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在嘈杂环境中调整单个和多个量子发射器的光谱特性
动态环境中的量子发射器的能级可能会随着波动的浴液而不受控制地漂移。这会导致发射和/或吸收光谱分布在很宽的频率范围内，并对各种应用构成挑战。我们考虑一个量子发射器，它处于一个能级改变的环境中，因此发射频率由给定平均值周围的高斯随机分布表示，给定标准差和相关时间。我们研究了该系统在受到周期性有限宽度π脉冲序列影响时的发射光谱。我们表明，这种外部场协议可以通过将大部分发射光谱重新聚焦到脉冲载波频率上来有效克服该系统中的光谱扩散。我们进一步考虑了不同噪声环境中的两个这样的发射器，发现通过在两个系统上应用有限宽度脉冲序列可以使双光子干涉操作变得高效。最后，我们展示了一组名义上相似的发射器，每个发射器都有不同的环境，因此发射频率会随机偏移，其整体发射光谱可以重新聚焦到具有明确中心峰的线形上，该峰的线宽与单个孤立无噪声发射器的线宽相同，而这些发射器各自具有不同的环境，因此发射频率会随机偏移，其整体发射光谱本来会根据随机分布不均匀地加宽。这些结果表明，对于这种特定的噪声环境模型，外部控制协议可以保护光谱特性，这里用有限宽度脉冲的周期性序列来表示。
硅光子微电机电系统在铸造过程中的加载环谐振器
抽象的光子加载量滤波器是在光纤通信系统中实现波长多路复用（WDM）的关键组件。光子整合的最新进展表明，在芯片上将光子附加电源过滤器与高性能光子构建块一起集成的潜力，以构建WDM的紧凑型和复杂的光子积分电路。通常，实现基于具有集成加热器或基于自由载体分散调节器的微环谐振器，以调整滤波器波长。然而，加热器遭受高功耗，自由载体会导致光吸收损失，从而限制了向非常大尺度电路的可扩展性。我们演示了基于垂直移动的MEMS式环共振器的紧凑型加载滤器的设计，仿真，制造和实验表征。在IMEC的ISIPP50G硅光子平台中实现了MEMS驱动的加载滤波器，并使用短的后处理流程实现，以在晶圆级兼容的过程中安全释放悬挂的MEMS结构。滤波器在1557.1 nm处表现出约1 nm（124.37 GHz）的端口宽度，并保留了20 dB的端口灭绝，端口隔离率在驱动电压的27 V下> 50 dB。低功率消耗和紧凑的足迹的组合证明了在光子cirit中非常大规模整合的适用性。©作者。由SPIE在创意共享归因4.0国际许可下出版。[doi：10.1117/1.jom.2.4.044001]全部或部分分发或复制此工作需要完全归因于原始出版物，包括其DOI。
用于异质集成
i n [1]，已报道了多个芯片在重新分布层（RDL）（RDL）上的设计，材料，过程和组装 - 首先是带有风扇淘汰面板级包装（FOPLP）的第一个基材。RDL-第一个底物[1]在临时玻璃载体上制造，由三个RDL组成，其金属层线宽和间距（L/S）等于2/2、5/5和10/10 m m。由于工艺顺序（2/2 m M金属L/sift，5/5 m m秒和10/10 m m三分之一）在制造RDL-第1个基材时，需要将RDL-FIR-FIRSTRATE转移到另一个临时载体上。然后，将第一个临时玻璃载体拆除，并执行芯片到基底键合，以便可以将芯片直接连接到2/2-M M Metal L/S RDL。然而，由于第二辆载体的粘结和第一个载体的拆卸导致了较大的扭曲，因此焊接质量质量的芯片在RDL底物上的产量非常低。因此，在[1]热压缩键中，一次使用一个芯片。在这项研究中，提出了制造RDL底物的新工艺顺序（10/10 m M Metal L/siftim，第一个，5/5 m m秒和2/2 m m三分之二）。在这种情况下，无需将RDL衬底转移到另一架载体上，然后首先通过小强度的热压缩芯片到rdl-substrate键合，然后立即焊接所有芯片的质量。通过滴测试证明了异质集成包的印刷电路板（PCB）组件的可靠性。讨论了结果和失败分析。
波长不敏感和无损50:50定向耦合器
定向耦合器（DCS）在具有多功能应用（例如电源拆分，调制和波长施用）多路复用等多功能应用中起关键作用。然而，由于分散而引起的固有波长依赖性对使用DC构成了带宽的限制。尤其是50:50 DC仅在一个波长下实现此比率。这种意外的耦合变化显着降低了许多硅光子应用的性能。在寻求实现宽带50:50 DC时，已经探索了各种计划。值得注意的是，已经提出了基于模式进化的绝热DC，其中输入波导中的光在DC中的均匀或奇数模式在50:50分裂[1]中均具有均匀或奇数。绝热DC是固有的较长设备，可能会超过300 µm，并且经常表现出高度损失。另一种设计策略采用了非对称DC，利用不同宽度的波导来降低波长依赖性。尽管具有潜力，但这些设计对线宽变化高度敏感，并且制造不耐症[2]。实现宽带功能和制造公差在硅光子学中构成了重大挑战，这主要是由于纳米级维度和高指数对比度[3]。最近，弯曲的DC（不对称DC的子集）已成为可行的解决方案[4]。他们提供宽带耦合，这是一个相对紧凑的足迹，同时保持较高的制造耐受性。通过弯曲波导的不对称引入消除了对不同波导宽度的需求，因此解决了在具有不对称波导宽度的DC中观察到的制造灵敏度。由于不对称性，不再是不可能的，与在对称的直接直流中耦合相反，这会导致非单调耦合与波长，并且可以设计为实现最大值
![b'figure 1。类似药物的小分子与miR21结合。我们基于共同的2--（（5-（5-（5-（piperazin-1-基）吡啶素2-基）氨基）吡啶[3,4-D]吡啶蛋白-4（3H） - 一种结构，我们合成了一系列密切相关的化合物。两种称为45（a）和52（b）的化合物在中间NM范围内具有很强的结合活性。通过移动单个氮的位置产生的化合物（表1）显示出显着降低的亲和力（5-10倍差）（C）。进行了1d 1 H NMR配体检测到的滴定，以评估候选化合物的结合：将浓度的RNA添加到含有100 m的小分子的溶液中，该溶液中含有50 mM pH 6.5的50 mM脱位Tris的小分子，以及250 mm nacl，50 mm kcl，50 mm kcl和2 mm kcl和2 mm mmmgcl 2。随着量增加的小分子与RNA结合，1 h线宽增加，NMR峰高度相应降低。相对于内标（DSA），从峰高的降低降低计算结合小分子的比例。曲线的饱和度为1，表明存在具有子-UM亲和力的主要单位位点。相比之下，无关的RNA结合化合物Palbociclib以低得多的值饱和，并显示了几乎线性滴定曲线，这表明了非特异性结合（有关所有测试化合物的结构，请参见表1）。可以通过拟合数据](/simg/g:\will\search\icon\source\a\a5e6054f458942da9d0fd315e2dff3ce571b5880.webp)
b'figure 1。类似药物的小分子与miR21结合。我们基于共同的2--（（5-（5-（5-（piperazin-1-基）吡啶素2-基）氨基）吡啶[3,4-D]吡啶蛋白-4（3H） - 一种结构，我们合成了一系列密切相关的化合物。两种称为45（a）和52（b）的化合物在中间NM范围内具有很强的结合活性。通过移动单个氮的位置产生的化合物（表1）显示出显着降低的亲和力（5-10倍差）（C）。进行了1d 1 H NMR配体检测到的滴定，以评估候选化合物的结合：将浓度的RNA添加到含有100 m的小分子的溶液中，该溶液中含有50 mM pH 6.5的50 mM脱位Tris的小分子，以及250 mm nacl，50 mm kcl，50 mm kcl和2 mm kcl和2 mm mmmgcl 2。随着量增加的小分子与RNA结合，1 h线宽增加，NMR峰高度相应降低。相对于内标（DSA），从峰高的降低降低计算结合小分子的比例。曲线的饱和度为1，表明存在具有子-UM亲和力的主要单位位点。相比之下，无关的RNA结合化合物Palbociclib以低得多的值饱和，并显示了几乎线性滴定曲线，这表明了非特异性结合（有关所有测试化合物的结构，请参见表1）。可以通过拟合数据
b'figure 1。类似药物样的小分子与MIR21结合。我们基于常见的2--（（5-（5-（piperazin-1-基）吡啶-2-基）氨基）吡啶[3,4-D]吡啶蛋白-4（3H） - 一种结构，并分析了它们与PRE-MIR-21结合使用通用NMR ASSAIN 1，2。在NM中部范围内，称为45（a）和52（b）的两种化合物具有很强的结合活性。通过移动单个氮的位置产生的化合物（表1）显示出明显降低的亲和力（5-10倍差）（C）。1 H NMR配体检测到的滴定，以评估候选化合物的结合：将浓度的RNA添加到含有100 m小分子的溶液中，该溶液中含有50 mM pH 6.5的氘化TRI的缓冲液中的小分子，以及250 mm NACL，NACL，50 mm KCL，KCL和250 mm KCL和2 mmmmmmmmmgcl 2。随着增加量的小分子与RNA结合，1小时线宽增加，而NMR峰高相应降低。相对于内标（DSA），从峰高的降低降低来计算结合小分子的分数。曲线饱和为1的值表示存在具有子-UM亲和力的主要单位位点；相比之下，无关的RNA结合化合物Palbociclib以低得多的值饱和，并显示了几乎线性滴定曲线，这表明了非特异性结合（有关所有测试化合物的结构，请参见表1）。可以通过将数据点拟合到结合等温线来计算近似结合常数。化合物52的数据拟合对应于近似K d = 200 nm，而化合物45和49（表1）均具有K d = 600 nm。
![arXiv:2310.18256v2 [physics.atom-ph] 2024 年 3 月 22 日](/simg/g:\will\search\icon\source\3\378195e596fbf4cc9b3980eab31ee648a58f4111.png)
arXiv:2310.18256v2 [physics.atom-ph] 2024 年 3 月 22 日
到 20 世纪 80 年代末，人们发现 NO 在哺乳动物系统中发挥着重要作用 [1-3]。1998 年，Murad、Furchgott 和 Ignarro 因他们的发现获得了诺贝尔生理学或医学奖 [4]，这最终为广泛的研究领域铺平了道路 [5]，涉及对不同类型癌症的研究结果 [6-9] 以及 NO 在炎症等免疫反应中的作用 [10]。1991 年，Gustafsson 等人发现 NO 也是呼出气的一部分 [11]，后续研究表明，当出现哮喘、过敏症等疾病时，NO 浓度会发生变化 [12]。呼出气中的 NO 浓度处于低 ppb 水平，指南 [12] 建议，用于呼吸气体分析的传感器必须使用 10 ppb 至 100 ppb 范围内的样本进行校准。考虑到优先使用低气体量，这样的要求具有挑战性。例如，[12] 指出，患者必须以恒定流量呼气 10 秒，才能为现成的传感器获得约 300 毫升的空气量。在医学研究背景下，预计这个量会低得多。我们在 [13] 中展示了基于 NO 的里德伯激发的传感器的概念验证实验，该传感器能够检测到受制备限制的低于 10 ppm 的 NO 浓度，并且可在环境压力下操作。推断的灵敏度已经达到 10 ppb 范围。在该实验中，仅使用了脉冲激光系统。在本文介绍的实验中，仅使用连续波 (cw) 激光系统来激发 NO。由于 cw 系统的线宽，这可确保选择性检测。我们在本研究中的目标是了解传感器应用的后果。因此，我们研究了随着背景气体密度的增加，里德堡线的碰撞偏移和加宽。这使我们能够将我们的结果与
physrevb.109.075201.pdf
许多复杂的晶体在高温下表现出晶格导热率甚至增加，这偏离了传统的声子理论给出的传统1/ t衰减趋势。在本文中，我们预测Al 2 O 3的导热率与从室温到接近熔点（2200 K）的实验数据相匹配。发现晶格导热率是由声子，diffuson和辐射的贡献组成的。声子粒子导热性大约衰减〜t -t -1。14在考虑四频（4PH）散射以及对晶格常数和谐波和谐波力常数（AFCS）的有限温度校正之后。diffuson（带间隧穿）导热率大约增加到〜t 0。43。辐射导热率增加为〜t 2。51，由于随温度的呼声宽度增加而略小于〜t 3，这增加了光子消光系数并减少了光子平均自由路径（MFP）。在室温下，声子，扩散和辐射分别贡献约99、1和0％。在2200 K时，它们的贡献分别更改为61％，20％和19％。4PH散射在超高温度下很重要，将声子导热率降低了24％。在超高温度下，谐波和AFCS的有限温度软化效应最多增加了36％。我们还验证了绿色-Kubo分子动力学可以像Wigner形式主义一样捕获声子的粒子和波性质。在超高温度下，发现光子MFP在100 nm处，应考虑用于对薄膜的实验测量。在本文中，我们旨在增强对超高温度下复杂晶体中晶格导热率的理解，从而有可能促进对适合这种极端条件的材料的进一步探索。
基于量子点的溶液处理上转换光电探测器
量子点（QDs）具有窄线宽发射和可调带隙，因此在量子信息和光电子器件的开发中具有潜在价值1 – 3。尤其是胶体量子点（CQDs），它可以通过溶液处理获得，并用于光伏4 – 9、光发射10 – 14和光电检测15 – 20。上转换光电探测器将低能光子（例如红外线）转换为高能光子（例如可见光），用于红外成像（图1），而红外成像用于夜视、半导体晶圆检测、手势识别、三维成像和生物成像等应用21 – 25。然而，大多数红外光子上转换器件都是基于真空或高温沉积法22、24-33，这些方法与硅等电子材料不兼容，限制了它们在柔性电子产品中的使用。基于溶液处理材料的两端上转换光电探测器已经开发出来，但需要高开启电压并且光子对光子 (p-p) 效率低（低于 1.5%）30、34。在本文中，我们表明，通过设计电子传输层 (ETL) 可以创建两端溶液处理的红外上转换光电探测器，其总 p-p 效率为 6.5%，开启电压低至 2.5 V。我们的光电探测器的效率与外延生长半导体相当，与迄今为止报道的最高增益单片红外量子点上转换器相比，效率提高了五倍。此外，与之前的量子点上变频器相比，该器件的低开启电压降低了两倍以上。我们的器件由基于硫化铅 (PbS) QD 的光电探测器吸收层（红外）和基于硒化镉/硒化锌 (CdSe/ZnS) QD 的发光二极管 (LED) 层（可见光）堆叠而成（图 2a）。为了确保光电探测器层能够提供足够的光电流来驱动 LED 层，
Jules Michael Stuart -DTIC
在过去的几十年中，被困的离子已成为实现大规模量子信息处理的顶级竞争者之一。迄今为止，使用离子的实验达到了数十个离子量子位的水平，但是将离子添加到长链中的当前模型可能不会扩展到某些计算所需的数字。最近已经探索的替代架构是将离子排列在一个大数组中，以便可以将它们改组以在芯片周围传输量子信息。这种方法有望大大增加Qubits的数量，同时保持速度，忠诚度和连接性，但是随着这些阵列的规模的增加，控制系统的所需密度可能会与当前方法变得棘手。在本文中，我们探讨了经典控制技术与离子陷阱的集成，并研究了这是否可以提供所需的控制水平，以建立阵列体系结构作为通往更复杂的捕获离子量子计算机的更可行的路径。我们首先关注经典的低温电子将其整合到离子陷阱中，该陷阱用于控制离子的陷阱频率并表现出基本的运动。一个集成开关允许将离子与电压噪声的影响隔离。接下来，我们演示了刺激的布里鲁因散射（SBS）激光器以解决原子时钟协议中的离子的操作。在我们的实验中，SBS激光器的线宽与散装型稳定的激光具有相称的线宽，并且可能为在离子陷阱包装中产生高度连接光的路径。随后，我们探讨了光子波导和光栅耦合器的整合，这些耦合器可以在片上绕激光射线光，并将光聚焦到被困在芯片上方的离子上。考虑了流浪电场的效果，并且表征了综合光源的好处。在阵列架构中，能够在区域之间在区域之间运输离子而不引入过度的运动反应将很重要。我们提出了一种使用电路模拟的技术，以预延伸电压波形，以快速运输，并演示了旨在快速拆分和连接离子链的陷阱的基本操作。这里涵盖的研究有助于告知未来的离子陷阱架构决策，并为在这些不同技术之间进行进一步分析奠定了基础。
显微镜液体金属导体，用于可拉伸和透明的电子
，尤其是识别软导管技术。[3,4]甘露和甘露的液体金属（LMS）引起了人们的关注。[5]利用其接近室温的液体 - 固体相变（t = 29.8°C）和较大的电导率（> 3×10 6 s m-1），使用了LMS，通常嵌入有机硅载体中，作为伸展的电导导体，以携带电力和信息或传输器具有多个功能。[5-10]由于其综合流变性，弹性地下的LMS尚未被广泛用于可靠，高性能，微型电路，这是由于开发与基于晶相的微技术相兼容的构图技术的挑战。[11] LMS在暴露于空气时形成薄（≈1–3 nm厚），表面固体氧化物皮肤。[12–14]氧化物平衡LMS的高表面张力并允许大多数表面润湿。这种现象是阻止当今LM电子技术的大型工业规模整合的主要阻碍因素之一。已经开发了几种技术来克服LM膜导体的生产性限制。[11,15,16]在一种方法中，LM图案是通过破裂氧化物皮肤，形成所需形状并通过氧化物皮肤再生而稳定的。3D和转移印刷技术依赖于这种氧化物皮肤稳定化来证明具有微观分辨率的痕迹。也证明了基于激光消融的类似方法，用于制造可扩展和高分辨率的LM网格。[17–20]但是，这种方法尚未被证明与大区块（> cm 2）电路的兼容，或者不能对LM Morphology提供足够的控制，因此无法保证高可扩展性（> 30％）。[21]激光微加工可以使高分子LM导体跟踪到4 µm线宽，但这种“串行”技术与大金属化密度绘制不相容。在另一种方法中，氧化物皮肤的生长要么通过真空处理下的加工或化学去除以允许在粘附层上润湿LM以增加与基材的亲和力。通过在金属润湿层上选择性电镀LMS来形成可拉伸（> 100％伸长）和狭窄（5 µm）图案的图案。[22]但是，大区域上的高分辨率电路尚未实现。