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MV逆变器站：PV EBOP解决方案的核心
该链的亮点是MV逆变器站，其中包括开关设备，变压器和逆变器。Siemens凭借其广泛的SwitchGear组合，为任何气候提供了适合任何应用程序的正确解决方案 - 可靠且无维护。他们的室外外壳允许将这些开关设备安装在没有其他电台外壳的PV系统中。最新的逆变器可以在最高1,500伏的直流输入电压下操作。用于使用PV逆变器的专门优化的变压器确保可靠，有效地连接到中型电压网格。
S-19161A系列电池保护ICS-19161A系列电池保护IC
• High-accuracy voltage detection circuit Overcharge detection voltage 3.500 V to 4.800 V (5 mV step) Accuracy ±15 mV Overcharge release voltage 3.100 V to 4.800 V *1 Accuracy ±50 mV Overdischarge detection voltage 2.000 V to 3.000 V (10 mV step) Accuracy ±50 mV Overdischarge release voltage 2.000 V to 3.400 V *2准确性±75 mV放电过电流1检测电压5 mV至100 mV（0.5 mV步）精度±1.5 mV排放过电流2检测电压10 mV至100 mV至100 mV（1 mV步骤）精度±3 mV载荷量±3 mV载荷载荷量短，可检测20 mV至100 mV（1 mV）的精度3毫米1 mv 1 mv 1 mv 1 mv 1 mv 5 5 mv 5 5 mv 5 5 mv;步骤）准确性±10 mV电荷过电流检测电压-100 mV至-5 mV（0.5 mV步）精度±1.5 mV•仅通过内部电路（不必要外部电容器）生成检测延迟时间。•放电过电流控制功能释放出排出过电流状态的条件：负载断开释放电压过电流状态的电压：放电过电流释放电压（v riov）= v dd×0.8（typ。）•0 V电池充电：启用，抑制•功率功能：可用，不可用•高功能电压：VM PIN和CO PIN：绝对最大额定值28 V•宽操作温度范围：TA = -40°C至 +125°C•操作过程中低电流消耗量：2.0 µA typ，4.0 µA typ.4.0 µ µA typ。（ta = +25°C）在降压期间：最大50 Na。（TA = +25°C）过度过度：最大0.5 µA。（TA = +25°C）•无铅（SN 100％），无卤素•AEC-Q100的过程 *3 *1。过度充电释放电压=过度充电检测电压 - 过度充电磁滞电压（可以在50 mV步骤中选择为0 V或从0.1 V至0.4 V范围选择。*2。过度释放释放电压=过度放电检测电压 +过度放电磁滞电压（过度放电磁滞电压可以作为0 V或从100 mV步骤中的0.1 V至0.7 V范围选择。）*3。请联系我们的销售代表以获取详细信息。应用程序
S-821AA系列电池保护IC
本 IC 是锂离子 / 锂聚合物充电电池的高端保护 IC，包含高精度电压检测电路、延迟电路和三重升压充电泵，用于驱动外部充电 / 放电 FET。适用于保护 1 节锂离子 / 锂聚合物充电电池组免受过充电、过放电和过电流的影响。通过使用外部过电流检测电阻，本 IC 实现了高精度过电流保护，且受温度变化的影响较小。 特点 ● 高精度电压检测电路 过充电检测电压 3.500 V ～ 4.800 V (5 mV 进阶) 精度±15 mV 过充电解除电压 3.100 V ～ 4.800 V *1 精度±50 mV 过放电检测电压 2.000 V ～ 3.000 V (10 mV 进阶) 精度±50 mV 过放电解除电压 2.000 V ～ 3.400 V *2 精度±75 mV 放电过电流 1 检测电压 -3 mV ～ -100 mV (0.25 mV 进阶) 精度±1 mV 放电过电流 2 检测电压 -6 mV ～ -100 mV (0.5 mV 进阶) 精度±3 mV 负载短路检测电压 -20 mV ～ -100 mV (1 mV 进阶) 精度±5 mV 充电过电流检测电压3 mV ～ 100 mV（0.25 mV 进阶） 精度±1 mV 0 V 电池充电禁止电池电压 1.45 V ～ 2.00 V *3（50 mV 进阶） 精度±50 mV ● 过热检测功能：有、无 ● 带外置 NTC 热敏电阻的高精度温度检测电路（阻值：25°C 时 100 kΩ±1% 或 470 kΩ±1%，B 常数：±1%） 过热检测温度 +65°C ～ +85°C（5°C 进阶） 精度±3°C 过热释放温度 +55°C ～ +80°C（5°C 进阶）*4 精度±5°C ● 内置电荷泵：三重升压（调节电压 = V DD + 4.2 V） ● 检测延迟时间仅由内部电路产生（不需要外置电容器）。 ● 放电过电流控制功能 放电过电流状态的解除条件 : 断开负载、连接充电器 ● 0 V 电池充电 : 允许、禁止 ● 休眠功能 : 有、无 ● 省电功能 : 有、无 ● PS 端子内部电阻连接 通常状态下 : 上拉、下拉 省电状态下 : 上拉、下拉 ● PS 端子内部电阻值 : 1 MΩ ～ 10 MΩ (1 MΩ 进阶单位) ● PS 端子控制逻辑 : 动态 "H"、动态 "L" ● 高耐压 : VM 端子、CO 端子和 DO 端子 : 绝对最大额定值 28V ● 宽工作温度范围 : Ta = -40°C ～ +85°C ● 低消耗电流 工作时 : 6.0 µA 典型值、10 µA 最大值 (Ta = +25°C) 休眠时 : 50 nA 最大值 (Ta = +25°C) 过放电时 : 1.0 µA 最大值(Ta = +25°C) 省电时：50 nA（最大值） (Ta = +25°C) ● 无铅、Sn100%、无卤素 *5
S-8200A系列电池保护IC
高准确电压检测电路过度充电检测电压3.5 V至4.5 V至4.5 V（5 mV步）精度20 mV（TA = ta = c 25°C）精度25mV（TA =10°C至60°C）至60°C）至60°C至60°C释放了3.1 V至4.5 V *1 c ander vy v focure 2.0 cony 4 30 m V *30m V *30 mv *30 mv *30 mv * v（10 mV步）精度35 mV过度释放电压2.0 V至3.4 V *2精度50 mV排放过电流检测电压0.05 V至0.20 V至0.20 V至0.20 V（10 mV步骤）精度10 mV 10 mV电荷电荷过电压检测电压0.20V 0.20 V 0.20 V 0.05 V（25 mV）的准确度（25 mV）精确•25 mV sepry cecrutive cecrutive cecruct内部电路（外部电容器是不必要的）。准确性20％高使用的电压（VM PIN和CO PIN：绝对最大额定值= 28 V）0V电池电荷功能“可用” /“不可用”。Div>降低功能“可用” /“不可用”。广泛的操作温度范围TA =40°C至85°C操作过程中的低电流消耗2.8 A型，5.0a最大。（ta = c 25°C）在功率下降0.1a最大。（TA = 2 25°C）无铅（SN 100％），无卤素 *1。过度充电释放电压=过度充电检测电压过度充电磁滞电压（可以在50 mV步骤中选择为0 V或从0.1 V至0.4 V范围选择。*2。过度释放释放电压=过度放电检测电压chardycharge滞后电压（过度放电磁滞电压可以作为0 V或从100 mV步骤中的0.1 V至0.7 V范围选择。）应用程序
申请注释
•使用Syncropatch 384i平台进行了自动化的全细胞贴剂实验。•使用由500毫秒从-80 mV到+80 mV组成的电压协议监测TMEM175电流，然后使用500毫秒的步骤从-80 mV到+80 mV，然后返回到保持电位为0 mV之前。电压扫描，并以10 kHz采样电流。在-80 mV处获得的最大内向电流幅度，以及从坡道截面+80 mV处获得的最大外部电流振幅用于分析。•使用96孔，金涂层的传感器芯片，使用SURFE 2 R 96SE（Nanion Technologies）进行了固体支持的膜（SSM）电生理测量。•从非激活溶液（NA）到0 mV激活溶液的快速溶液交换，应用了底物梯度，以通过TMEM175激活电荷易位，并固定在金色涂层的传感器芯片上。
对全脑照射患者使用不同能量光子束和 MLC 阻断技术来增加头皮保护的剂量评估
简介全脑放射治疗 (WBRT) 是治疗脑转移瘤最有效的方法之一。全脑放射治疗通常采用 3D 适形计划，右侧和左侧光束排列，使用 6 兆伏 (MV) 光束能量。与高能光子束相比，低能光子束在表面水平分布的剂量更大。使用高能光子束 (15 MV) 治疗 WBRT 患者可以减少头皮剂量并提高患者的整体生活质量 (QOL)。方法该研究是对 10 名随机选择的全脑放射治疗患者的回顾性剂量分析。每位患者都有四个计划来比较 6 MV 与 15 MV 光子能量以及头皮保留技术与开放场技术。由于缺乏 IRB 批准，关键结构和头皮的剂量由首席研究员制作和分析。使用 IBM-SPSS Statistics 软件进行配对 t 检验，以检验组均值之间的显著性。结果结果表明，与 6 MV 计划和开放场技术计划相比，15 MV 计划和头皮保留计划的头皮剂量水平具有统计学意义的降低。与 6 MV 计划和头皮保留技术计划相比，15 MV 计划和开放场技术计划对大脑的剂量覆盖率更高。与 15 MV 相比，6 MV 对晶状体和视神经的剂量具有统计学意义的降低，而与 6 MV 相比，15 Mv 对腮腺的剂量具有统计学意义的降低。与开放场技术相比，头皮保留技术计划对晶状体和腮腺的剂量具有统计学意义的降低。结论通过使用头皮保留技术和/或使用更高能量的光子束（15 MV），可以显著减少头皮剂量，同时保持对大脑的足够覆盖。计划之间的关键结构剂量在临床上并不显著，并保持在其分配的公差范围内。未来的研究应该检查由于头皮剂量减少而导致的临床脱发和脱发的总体质量。
已发布版本的引用/已发布版本的引用 (APA)：Peelen, MV 和 Downing, P. (2023)。用 multiva 测试认知理论
过去几十年来，人类神经成像技术的发展引发了对人类各种认知能力的研究激增，包括感知、注意力、记忆力、导航、情感、社会认知、运动控制等等。与此同时，研究人员致力于从功能的角度理解心智——支持人类行为的认知表征和过程是什么？——他们经常问，神经成像是否能为这一理解层面的理论争论提供任何有用的答案 1–6 。在过去二十年里，研究人员越来越多地采用多元模式分析 (MVPA) 方法来设计和分析人类神经成像研究。MVPA 利用在 fMRI 实验中跨体素或 MEG 或 EEG 实验中跨通道分布的大脑活动模式中发现的潜在信息（图 1 ）。研究人员声称，这些方法将提供检验认知机械论的新方法 7–10 。本评论的目的是通过回顾最近的大量研究来评估这一说法，这些研究通过提出关于参与者在执行来自不同领域的任务时出现的大脑活动模式的假设来测试认知理论。
S-8211C系列电池保护IC
P Accuracy 100 mV Discharge overcurrent detection voltage 0.05 V to 0.30 V (10 mV step) Accuracy 15 mV Load short-circuiting detection voltage 0.5 V (fixed) Accuracy 200 mV Charge overcurrent detection voltage 0.1 V (fixed) Accuracy 30 mV Detection delay times are generated only by an internal circuit (external capacitors are unnecessary).准确性20％高使用的电压（VM PIN和CO PIN：绝对最大额定值= 28 V）0V电池电荷功能“可用” /“不可用”。Div>降低功能“可用” /“不可用”。广泛的操作温度范围TA =40°C至85°C操作过程中的低电流消耗3.0 A型，5.5a最大。（ta = c 25°C）在功率下降0.2a最大。（TA = 2 25°C）无铅，SN 100％，无卤素P *3 *1。过度充电释放电压=过度充电检测电压过度充电磁滞电压（可以在50 mV步骤中选择为0 V或从0.1 V至0.4 V范围选择。*2。过度释放释放电压=过度放电检测电压chardycharge滞后电压（过度放电磁滞电压可以作为0 V或从100 mV步骤中的0.1 V至0.7 V范围选择。）*3。有关详细信息，请参阅“产品名称结构”。应用程序