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双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
补充说明 - 用激光加速的离子脉冲的硅缺陷工程
在补充图2中，我们与主要文本中图8的PL结果进行了补充，其中的SIMS深度剖面是碳，氧气和氢的样品，这些含量已接收了两种激光 - 离子脉冲。SIMS深度曲线是在PL光谱较早采集的样品中的同一区域中采用的。我们观察到质子辐照的G-中心横梁斑点区域外的质子辐射，该区域已被铝箔覆盖，A）。在碳浓度升高的区域中，我们看到的W-中心具有狭窄的线宽分布和G-Centers的分布扩展，b）。热预算和离子通量最高的区域显示W-Center合奏，线宽略有宽，c）。来自高通量区域（C）的SIMS轮廓的形状表明由于去角质的发作，表面粗糙度增加。
高Q窃窃私语模式微孔子微孔子用于激光频率锁定在近粉状光谱范围内
摘要 - 这项研究对近紫外光谱中的低语画廊模式（WGM）微球光学特性进行了全面分析，并通过频率锁定来减少激光线宽的实际实现。由于利用了坚固的角度抛光纤维，可以实现光耦合，从而探索了各种耦合行为。固有的Q 0-因子，在2下测量。2×10 8，以及7个技巧。3×10 4，在420 nm处报告。讨论了导致Q 0-因素的物理机制，并绘制了改善性能的路线。通过将频率锁定到WGM微孔的高Q共振上，已经获得了外部空腔二极管激光从887 kHz降低到91 kHz的线宽。对这些结果的研究将绩效评估带来，从而对局限性有透彻的了解并确定增强降噪的潜在途径。如此高的Q因子和高技巧是简化基于WGM微孔子的光子设备的关键要素。
INP高功率单一集成了可调的激光和SOA阵列，用于混合集成
摘要：我们提出了一个基于INP的光子积分电路（PIC），该电路（PIC）由广泛可调的激光主振荡器组成，该电路供应一系列集成的半导体光放大器，这些放大器是在单模式波导中进行干涉式芯片的。我们展示了稳定且有效的片上相干束组合，并从单片PIC中获得高达240 MW的平均功率，其中30-50 kHz Schawlow-townes线宽，并且在整个延伸的C波段中均具有> 180 MW的平均功率。我们还探索了基于INP的激光和放大器阵列PIC的混合整合，并具有高质量的氮化硅微孔谐振器。，我们根据来自硝基硅微孔子芯片的反馈形成的外部空腔中的外部空腔中的干涉放大器阵列的增益观察激光；这种配置导致Schawlow-townes线宽缩小到约3 kHz，在SIN输出方面的平均功率为37.9 MW。这项工作展示了一种用于高功率，狭窄线宽源的新方法，该方法可以与芯片单模波导平台集成，以用于非线性集成光子学中的潜在应用。
具有高级...
具有超低基础线宽和高输出功率的光子积分激光器对于精确原子和量子应用，高容量通信以及纤维传感非常重要，但晶圆尺度的解决方案仍然难以捉摸。在这里，我们报告了一个基于光子分子耦合谐振器设计的集成刺激性刺激性刺激性激光器（SBL），该设计实现了C频段中具有超过10 mW输出功率的低于100-mHz的型号延伸，在200 mmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmmm的范围内（Si 3 n n n 4 4）cmos cmos comcale comcale comcale-comcale comcale compation。Photonic分子设计用于抑制二阶Stokes（S2）发射，从而使初级激光模式随着泵功率增加而没有相位噪声从较高的stokes订单中增加。嵌套的波导谐振器具有1.84亿个固有和9200万个加载Q，比先前的光子分子的数量级改进，可以在S2频率下进行198 MHz的精确谐振分解。我们演示了S2-抑制的单模SBL，最小基本线宽为71±18 MHz，对应于23±6-MHz 2 /hz白频率 - 噪声底层，比先前的集成SBL低一个数量级，并具有11英里 /小时的POUT-POUT POUT-PUT-POUT POUT-POUT POUT和2.3-MW THELENSHOLD PARE。频率噪声从2-kHz到1-MHz偏移到达谐振器内部的热浪费噪声。激光相噪声在10英里处偏移时达到-155 dbc/hz。©2023 Optica Publishing Group这种芯片SBL的性能不仅表现出有望提高可靠性并降低尺寸和成本的希望，而且还可以实现需要高速操纵，控制和质疑原子和Qubits的新精确实验。Realization in the silicon nitride ultra-low loss platform is adaptable to a wide range of wavelengths from the visible to infrared and enables integration with other components for systems- on-chip solutions for a wide range of precision scientific and engineering applications including quantum sensing, gravit- ometers, atom interferometers, precision metrology, optical atomic clocks, and ultra-low noise microwave 一代。
改善囚禁离子量子比特的相干量子控制
量子计算面临的挑战之一是由于噪声引入的相位随机化导致相干性丧失。对于基于离子阱的量子计算机，相干性受到磁场波动和用于量子比特操作的激光器线宽的限制。本论文致力于通过使用永磁体改善磁场稳定性来增强相干性，并建立一个测试装置来减少光纤激光线宽的加宽。以前使用线圈来产生磁场。它们的稳定性受到电流驱动器噪声的限制。为了提高磁场稳定性，线圈已被永磁体取代。设计了两个固定永磁体的框架，并进行了 3D 打印，然后安装在实验中。安装后，使用 Ramsey 测量法获得 1 / √ e 相干时间 τ sens = (489 ± 21) µ s 和 τ insens = (1540 ± 80) µ s，用于量子比特状态的塞曼子能级之间对磁场的更敏感和更不敏感的跃迁，而使用线圈时，τ sens = (491 ± 25) µ s 和 τ insens = (1254 ± 53) µ s。从这些结果中，我们能够推断出磁场和激光频率波动的均方根 (RMS)，无论是在使用线圈还是永磁体时，p