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采用 GaN-on-Si microLED 和 microPD 矩阵进行短距离光通信
尽管与近红外光通信中使用的光子器件相比，GaN microLED 器件的射频带宽相对较小，但它们能够缩小到 1 μ m 到 10 μ m 之间的非常小的间距，并且具有高亮度和在高温下工作的能力，这使它们成为短距离光通信的有趣器件。人工智能 (AI) 或高性能计算 (HPC) 等应用正在推动更高性能、更好能源效率和低延迟短距离互连的发展。事实上，据报道，15 AI 开发所需的硬件性能的扩展速度远远快于互连和内存数据速率。因此，芯片间或芯片内通信预计将成为 AI 技术进步的主要限制因素，这加强了人们对 GaN microLED 等新型短距离光互连的兴趣。我们介绍了 CEA-LETI 最近开展的工作，重点是开发短距离芯片到芯片光通信，如图 1 所示，使用 InGaN/GaN microLED 和微型光电二极管 (microPD)。这项工作利用了最初为微型显示器开发并适用于 200 毫米 ASIC 的外延、器件和集成工艺。在概述 microLED 在通信方面的预期优势并将其与替代技术进行比较后，我们将简要介绍一种集成工艺，该工艺旨在在控制 ASIC 上方组装密集的 microLED 矩阵。将重点介绍主要的性能指标，以评估
利用microLED显示技术解决芯片问题……
利用 microLED 显示技术解决芯片间数据通信瓶颈 Bardia Pezeshki AvicenaTech Corp.，1130 Independence Ave，Mountain View，CA94043，www.avicena.tech 关键词：MicroLED、多芯光纤、光互连 摘要 在硅 IC 上制造的 MicroLED 显示器可以以空间复用格式形成高度并行的数据链路。如此宽的低功耗数据总线可以解决 4000 亿美元 IC 行业最大的痛点之一。我们展示了转移到硅 CMOS 电路上的高速 microLED，其中包括 LED 的集成驱动器、集成 Si 探测器和放大器。这些芯片的运行速度达到 Gb/s，可以与多芯光纤连接，在标准硅 ASIC 之间建立简单的低成本数据路径。我们使用 130nm CMOS 工艺展示了这些链路，每比特 <2pJ，并在 BER 和模式分割噪声方面展示了它们与 FP 激光器相比的卓越性能。 介绍