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使用 PTB 制造的 SQUID 进行量子计量
PTB 在 SQUID 开发方面发挥着全球领先作用。这些超导量子干涉装置是用于高精度测量磁通量极小变化的传感器。PTB 的 SQUID 用于各种类型的测量。尽管它们已在生物磁实验中使用了二十年，例如用于检测人类心脏或大脑的非常微弱的磁场，但它们仍不断参与新的计量发展。SQUID 可用作各种配置中的灵敏电流传感器或完整的集成磁感应计。PTB 不仅提供 SQUID 芯片本身，还提供电子设备和计量技术，以便在相应的低温装置和实验外围设备中实现传感器。两个国际合作项目也采用了同样的方法。带有2个Tes光子计数器的探测器模块和带有2个电流传感器的sQuiD传感器芯片
海军计量和校准计划的可靠性增强
估计此次信息收集的公共报告负担平均为每份回应 1 小时，包括审查说明、搜索现有数据源、收集和维护所需数据以及完成和审查信息收集的时间。请将关于此负担估计或本次信息收集任何其他方面的评论（包括减轻此负担的建议）发送至华盛顿总部服务部、信息运营和报告理事会，地址：1215 Jefferson Davis Highway. Suite 1204, Arlington, VA 22202-4302，以及管理和预算办公室、文书工作减少项目（0704-0188）华盛顿特区 20503
海军计量和校准程序的可靠性增强
有关此负担估计或此信息收集的任何其他方面的评论，包括减轻此负担的建议，请发送至华盛顿总部服务部信息运营和报告局，地址：1215 Jefferson Davis Highway。 Suite 1204, Arlington, VA 22202-4302，以及管理和预算办公室，文书工作减少项目 (0704-0188) Washington DC 20503
石墨烯生产或电气计量 - NIST 的 TSAPPS
自 1990 年以来，电阻尼特的表示一直基于二维电子态中发生的 QHE 的整数量化电阻平台。这些量化的电阻值为 RHU) = R'(.,JO/i，其中 R H 是量化的霍尔平台电阻 RK。!lQ 是 1990 年推荐的冯·克利青常数值，i 是整数量子数 [1]。在 1980 年发现 QHE 后的最初几年里，Si-MOSFET 和半导体异质结构（最常见的是 GaAs/Al,Ga(1)As）被用于计量表征和比较 [2-4]，最近，几家国家计量研究所已经开发和改进了生长半导体 QHE 器件的配方，适用于在相对较高的电流和弱磁场下进行精确的电阻计量 [5, 6]，因此该标准更容易获得并且在计量上更有用。11 不是一个简单的过程来生产在量子水平上经过良好量化的器件在源漏（-D）电流为 20 μJ 至 100 μJ 且温度为 T2:14 μJ 时，i = 2 平台在相对较低的磁通量（8 < 9 T）下工作。这要求 GaAs/AlxGa(I-x)As 异质结构中的材料成分难以复制，从而通过杂质故意降低电子迁移率以增加平台宽度，同时保持相对较高的载流子浓度 ['1]。此外，金属触点必须扩散到异质结构的器件层中，并且通常很难使用现代光刻技术获得多个高导电触点。自从使用微机械解理技术 [7] 发现石墨烯以来，已经开发出几种其他相对简单的方法来生产表现出 QHE 平台的碳基 2DEG（二维电子气）器件。单层石墨烯中独特的电子态产生了一些对基础物理来说最重要的特性，其中单粒子能带结构使电子和π都具有相对论狄拉克费米子的特性，例如，最低的Landa能级之间的间隔非常大。对于一些单层石墨烯器件，这有助于扩大i = 2 QHE平台的o（钉扎）[8, 9]，并可能导致器件在比传统半导体QHE器件高得多的温度、更高的电流或更低的场下实现良好的量化，以进行精密计量。此外，在暴露表面上直接制造电极允许在各种配置中进行电子传输测量。与异质结构器件（其中2DEG埋在半导体内部）不同，石墨烯器件中的导电通道可以位于衬底的表面上，因此可以使用表面科学技术对其进行微观扫描和表征。通过使用原子力显微镜（AFM）、低能电子显微镜（LEEM）[10]、扫描隧道显微镜/光谱（STM/STS）[11J和拉曼光谱，石墨烯器件可以收集石墨烯中异常QHE状态下详细形态和微观电子结构之间关系的数据。
石墨烯生产或电气计量 - NIST 的 TSAPPS
自 1990 年以来，电阻尼特的表示一直基于二维电子态中发生的 QHE 的整数量化电阻平台。这些量化的电阻值为 RHU) = R'(.,JO/i，其中 R H 是量化的霍尔平台电阻 RK。!lQ 是 1990 年推荐的冯·克利青常数值，i 是整数量子数 [1]。在 1980 年发现 QHE 后的最初几年里，Si-MOSFET 和半导体异质结构（最常见的是 GaAs/Al,Ga(1)As）被用于计量表征和比较 [2-4]，最近，几家国家计量研究所已经开发和改进了生长半导体 QHE 器件的配方，适用于在相对较高的电流和弱磁场下进行精确的电阻计量 [5, 6]，因此该标准更容易获得并且在计量上更有用。11 不是一个简单的过程来生产在量子水平上经过良好量化的器件在源漏（-D）电流为 20 μJ 至 100 μJ 且温度为 T2:14 μJ 时，i = 2 平台在相对较低的磁通量（8 < 9 T）下工作。这要求 GaAs/AlxGa(I-x)As 异质结构中的材料成分难以复制，从而通过杂质故意降低电子迁移率以增加平台宽度，同时保持相对较高的载流子浓度 ['1]。此外，金属触点必须扩散到异质结构的器件层中，并且通常很难使用现代光刻技术获得多个高导电触点。自从使用微机械解理技术 [7] 发现石墨烯以来，已经开发出几种其他相对简单的方法来生产表现出 QHE 平台的碳基 2DEG（二维电子气）器件。单层石墨烯中独特的电子态产生了一些对基础物理来说最重要的特性，其中单粒子能带结构使电子和π都具有相对论狄拉克费米子的特性，例如，最低的Landa能级之间的间隔非常大。对于一些单层石墨烯器件，这有助于扩大i = 2 QHE平台的o（钉扎）[8, 9]，并可能导致器件在比传统半导体QHE器件高得多的温度、更高的电流或更低的场下实现良好的量化，以进行精密计量。此外，在暴露表面上直接制造电极允许在各种配置中进行电子传输测量。与异质结构器件（其中2DEG埋在半导体内部）不同，石墨烯器件中的导电通道可以位于衬底的表面上，因此可以使用表面科学技术对其进行微观扫描和表征。通过使用原子力显微镜（AFM）、低能电子显微镜（LEEM）[10]、扫描隧道显微镜/光谱（STM/STS）[11J和拉曼光谱，石墨烯器件可以收集石墨烯中异常QHE状态下详细形态和微观电子结构之间关系的数据。
使用贝叶斯分析结合多种计量结果，提高光学测量不确定度
( , ) i i y y x i ε = + a for 1,..., i N = , (1) 其中 i ε 是相应的零均值随机误差。使用一阶泰勒
扫描电子显微镜计量学中的关键问题
当尺寸减小到 0.6 μm 时，微处理器的速度可以提高到 100 MHz 或更高 [32]。在制造过程中必须监测 CD 和其他尺寸。光学显微镜、扫描电子显微镜和各种形式的扫描探针显微镜是用于亚微米计量的主要显微镜技术。光学显微镜无疑是这三种显微镜中最古老的一种，已存在 300 多年。在此期间，光学显微镜的方法已经相当成熟。但是，即使有这些时间和研究致力于开发这项技术，光学亚微米计量仍然有局限性 [72]。这些是光的物理基础属性。一旦认识到这些限制，人们就认为电子显微镜将成为亚微米计量的首选计量工具。不幸的是，
基于数字技术的波形计量标准
20 世纪 70 年代初，美国国家标准局 (NBS) 电力部门的 NAS/NRC 评估小组建议电气仪器部门开始解决与精密电气/电子仪器和测试设备相关的计量问题，其中动态性能考虑变得至关重要。 1974 年 9 月，NBS 盖瑟斯堡工厂举办了一场研讨会，旨在确定与现代电子仪器相关的关键计量需求。研讨会的讨论主题、会议记录、反馈报告和结论均已详细记录在一份 NBS 技术说明 [1] 中。研讨会讨论总结中贯穿的一个总体主题是，NBS 需要为电气/
量子计量学的现状 - NIST 的 TSAPPS
nist.gov › publication › get_pdf PDF 作者：MVV Keller · 2008 · 被引用次数：107 — 作者：MVV Keller · 2008 被引用次数：107 The quantum metrology triangle is a test of the consistency of three quantum electrical ... comparison of Nb/AI/AlO、/A1/AIO/Al/Nb Josephson.