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在早期发作痴呆症中获得了前药物的开放式新途径
在锂离子微生物中，三维Si纳米阳极的应用引起了人们对实现高容量和集成的储能设备的极大兴趣。将SI纳米线与碳结合起来可以通过帮助其在循环过程中的机械稳定性来改善阳极性能。在这里，我们将光刻，低温干蚀刻和热蒸发作为半导体技术中常用的方法，用于制造碳涂层的Si Nanowire阳极。将无定形碳添加到Si纳米线阳极对增加初始面积的容量有影响。但是，可以观察到第100个周期的逐渐减小到0.3 mAh cm -2。验尸后分析揭示了循环后Si纳米线阳极的不同形态。表明碳涂料可以帮助Si纳米线抑制其体积的膨胀，并减少原始Si Nanowire阳极中发现的过量产生的无定形Si颗粒。
中国对锂离子电池供应链的持有
电动汽车（EV）的电池生产需要一个能够支持各种原材料的供应链。锂，镍，锰和钴对于主要依赖于磷酸锂（LFP）和镍镍锰氧化物（NMC）载体的主要锂离子电池（LIB）技术特别重要。从地理上讲，全球供应非常依赖中国，预计竞争将加剧。鉴于此，有关全球竞争如何在公司层面表现出来的问题以及地区是否通过国内公司占据供应链中的份额仍未得到解答。通过分析每个供应链行业和各自的原材料背后的公司来解决这些问题。结果表明，中国，欧洲和美利坚合众国（美国）在整个供应链中表现出最明显的所有权，从而获得了采矿业中最大的外国股份。总体而言，中国在12个研究领域中总共有11个领先，其LFP生产的峰值高于98％。这种优势，再加上NMC生产中韩国，欧洲和日本的大量产出，后者代表了减轻供应链漏洞并实现更大的增长和主权的可行目标。
土壤中植物石中的碳固执有多重要？
抽象的背景和旨在被忽略的Ter-rimanial碳（C）池的忽略分数是与沉积在植物（Phytoliths）（所谓的植物）中的生物二氧化硅相关的。与主C池相比，此部分很小，但值得注意，因为它可能是长期的C下沉，因为植物可以保护有机C免受矿化的影响。但是，由于方法论和理论局限性，该主题都引起了争议和不清楚。范围我们旨在回顾这个主题，并特别强调：（i）与植物岩相关的C浓度范围； （ii）土壤植物植物保存和随后的有机碳矿化； （iii）植物内C隔离的全球估计值。最近的工作表明，[phytoc]可能比目前
锂离子电池的消防安全问题
如上所述，当过热，压碎或过度充电时，可以在锂离子细胞中产生气体，在某些情况下，它们的温度可能会突然升高。这会导致蒸气云的排气，其中包括氢，一氧化碳，二氧化碳和细胞中使用的有机溶剂非常小。第一响应者以前曾将这些云误认为是蒸汽或烟雾，但它们的组成意味着它们产生了蒸气云爆炸的潜力，这可能比初始火灾更具破坏性。可以在其网站上访问Safebatt项目的输出。
新型深紫外微型 LED 阵列推动无掩模光刻技术发展
光刻技术在集成电路芯片制造中发挥着至关重要的作用，是半导体和微电子工业的关键核心技术之一。20世纪90年代以来，低成本、高分辨率无掩模光刻系统成为先进光刻技术研究的热点。然而，该项前沿技术的专利主要掌握在欧洲、美国、日本和韩国手中，技术壁垒较高。
在锂提取中精确离子筛分的聚酰胺膜互层的纳米形态发生
纳米过滤（NF）提供了一种可扩展且节能的方法，用于从盐湖中提取锂。然而，由于其水合离子半径的紧密相似性，锂与镁的选择性分离，尤其是在镁浓度高的盐水中，仍然是一个重大挑战。有限的LI + / mg 2 +当前NF膜的选择性主要归因于对孔径和表面电荷的控制不足。在这项研究中，我们报告了结合功能化的磺化carge胶以调节界面聚合过程的层间薄膜复合材料（ITFC）膜的发展。该集成的层间在控制胺基单体的扩散和空间分布中起着至关重要的作用，从而导致形成致密的纳米条纹聚酰胺网络。与常规的TFC膜相比，这些结构改进，包括精致的孔径和减少负电荷可显着提高LI + /Mg 2 +选择性（133.5）和渗透率增加2.5倍。此外，纳米条纹结构优化了膜过滤区域，同时最大程度地降低了离子传输抗性，从而有效克服了离子选择性和渗透性之间的传统权衡。这项研究强调了ITFC膜在达到高锂纯度和恢复的潜力，为大规模从盐水中提取大规模锂的途径有前途的途径。
锂离子和锂离子电池中的碳
1 Fahad Bin Sultan大学，科学与人文学院，自然科学系，P.O。 Box 15700，Tabuk 71454，沙特阿拉伯王国2 Clermont Auvergne，CNRS，Sigma Clermont，ICCF，F-63000 Clermont-Ferrand，法国。 3CollègeDeFrance，Chimie du Solide等人 - UMR 8260 CNR，11 Place Marcelin Berthelot，75231 Paris，Paris，France。 Corpsontding作者： *KatiaGuérin博士1 Fahad Bin Sultan大学，科学与人文学院，自然科学系，P.O。Box 15700，Tabuk 71454，沙特阿拉伯王国2 Clermont Auvergne，CNRS，Sigma Clermont，ICCF，F-63000 Clermont-Ferrand，法国。3CollègeDeFrance，Chimie du Solide等人 - UMR 8260 CNR，11 Place Marcelin Berthelot，75231 Paris，Paris，France。Corpsontding作者： *KatiaGuérin博士
在针硅二极管上的保险丝二极管整体整合，用于新的故障安全转换器拓扑
在发生内部短路的情况下，使用Dual-Fuse和Auxilariary Crowbar开关断开故障的腿，然后是备用腿（图。1，红色虚线框）自发连接，从而可以连续操作。为了提高系统的可靠性和紧凑性，可以在功率半导体[5]，[6]组件（IGBTS，MOSFET等）上单层整合使用的熔断器，如图1（Fuse-On-transistor，蓝色虚线框）。在功率上的保险丝的集成分两个步骤进行了半导体组件。首先，熔断器，称为“独立保险丝”（图1，绿色虚线盒），由硅基板上的薄铜层（18 µm）制成，以研究组件的热和电气行为。
集中器光伏的三个结构互连模块
图5（a）显微镜顶视图在左键的发射极接触与右键的基本接触之间的互连。可以通过Su-8填充材料看到奇异的沟槽和基本前接触。（b）扫描电子显微镜倾斜的铝互连视图，该视图沉积在Su-8