激光功率的增加显示出超线性和亚线性行为