XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemlinewidth
浅施主电子顺磁共振分析
我们通过电子顺磁共振（EPR）光谱研究了n型Si掺杂-Ga 2 O 3块体样品的传导机制，并证明了室温下GHz频率范围内的载流子动力学。Si浅施主EPR和传导电子自旋共振（CESR）光谱表现出不寻常的线宽和线形温度依赖性，这表明了可变范围的跳跃传导和施主聚集。EPR信号强度的温度依赖性可以用40K以下和40K以上温度范围内能量为4meV和40meV的两个热激活过程来拟合。40meV的值归因于Si浅施主的电离能，表明跳跃通过导带进行。在T=130K以上和室温以下，可以观察到传导电子自旋共振（CESR），线宽B<1G减小，这表明自旋翻转散射可忽略不计。为了说明 Ga 2 O 3 中浅施主的异常行为，我们分析了 ZnO 中的氢浅施主，我们观察到了不同的“经典”行为，其特点是施主在 40K 以下定位，在 T=90K 以上导带中发生热电离。在 ZnO 中，由于高温下谱线过度增宽，因此只能在 90K 的小温度范围内观察到 CESR。
混合光子电路中人造原子的大规模整合
开发量子计算机和远程量子网络的核心挑战在于在许多可控的量子位上的纠缠分布1。钻石中的颜色中心已成为领先的固态“人造原子” Qubits 2,3，实现了按需远程纠缠4，对超过10多个Ancillae Qubits的连贯控制，并具有长时间的连贯性时间5和内存增强的量子通信6。关键的下一步是将大量人造原子与光子体系结构相结合，以实现大规模量子信息处理系统。迄今为止，这些努力因量子不均匀性，低设备产量和复杂的设备要求所困扰。在这里，我们在光子积分电路（PIC）上引入了“量子微芯片”的高收益异质整合 - 含有高度相干色中心的钻石波导阵列。我们使用此过程来实现128个通道缺陷阵列的葡萄球菌和硅离面彩色中心。光致发光光谱显示出长期稳定且狭窄的平均光学线宽为54 MHz（146 MHz），用于锗胶囊（硅 - 胶囊）发射器，接近32 MHz（93 MHz）的终身限制线宽（93 MHz）。我们表明，可以通过在没有线宽降低的情况下进行超过50 GHz的整合调整，可以在原位补偿各个颜色中心光学转换的不均匀性。能够将大量几乎无法区分和可调的人造原子组装成相稳定的图片的能力标志着迈向多重量子repeaters 7,8和通用量子量子处理器9-12的关键步骤。
基本激光
Basics of lasers & laser properties: Interaction of light with matter (Absorption, spontaneous and stimulated emissions), Einstein coefficients and light amplification, Einstein coefficients and finding their relationships, Population inversion, Laser rate equations, Three-level, and four-level laser systems, Optical resonators, Axial and transverse modes, Q-switching and mode locking,激光，时间相干性，空间相干性，单色性，方向性，亮度，线宽，激光辐射和可调性的聚焦特性的相干性能。激光的类型：掺杂的激光器（固态激光器）：ND Ruby Laser：YAG和ND：玻璃激光器，气体激光器：原子激光器：He-ne Laser；离子激光器：氩激光；分子激光器：二氧化碳激光，氮激光器和准分子激光；液体染料激光;半导体激光器。
光纤光流体激光和传感的最新进展
摘要：光纤光流控激光器（FOFL）将光纤微腔和微流控通道集成在一起，为传感应用提供了许多独特的优势。FOFL不仅继承了激光器的高灵敏度、高信噪比和窄线宽等优点，而且还具有光纤独有的易于集成、高重复性和低成本的特点。随着新型光纤结构和制备技术的发展，FOFL成为光纤传感器的重要分支，尤其适用于生化检测。本文综述了FOFL的最新进展。我们主要关注光纤谐振器、增益介质和新兴的传感应用。还讨论了FOFL的前景。我们相信FOFL传感器为生物医学分析和环境监测提供了一种有前途的技术。
重新审视 N-DMBI 对 n 型有机材料的掺杂机制及其在热电应用中的应用：光激活、热激活和空气稳定性
图 5：(a) n 型聚合物（区域随机 x+y，其中 x：R 1 =C 12 H 25 ，R 2 =H；y：R 1 =H，R 2 = C 12 H 25 ）和 N-DMBI 的化学结构，用于证明 O 2 消耗。 (b) 掺杂 P（FBDOPV-2T-C 12 ）的 ESR 光谱，在室温下于 t0 搅拌（黑线），在 100°C 下搅拌 5 至 90 分钟，在室温下之后（红线），溶于无水氯苯（ESR 管在充满氩气的手套箱中制备，O 2 < 10 ppm，黑暗条件）。信号（c）线宽和（d）强度（双重积分）随室温下于 t0 搅拌时间的变化
b'在室温下，已证实 GaN 半导体中 1.5 \xce\xbc m 电信波长的稀土激光作用。我们已报道了在上述带隙激发下，通过金属有机化学气相沉积制备的 Er 掺杂 GaN 外延层产生的受激发射。使用可变条纹技术，已通过发射强度阈值行为作为泵浦强度、激发长度和光谱线宽变窄的函数的特征特征，证实了受激发射的观察。使用可变条纹设置，在 GaN：Er 外延层中已获得高达 75 cm 1 的光增益。GaN 半导体的近红外激光为光电器件的扩展功能和集成能力开辟了新的可能性。'
b'在室温下，已证实 GaN 半导体中 1.5 \xce\xbc m 电信波长的稀土激光作用。我们已报道了在上述带隙激发下，通过金属有机化学气相沉积制备的 Er 掺杂 GaN 外延层产生的受激发射。使用可变条纹技术，已通过发射强度阈值行为作为泵浦强度、激发长度和光谱线宽变窄的函数的特征特征，证实了受激发射的观察。使用可变条纹设置，在 GaN：Er 外延层中已获得高达 75 cm 1 的光增益。GaN 半导体的近红外激光为光电器件的扩展功能和集成能力开辟了新的可能性。'
共振声子-磁振子耦合的直接成像
声子的探测对于研究共振耦合的磁振子与声子的相互转化至关重要。本文我们报道了通过微聚焦布里渊光散射在 Ni/LiNbO 3 混合异质结构上直接可视化磁振子和声子的共振耦合。表面声子的静态图样源于入射波 𝜓 0 (𝐴 0 , 𝒌, 𝜑 0 ) 与反射波 𝜓 1 (𝐴 1 , −𝒌, 𝜑 1 ) 之间的干涉，由于磁振子-声子耦合，磁场可以调制表面声子的静态图样。通过分析从布里渊光谱中获得的声子信息，可以确定磁振子系统（Ni 薄膜）的性质，例如铁磁共振场和共振线宽。该结果提供了关于耦合磁振子-声子系统中声子操控和检测的空间分辨信息。