首先,我要感谢我的博士导师兼主管 Robert König。他的指导、对科学和研究的热情和好奇心一直是我的灵感和动力源泉,我找不到比他更好的人和研究人员来指导我完成我的博士学位。接下来,我要感谢 M5 负责人 Michael Wolf,他成功地创造了一种美妙、高效、有趣的工作氛围,还要感谢我们的秘书 Silvia Schulz,她负责行政事务并与我们进行了多次愉快的交谈。由于这篇论文是一篇累积性论文,因此特色出版物至关重要,因此我要感谢我的合著者 Sergey Bravyi、Libor Caha、Robert König 和 Eugene Tang。与他们一起工作是我的荣幸,我很幸运能够向他们学习。总的来说,我在 M5 待过两次,所以我遇到了许多有趣、聪明的人,我很庆幸我可以称他们为同事和朋友。这些人包括我的“博士兄弟姐妹”Beatriz Cardoso Diaz、Shin Ho Choe、Margret Heinze 和 Stefan Huber,我的同事 Francesco Battistel、Libor Caha 和 Shangchun Yu,以及所有其他人:Zahra Baghali Khanian、Vjosa Blakaj、Andreas Bluhm、Ángela Capel Cuevas、Matthias Caro、Xavier Coiteux-Roy、Diana Conache、Pablo Costa Rico、Javier Cuesta、高丽、Paul Gondolf、Martina Gschwendtner、Lisa Hänggli、Markus Hasenöhrl、Anna-Lena Hashagen、Yifan Jia、李浩建、Tristan Malleville、Chokri Manai、Tim Möbus、Ion Nechita、Emilio Onorati、Michael Prähofer、Hjalmar Rall、Silke Rolles、Cambyse鲁泽、法尔津·萨利克、 Jeonghyeon Shin、Herbert Spohn、Daniel Stilck-França、Quirin Vogel、Simone Warzel 和 Amanda Young。他们让我在 M5 的时光成为一段美妙的体验,我将永远珍惜这段时光。我还要感谢我的博士导师 Andreas Johann,幸运的是,他从未干涉过任何不愉快的事情(根本没有这样的事情),院长办公室的 Lydia Weber 和 ISAM 协调员 Isabella Wiegand 都帮助我完成了博士论文的组织部分(尤其是在最后),还有我的治疗师 Martina Beck,她乐于助人、持续不断的支持给了我很大的帮助,我非常感谢她。我还要感谢我的好朋友 Rufat Badal、Bernhard Blieninger、Vincent Kar-bassioun、Maximilian Schiller、Dominik Stöger、Christoph Striegel 和 Andreas Wasmeier。最后,但并非最不重要的一点,我要感谢我的家人:我的父母 Brigitte 和 Helmut Kliesch、我的叔叔 Johann 和 Ludwig Rasch,以及我出色的姐妹 Elke、Marion 和 Christina Kliesch。
a MCIA Center, Electronic Engineering Department, Universitat Politecnica de Catalunya, Terrassa, Spain b Electrical Engineering Department, Faculty of Engineering, University of Mohaghegh Ardabili, Ardabil, Iran c Northumbria University, Electrical Power and Control Systems Research Group, Ellison Place NE1 8ST, Newcastle upon Tyne, United Kingdom d Center of research excellence in renewable energy and power系统,国王阿卜杜勒齐兹大学,吉达,沙特阿拉伯E建筑环境学校,麦克斯韦建筑室4楼4楼,萨尔福德大学,萨尔福德大学,索尔福德大学,索尔福德大学,M5 4WT,英国,
在图4,M1和M2的电路中是N型MOS晶体管,M3和M4是P型MOS晶体管。这些晶体管在CMOS拓扑中配置差分放大器,以最大程度地减少功率消耗[6]。偏置电路是由编程电流(I Ref)控制的镜电路(M5和M6),可为差分和通用源放大器提供适当的偏置电流。补偿电路涉及频率补偿的技术,其中使用这些技术的目的是避免产生正面反馈的意外创建,从而导致Op-Amp输出中的振荡并控制对单位步骤功能的响应[7]。频率补偿技术包括磨坊主补偿技术,无效电阻技术以及电压缓冲液或电流缓冲技术。
AJ Bell 包括 AJ Bell Holdings Limited 及其全资子公司。AJ Bell Management Limited 和 AJ Bell Securities Limited 由英国金融市场行为监管局授权和监管。所有公司均在英格兰和威尔士注册,注册地址为 4 Exchange Quay, Salford Quays, Manchester M5 3EE。AJ Bell 按“原样”采购 Morningstar 许可工具,不保证许可工具的性能或承担许可工具的责任。在法律允许的最大范围内,AJ Bell 不承担许可工具的责任,包括对任何许可工具性能的任何故障、中断、延迟或缺陷的责任,除非该责任直接由 AJ Bell 的疏忽引起。
AFA 3G,M5 FRAMATOME和Q12是美国或其他国家 /地区的Framatome或其分支机构的商标或注册商标。未经书面同意,禁止以任何形式以任何形式重现本出版物。可以针对任何违反上述禁令的任何人采取法律诉讼。如有更改,恕不另行通知,错误例外。插图可能与原始插图不同。所有声明,甚至与未来事件有关的陈述都基于出版之日提供的信息。它们既不应将其解释为质量或耐用性的保证,也不应将其保证或适合特定目的的保证。这些陈述即使以未来为导向,也基于发表之日提供的信息。只有个人合同的条款应具有我们产品和服务的类型,范围和特征的权威。
埃克塞特的经济增长越来越注重科学和知识型就业。其中最初的催化剂之一是 2003 年气象局迁入该市。M5 高速公路旁有一个大型国际科学园,这是埃克塞特大学、气象局、商业伙伴、地方当局和其他合作伙伴多年合作的成果。埃克塞特科学园的早期入驻者之一是价值 1 亿英镑的气象局超级计算机设施。这是世界上最强大的计算机之一,对该地区以环境科学为重点的研究和商业发展来说是一笔巨大的财富。埃克塞特拥有全球前 20 名超级计算机中的三台。此外,该学院继续与全市合作伙伴合作开展令人兴奋的计划,例如埃克塞特城市未来和宜居埃克塞特广场委员会。
温度特性 (以+20℃时的特性为标准) ±0.5%F.S. 以内 ±1%F.S. 以内 ±0.5%F.S. 以内 ±1%F.S. 以内 接口尺寸 注1 M5内螺纹+R(PT)1/8外螺纹 材质 外壳:PBT(含玻璃纤维)、LCD显示部:丙烯酸树脂、压力接口:SUS303、安装螺钉部:黄铜(镀镍)、开关部:硅橡胶 连接方式 连接器 电线长度 延长电线时,0.3mm2以上的电缆最长可达100m(CE标志对应时小于30m) 单位切换功能 仅海外支持 (−KA) (MPa、kPa、kgf/cm2、bar、psi、mmHg、inchHg) 重量 产品重量:约40g、含包装重量:130g
整个OP放大器的完整布局的面积为24960 UM 2,如图2所示。布局由三个主要块组成。第一个块是由M1,M2,M3,M4和M5组成的电流镜。此块如图3所示,区域为1386 UM 2。下一个块是由M6,M7,M8和M9组成的差分放大器。该块如图4所示,总面积为1027 UM 2。图4也显示了由CP和RP组成的米勒补偿电路。由于CP的电容较大,两个平行的电容器,宽度和长度为30UM,用于实现必要的电容值。最终块如图5所示,由M10和M11组成,除M12和RS之外,它们构成了共同的源放大器,而M12和RS构成了常见的排水放大器。该块的总面积为3841 UM 2。
a 索尔福德大学科学、工程与环境学院,曼彻斯特 M5 4WT,英国 b 苏伊士运河大学计算机与信息学院,伊斯梅利亚 41522,埃及 c 伊洛林大学信息与通信科学学院计算机科学系,伊洛林 240003,尼日利亚 d 埃及俄罗斯大学人工智能学院,开罗,巴德尔城,11829,埃及 e 埃及科学研究小组 (SRGE),埃及 f 祖鲁兰大学计算机科学系,夸德兰盖瓦,3886,南非 g 伊巴丹第一技术大学计算机与工业生产工程系,伊巴丹,200255,尼日利亚 h 法赫德国王石油矿产大学信息与计算机科学系,沙特阿拉伯 i 哈尔滨工程大学计算机科学与技术学院,哈尔滨 150001,中国
英文 (M 3 ) (FT 3 ) (M 3 ) (FT 3 ) (M 3 ) (FT 3 ) (M 3 ) (FT 3 ) (M 3 ) (FT 3 ) M1 350 9.91 75.7 2.14 30.9 0.875 10 0.283 M1.5 1 1240 35 265 7.5 16 3 35.3 1 M2 3500 99.1 757 21.4 309 8.75 100 2.83 M2.5 10 12,400 350 2,650 75 1,060 30 353 10 M3 35,000 991 7,570 214 3,090 87.5 1,000 28.3 M3.5 100 26,500 750 10,600 300 3,530 100 M4 75,000 2,140 30,900 875 10,000 283 M4.5 1000 35,300 1,000 247 7 M5 100,000 2,830 618 17.5 M5.5 10000 353,000 10,000 2,470 70 M6 1,000,000 28,300 6,180 175 M6.5 100000 3,530,000 100,000 24,700 700 M7 10,000,000 283,300 61,800 17,500
