当二维晶体是半导体或半学的二维晶体之间形成的时,低能电子状态会被周期性的新兴汉密尔顿(Emperent Hamiltonian)描述,这些晶体是周期性的,有效地实现了具有10 nm长度尺度的晶状体结合的人工二维晶体。晶格常数足够大,可以使用场效应将每个有效原子的电子数量改变多个,从而使周期表可以在没有化学障碍的情况下进行实验探索。Moiré材料哈密顿量可以通过现象学[1]确定或从晶格规模的DFT计算中得出[2]。近年来,这些Moiré材料已被证明是新物理学的真正令人惊叹的平台,尤其是物理学,在这种物理学中,强烈的电子相关性和术语以新的方式结合在一起。对于基于石墨烯基材料的Moiré材料[1],非平凡的拓扑是从单个石墨烯片的零点继承的,而在平行堆叠金属二分法元素层的情况下[3,4]它从层之间的耦合中出现。我将在两种已建立的莫伊尔材料类别中的普通和异常的整数和分数量子厅效应,并推测这种物业工程策略可能同样有效的新类别。
大约:Moiré材料是由于两个重复结构以略微角度覆盖的干扰模式而具有独特性能的材料。创建Moiré材料:Moiré材料是通过堆叠二维(2-D)材料的两层(例如Dungsten diselenide)创建的,并以小角度(3.65º)扭曲一层。
最近,Moiré系统已成为2D材料研究领域的新领域。moiré系统是指显示超晶格样图案的材料,这些模式是由2D双层结构中两个或更多层的蜂窝晶格之间的轻微错位引起的[11]。除了由于单个层之间略有晶格常数不匹配而形成的莫伊尔图案(图1A),另一种形成这些模式的方法是通过以较小的角度扭曲或旋转两个单独的层(图1B)。这种现象在扭曲的双层石墨烯中尤为明显,在扭曲的双层石墨烯中,所产生的moiré模式显着改变了材料的电子特性,最终导致以1.1°的魔法角度出现非常规超导性[12]
阴影莫尔条纹仅限于低分辨率相机。该技术依赖于 Ronchi 光栅上的线条与投射到样品上的阴影之间产生的干涉图案。如果使用分辨率更高的相机,Ronchi 线条将会被分辨,从而防止形成干涉图案。另一方面,投影莫尔条纹并不局限于低分辨率相机,因为它不依赖于干涉图案。因此,相机分辨率不受限制;当今的标准投影莫尔条纹系统使用 5 百万像素相机,视野小至 75 x 75 毫米。相反,阴影莫尔条纹系统可用的最高分辨率相机为 1.4 百万像素,视野为 200 x 200 毫米,有效数据密度为同类投影莫尔条纹的 1/25。
Chunrui Han 2,3* , Kenji Watanabe 4 , Takashi Taniguchi 4 , Kaihui Liu 1 , Jinhai Mao 5 , Wu Shi 6,7 , Bo Peng 8 ,
两片石墨烯以扭曲的方式堆叠在一起,形成一个系统,该系统最近引起了人们的极大兴趣,因为它具有令人着迷的电子特性,这些特性通常出现在由此产生的莫尔超晶格的尺度上,而莫尔超晶格通常比石墨烯晶格常数大 10 到 100 倍。特别是对于小的扭曲角度,莫尔超晶格常数在 10-20 纳米范围内,这使得扫描探针显微镜 (SPM) 成为研究扭曲双层系统的理想工具。通过本应用说明,我们展示了具有纳米级横向分辨率的 attoAFM I 低温显微镜如何配备先进的 AFM 模式,如导电尖端原子力显微镜 (ct-AFM) 和压电响应力显微镜 (PFM),可用于探索扭曲双层的电气和机电特性。
摘要 莫尔材料为实现具有工程物理特性的能带结构提供了高度可调的环境。具体而言,具有费米面平带的莫尔结构(实现关联相的合成环境)具有包含数千个原子的莫尔晶胞和极其复杂的能带结构。在本文中,我们表明统计原理在解释这些系统的普遍物理特性方面大有帮助。我们的方法建立在三个概念元素之上:由短长度尺度上原子配置的有效不规则性引起的量子混沌的存在、动量空间中的安德森局域化以及近似晶体对称性的存在。这些原理中的哪一个占主导地位取决于材料参数,例如费米面的延伸或莫尔晶格势的强度。这种竞争的现象学后果是对莫尔带特征群速度的预测,这是其平均平坦度的主要指标。除了这些一般特征之外,我们还识别了统计背景之外的结构,特别是接近未受干扰光谱极值的几乎平坦的带,以及著名的零能量“魔角”平坦带,其中后者需要异常精细调整的材料参数。
van der waals异质结构中的Moiré超级晶格代表了高度可调的量子系统,在多体模型和设备应用中都引起了极大的兴趣。然而,在室温下,Moiré电位对光物质相互作用的影响在很大程度上仍然没有。在我们的研究中,我们证明了MOS 2 /WSE 2中的Moiré潜力促进了室温下层间激子(IX)的定位。通过执行反射对比光谱,我们证明了原子力显微镜实验支持的原子重建在修饰内部激子中的重要性。降低扭转角时,我们观察到IX寿命会更长,并且发光增强,表明诸如缺陷之类的非辐射衰减通道被Moiré电位抑制。此外,通过将Moiré超晶格与硅单模腔的整合,我们发现,使用Moiré捕获的IXS的设备显示出明显较低的阈值,与利用DelaCalized IXS的设备相比,较小的一个数量级。这些发现不仅鼓励在升高温度下在Moiré超晶格中探索多体物理学,而且还为利用光子和光电应用中的这些人工量子材料铺平了道路。
https://doi.org/10.26434/chemrxiv-2024-tvsb6 orcid:https://orcid.org/0000-0002-1058-8288 Chemrxiv不同行评论的内容。许可证:CC BY-NC-ND 4.0