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商业社区在 MoCA 揭秘 - BizWest
柯林斯堡 — 他们通常说的第一句话是“我不是艺术家”。但参加柯林斯堡当代艺术博物馆第五届年度 MoCA 面具展的该地区商界成员却以一种连展览中的真正艺术家都欣赏的方式释放了他们的创作冲动。“今年他们真的挺身而出，”博物馆策展人兼项目总监珍妮·肖夫 (Jeanne Shoaff) 说。“他们都做了一些非常有创意的事情，很高兴这里能有这么多商界人士的代表。”MoCA 面具展已发展成为这家私人非营利博物馆的头号筹款活动，今年的目标是 10 万美元，比去年的 7.3 万美元总额增长了三分之一以上。“我并不是真正的艺术家，但我喜欢做这件事，”自第一届以来每年都参赛的柯林斯堡商业摄影师蒂姆·奥哈拉 (Tim O’Hara) 说。今年，他的作品《当我的吉他轻轻哭泣》延续了他从一开始就坚持的音乐主题。“我总是最后一个戴面具的人，而且我总是做摇滚主题，”奥哈拉说。“我做了平克·弗洛伊德的《月之暗面》，
揭露抑制作用会延长视网膜变性的神经元功能
平均TPMPA的标准误差1,2,5,6-四氢吡啶-4-基甲基磷酸磷酸wt野生型野生型的标准误差这是以下文章的同行评审版本：Wang，Q，Banerjee，S，S，So，C等。揭露抑制作用会延长视网膜变性小鼠模型中的神经元功能。FASEB期刊。2020; 34：15282–15299，已在https://dx.doi.org/10.1096/fj.202001315rr上以最终形式出版。本文可以根据Wiley的使用条款，条件和条件来使用自构造版本。未经Wiley的明确许可或根据适用立法的法定权利的明确许可，本文可能不会增强，丰富或以其他方式转化为衍生作品。版权声明不得删除，遮盖或修改。该文章必须链接到Wiley在Wiley在线图书馆上的记录版本，并且必须禁止第三方通过平台，服务和网站提供任何嵌入，框架或以其他方式提供其文章或页面。
photoMask
在每次迭代时，将重建对象 ^ o的绝对值与样本布局中的参考对象o进行比较。误差归一化为像素的总数。所有NAS的对象误差如图2所示。3。在探针更新启动后，在第100次迭代开始时，对于所有照明NAS，错误正在迅速衰减至稳定的水平。在该水平周围的波动，最适合下NA曲线可见，是差图算法所固有的，该算法通常达到接近最佳解决方案的稳态。7要找到最佳的图像重建，可以平均使用最后几个迭代的解决方案，或使用另一种算法（例如，从PIE-FAMILY 9）进行更多迭代，该算法更有可能收敛到全球迷你妈妈。我们观察到两个最小的NAS的较大对象误差，以及最大的三个照明NAS的较小对象误差。最大的NA（naillum = 0：050）观察到最低误差。从图。3，我们观察到较低的物体误差的趋势，因此具有较大的照明Na的样品重建更准确。
有障碍物和无障碍物的蒙面运动的预测
预测未来对于像智人这样的生物来说至关重要，他们生活在一个动态且不断变化的世界中。先前的研究已经证实，有意识的刺激可以导致无意识的预测。在这里，我们检查掩蔽刺激是否也能引起这样的预测。我们使用有障碍物和无障碍物的掩蔽运动来检查掩蔽刺激的预测。在六个实验中，使用连续闪光抑制 (CFS) 掩盖了一个移动物体。物体消失几百毫秒后，有意识的探测器出现在与掩蔽刺激一致或不一致的位置。在实验 1-3 中，运动是线性的，反应时间 (RT) 表明基于运动方向和速度的预测。在实验 4 中，被遮蔽的移动物体与障碍物相撞，然后消失。在这种情况下，预测应该反映偏转，而且反应时间确实揭示了对偏转路线的预测。在实验 5 和 6 中，我们介绍了一种在连续闪光抑制 (CFS) 期间使用眼动追踪的创新方法，并以眼球运动的形式报告了被遮蔽刺激引起的预测的生理证据。因此，我们得出结论，人类可以使用动态遮蔽刺激来产生对未来的主动预测，并使用这些预测来指导行为。我们还根据当前关于遮蔽呈现、潜意识感知和意识测量方法之间关系的科学讨论，讨论了这些发现的可能解释。
用于 EUV 光刻的光化图案掩模缺陷检测
随着极紫外 (EUV) 光刻技术进入大批量生产，半导体行业已将光刻波长匹配的光化图案化掩模检测 (APMI) 工具视为 EUV 掩模基础设施的主要空白。现在，已经开发出一种光化图案化掩模检测系统来填补这一空白。结合开发和商业化 13.5nm 波长光化空白检测 (ABI) 系统的经验以及数十年的深紫外 (DUV) 图案化掩模缺陷检测系统制造经验，我们推出了世界上第一个高灵敏度光化图案化掩模检测和审查系统 ACTIS A150（ACTinic 检测系统）。生产此 APMI 系统需要开发和实施新技术，包括高强度 EUV 源和高数值孔径 EUV 光学器件。APMI 系统具有高分辨率、低噪声成像，对缺陷具有极高的灵敏度。它已证明能够检测出印刷晶圆上估计光刻影响为 10% CD 偏差的掩模缺陷。
深sio2用al和aln面具用于mems设备
摘要。氧化硅基材料（例如石英和二氧化硅）被广泛用于微机电系统（MEMS）。增强其深等离子体蚀刻能力的一种方法是通过使用硬面膜来提高选择性。尽管以前研究了这种方法，但有关在200 mM底物上使用硬面膜来蚀刻基于硅氧化物材料的信息很少。我们提出了使用Al和Aln掩模的无定形氧化硅蚀刻过程开发的结果，并展示了用于蚀刻二氧化硅和石英的结果。在具有两个血浆源的工业反应性离子蚀刻室（RIE）室中比较了三个气体化学（C 4 F 8 /O 2，CF 4和SF 6）及其混合物。已经确定，纯SF 6是最好的蚀刻剂，而ALN比Al更好地提供了较高的选择性和靠近垂直的侧壁角度。建立了无微量蚀刻的一系列蚀刻参数，并使用蚀刻速率为0.32-0.36m/min的工艺在21M-厚的氧化物中创建了高达4：1纵横比的蚀刻结构，并且对（38-49）的Aln Mask的选择性为0.32-0.36m/min。