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MWBE 利用计划 - 总务办公室
说明：本利用计划必须包含合同项下每个纽约州认证少数族裔和女性拥有的商业企业 (MWBE) 将提供的供应品和/或服务的详细描述。通过提交本计划，投标人/承包商承诺按照招标/合同中包含的 MBE/WBE 目标的要求，真诚地努力利用 MWBE 分包商、供应商和经销商。法律禁止在提交利用计划时或提交利用计划时提供虚假陈述或提供表明缺乏诚意的信息，并可能导致处罚，包括但不限于因故终止合同、失去提交未来投标的资格和/或扣留付款。不执行商业有用功能的公司可能不计入 MWBE 利用率。如有必要，请附上其他表格。投标人/承包商信息 MWBE 合同目标 投标人/承包商名称：NYS 供应商 ID：MBE %
MWBE 100利用计划教程 - 通用服务办公室
说明：此利用计划必须包含根据合同所提供的每个NYS认证的少数民族和妇女拥有的商业企业（MWBE）提供的供应和/或服务的详细说明。通过提交该计划，投标人/承包商承诺根据MWBE分包商，供应商和经销商的使用，按照招标/合同中包含的MBE/WBE目标的要求进行真诚努力。做出虚假陈述或包含信息，证明缺乏真诚或与之结合的信息，法律禁止使用利用计划的一部分或结合使用，并可能导致罚款，包括但不限于终止合同的损失，有资格的损失，有资格提交未来的竞标和/或与支付的持有。不执行商业有用功能的公司可能不计入MWBE利用率。必要时附加额外的床单。投标人/承包商信息MWBE目标在合同投标人/承包商名称中：NYS供应商ID：MBE％
订购美国 Compact 21 研究系统
Compact 21 系统将使已经配备 RIBER 机器的实验室能够通过在现有生产线上添加新的超高真空 (UHV) 室来增强其多功能性，并增加其工艺或与其他研究小组共享其设备。Compact 21 机器将通过结合 RIBER 开发的新一代蒸发器以及一系列仪器（包括 EZ CURVE 原位控制装置和 Crystal XE 过程控制软件），为用户提供增强的安全性、可靠性和易用性。这份新订单不仅证实了全球最畅销的研究 MBE 系统 Compact 21 系列的持续商业成功，还强调了 RIBER MBE 系统适用于最高标准的复合半导体研究。这份新订单将于 2024 年交付。关于 RIBER RIBER 是 MBE（分子束外延）设备的全球市场领导者。它为半导体行业设计和生产设备，并为客户提供科学和技术支持（硬件和软件），维护他们的设备并优化其性能和产出水平。RIBER 的设备加速了电子产品的性能，在先进半导体系统的开发中发挥着重要作用，这些系统用于从信息技术到光子学（激光器、传感器等）、5G 电信网络和包括量子计算领域的研究等众多应用。
基于模型的系统工程 (MBSE) 和 SysML 简介
“基于模型的工程 (MBE)：一种工程方法，使用模型作为技术基线的一个组成部分，包括整个采购生命周期中能力、系统和/或产品的需求、分析、设计、实施和验证。”
Debdeep Jena 的简历 - 康奈尔大学
他的研究小组的研究成果发表在 500 多篇期刊论文上，包括《科学》、《自然》、《物理评论快报》、《应用物理快报》和《电子设备快报》。作为 APS 和 IEEE 的研究员，他曾获得 2012 年 ISCS 青年科学家奖、2014 年 MBE 青年科学家奖、2024 年 Art Gossard MBE 创新者奖以及业界研究奖，如 2012 年 IBM 教师奖和 2020 年英特尔杰出研究奖。他曾在多个国家中心担任领导职务，例如 ME Commons NITRIDER、SRC/DARPA JUMP 中心、DOE EFRC、NSF DMREF 和 NSF EFRI。他的研究工作获得了多项专利和两家衍生公司（Soctera、Gallox）。耶拿的录制讲座已被观看超过 250,000 次，他 2022 年编写的教科书《半导体材料和器件的量子物理学》已被多所大学用作本科生和研究生的课程。
高弹性超导SRTIO3薄膜中的异常运输
对半导体转运的微妙影响的研究需要高质量密度的高质量外延结构。使用杂交分子束外延（MBE），低温迁移率超过42,000 cm 2 v -1 s -1的SRTIO 3膜在3×10 17 cm -3的低载体密度下进行。在第二个LIFSHITZ的过渡中观察到了残留电阻率突然而急剧下降，并伴随着超导过渡温度的增强，在该转变中，第三个带被占据，揭示了主要的内映射散射。这些薄膜进一步揭示了由于抗扭曲（AFD）过渡和霍尔散射因子的温度依赖性而导致霍尔载体密度的异常行为。使用混合MBE的生长，现象学模型，依赖温度的转运测量以及扫描超导量子干扰装置成像，我们提供了对srtio srtio srtio和超电导性能的Intera-Inter-trance inter-trance inty vtilus contrative contress inter-trance sctivation和AFD结构壁的重要作用的关键见解。
用于常关型 GaN HEMT 的新型纳米结构 P-GaN 栅极的设计优化
A. 具有 MBE 再生长 P-GaN 栅极的常关型 HEMT HEMT 结构的特点是具有 25 nm 厚的 AlGaN 势垒和 20 % 的铝率。首先，通过 PECVD（等离子增强气相沉积）沉积 100 nm 厚的氧化硅 SiO 2 层，作为 AlGaN 栅极蚀刻和选择性 GaN 再生长的掩模。在用 CF 4 RIE 蚀刻 SiO 2 层以确定栅极区域之后，通过 ICPECVD 对 AlGaN 层进行 Cl 2 部分蚀刻，条件如下：RF 功率为 60 W、压力为 5 mTorr 并且 Cl 2 流速为 10 sccm。蚀刻时间为 35 秒，去除了 19 nm 的 AlGaN。然后在 MBE（分子束外延）反应器中重新生长用镁（Mg）掺杂的 50 nm GaN 层，其标称受体浓度为 Na-Nd 为 4 x 10 18 cm -3。
实现海军数字化所需的最低标准化内容...
范围：MBE 标准必须提供规则和结构，以促进数字产品定义 (DPD) 及相关数据的创建和交换，以便在下游数据集（例如分析数据集和流程定义数据集）中重复使用，标准必须促进设计、分析、制造、检查、装配和所有其他生命周期活动之间的数据交换、共享和重用，而不管它们的起源系统如何。