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患有发展性计算障碍的儿童大脑中数字处理和记忆区域的结构协方差增加
注：首先通过 Kolmogorov-Smirnov 检验对各个组进行正态分布检验。对于正态分布数据，平均值、标准差 ( SD ) 和 p 值基于双样本 t 检验。如果在一个或两个组中违反了正态性假设，则列出中位数和四分位距 (IQR)，并执行 Mann-Whitney U 检验（用 U 表示）。对于名义数据，对性别执行 Fisher 精确检验（用 F 表示），对惯用手执行似然比（用 L 表示）。
人脑膜瘤细胞对细胞周期蛋白的敏感性 -
大脑的连通性是局部密集且全球稀疏的，形成了一个小世界图，这是各种物种进化中普遍存在的原理，为有效的信息路由提供了通用解决方案。但是，当前的人工神经网络电路架构并不能完全包含小世界的神经网络模型。在这里，我们介绍了神经形态的镶嵌：一种非冯·诺伊曼收缩期架构，采用分布式备忘录来进行内存计算和内存路由，有效地实现了用于尖峰神经网络（SNNS）的小世界图形拓扑。我们使用具有130 nm CMOS技术的集成的备忘录，设计，制造和实验证明了马赛克的构建块。我们表明，由于在连接性中执行局部性，马赛克的路由效率至少比其他SNN硬件平台高一个数量级。这是Mosaic在各种边缘基准中实现竞争精度的同时。Mosaic为基于分布式尖峰的计算和内存路由的边缘系统提供了可扩展的方法。
控制工作记忆容量和处理速度时抑制过程的与年龄相关的变化：验证性因素分析
本研究的主要目的是在控制工作记忆容量 (WMC) 和加工速度的情况下，检查 450 名 7–8 岁、11–12 岁和 14–16 岁儿童的抑制控制与年龄相关的变化，以确定抑制是否是一个独立因素，而远远超出了其对其他两个因素的可能依赖性。这项检查很重要，原因有几个。首先，关于抑制控制与年龄相关的变化的实证证据是有争议的。其次，还没有研究通过控制这些年龄段中加工速度和 WMC 的影响来探索抑制功能的组织。第三，抑制的构造在最近的研究中受到了质疑。多组验证性分析表明，抑制可以组织为一个一维因素，其中加工速度和 WMC 调节某些抑制任务的变异性。抑制过程对处理速度和 WMC 的部分依赖表明，即使在控制 WMC 和处理速度并解决一些方法问题时，抑制因素也能部分解释抑制任务的差异。
基于大脑连通性的现实生活创造力预测由语义记忆结构介导
创造力的联想理论认为，创造性认知涉及产生远距离联想的能力，以及在语义记忆中不相关的概念之间建立有用联系的能力。然而，现实生活中的创造性行为是否以及如何依赖于语义记忆结构及其神经基础仍不清楚。我们在参与者接受语义相关性判断任务时获取了多回波功能磁共振成像数据。这些评级用于估计他们各自的语义记忆网络，其属性可显著预测他们现实生活中的创造力。使用连接组预测建模方法，我们确定了基于任务的功能连接模式，这些模式可预测与创造力相关的语义记忆网络属性。此外，这些属性介导了功能连接与现实生活中的创造力之间的关系。这些结果为大脑连接模式如何通过语义记忆结构支持现实生活中的创造性行为提供了新的见解。我们还展示了如何使用计算网络科学来结合行为、认知和神经层面的分析。
基于单个晶体管的高密度 SOT-MRAM 存储器阵列
Rana Alhalabi 1、Etienne Nowak 1、Ioan-lucian Prejbeanu 2 和 Gregory Di Pendina 2 1 CEA LETI，Minatec campus，17 Rue des martyrs，38054 Grenoble，法国 2 Univ. Grenoble Alpes，CEA，CNRS，Grenoble INP*，INAC，SPINTEC，F-38000 Grenoble，法国 摘要 — 自旋轨道扭矩磁性 RAM (SOT-MRAM) 方法代表了一种通过分离读取和写入路径来克服自旋转移扭矩 (STT) 存储器限制的新方法。由于每个位单元有两个晶体管，因此它对于不需要非常高密度的高速应用尤其有用。本文介绍了一种基于单个晶体管和单向二极管的高密度 SOT-MRAM 存储器阵列。这种方法有三个优点。 32kb 存储器阵列的晶体管数量减少了 45%，与传统 SOT 位单元相比，单元密度提高了 20%。此外，读取操作所需的控制更少，最终可实现高耐久性、高速度和高密度。关键挑战在于在感测裕度和读取能量之间进行调整。
阻断 T 细胞记忆可改善对体重循环的过度代谢反应
。CC-BY-NC-ND 4.0 国际许可证（未经同行评审认证）是作者/资助者，他已授予 bioRxiv 永久展示预印本的许可。它是此预印本的版权持有者此版本于 2025 年 1 月 22 日发布。；https://doi.org/10.1101/2025.01.17.633599 doi：bioRxiv 预印本
大马士革与减法线 CMP 工艺用于电阻式存储器交叉开关 BEOL 集成
近年来，电阻式存储器已成为电子领域的一项关键进步，在能源效率、可扩展性和非易失性方面具有众多优势 [1]。这些存储器以其独特的电阻开关行为为特征，非常适合各种应用，从高密度数据存储到神经形态计算 [2]。它们与先进的半导体工艺的兼容性进一步增强了它们的潜力，使其能够无缝集成到现代电子电路中 [3]。电阻式存储器的一个特别有前途的途径在于将其集成在半导体制造的后端 (BEOL) 阶段 [4]。BEOL 集成涉及晶体管制造后发生的工艺，主要侧重于创建电气连接这些晶体管的互连。在此阶段集成电阻式存储器可实现紧凑、高效和高性能的架构，这对于数据存储和处理共置的内存计算应用至关重要 [5]。本文研究了使用化学机械抛光 (CMP) 工艺将基于 TiO x 的电阻式存储器集成到无源交叉阵列结构中的三种方法，重点是确定最佳集成技术。
在成人寿命中，海马 - 皮质整合支持记忆功能的两个长轴维度
图1。海马皮质连通性的地形梯度。a）前三个海马连接图（G1-G3），解释了左右半球的67％的方差。相似的颜色传达了类似的皮质连接模式。值范围在0（蓝色）和1（黄色）之间。b）图沿前后海马轴的连通性传达。从23个海马垃圾箱（每个〜2mm）的平均值与距离最前最前海马体素的距离（以毫米为单位）绘制。值，并在参与者之间平均。G1传达了沿前后梯度的连通性逐渐变化。g2传达了沿二阶长轴梯度的连通性逐渐变化，将中间海马与前端和后端分开。g3传达沿纵轴的连通性几乎没有变化，而连通性变化反而在主要的内侧侧面梯度中进行了组织。c）G1，G2和G3的皮质预测。值范围在0（蓝色）和1（黄色）之间。d）梯度空间中皮质网络的顺序。密度图可视化七个皮质网络的梯度值的分布（Yeo等，2011）。e）海马梯度的皮质模式与皮质功能组织的三个主要梯度之间的相关性，这些梯度在每个图的顶部都被示例（Margulies等，2016）。
适用于太空应用的英飞凌抗辐射存储器解决方案
Xilinx Virtex V5、Kintex US 以及 Microchip RTG4 和 RTPolarFire FPGA 的 RadHard 72M 和 144M QDRII+ SRAM 设备均可免费获得内存控制器。QDR-II+ SRAM 控制器管理基于 DDR 的源同步时序架构的复杂时序细节，并确保 FPGA 和 QDRII+ SRAM 内存之间的可靠数据传输。如果需要更高级别的辐射抗扰度来减轻单粒子干扰，控制器嵌入式 ECC (SECDEC) 也可作为 RTL 选项提供。请联系 hirel-memory@infineon.com 获取 RTL 代码和测试台的副本。
1-甲基黄嘌呤可增强记忆和神经递质水平
1-甲基黄嘌呤（1-MX）是咖啡因和帕拉辛黄酮的主要代谢产物，可能有助于其活性。1-MX是一种腺苷受体拮抗剂，可提高神经递质的释放和存活能力。但是，尚无研究涉及1-MX摄入的潜在生理影响。与对照相比，这项研究的目的是比较1-MX对大鼠的记忆和相关生物标志物的影响。记忆（莫里斯水迷宫测试中的逃生潜伏期），神经递质（乙酰胆碱，多巴胺，γ-氨基丁酸（GABA））和神经化学物质（BDNF，Ceatalase，Gitalase，Glutathione，glutathione，glutathione，amyloid beta和amyloid beta和comclic gmp）是分析的（整个湿度）。 （16个月大的）大鼠补充了12天（1-mx的100 mg/d HED [UPLEVEL®，Ingenious Ingrediate L.P.，Lewisville，TX，USA]）。1-MX的培养在年轻动物中降低了39％的逃生潜伏期，而老年动物的逃逸潜伏期则减少了27％（p <0.001）。此外，1-MX增加了乙酰基胆管，多巴胺，GABA和环状GMP的水平（全p <0.001）。此外，补充1-MX导致淀粉样蛋白β和更高的过氧化氢酶，BDNF和谷胱甘肽浓度降低（P <0.001）。总体而言，我们的发现表明1-MX可能具有认知增强和神经保护特性。