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功率 MOSFET 芯片数据表
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BSS127 N 沟道增强型 MOSFET
注：1. 数据是通过安装在 1 英寸 2 FR-4 板上（2OZ 铜厚）进行测试的 2. 数据是通过安装在建议的最小 FR-4 板上进行测试的 3. 数据是通过脉冲测试的，脉冲宽度≤300μs，占空比≤2% 4. 由设计保证，不受生产影响
P 沟道增强型 MOSFET
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功率 MOSFET 芯片数据表
注：1.我们强烈建议客户在购买我们的产品时仔细检查商标，如果有任何问题，请随时与我们联系。 2.电路设计时请不要超过器件的绝对最大额定值。 3.深圳市稳先微电子有限公司保留对本规格书进行更改的权利，如有更改，恕不另行通知。 联系方式：深圳市稳先微电子有限公司 地址：深圳市福田区车公庙天安数码城高科技广场二期东座1002室 邮编：518040 电话：+86-755-8250 6288 传真：+86-755-8250 6299 网站：www.winsemi.com
Power MOSFET芯片数据表
注意：1。我们强烈建议客户在购买我们的产品时仔细检查商标，如果有任何疑问，请不要犹豫与我们联系。2.当电路设计时，请不要超过设备的绝对最大评分。3.WINSEMI Microelectronics Co.，Ltd保留在此规范表中进行更改的权利，并如有更改，恕不另行通知。联系人：Winsemi Microelectronics Co.，Ltd。添加：1002室，East，第2阶段，Hightech Plaza，Tian-An Cyber Park，Che Gong Miao，Futian，Futian，futian，futian，futian，futian，p.r.中国。 邮政编码：518040电话： +86-755-8250 6288传真： +86-755-8250 6299网站：www.winsemi.com中国。邮政编码：518040电话： +86-755-8250 6288传真： +86-755-8250 6299网站：www.winsemi.com
实验室 #2 MOSFET 差分对
如图 2.1 (b) 所示，差分增益 (A d ) 定义为输出电压 (图 2.1 (a) 中的 V out ) 除以差分输入电压 (图 2.1 (b) 中的 Vi1 和 Vi2 )。除此之外，共模增益 (A CM ) 定义为输出电压 (图 2.1 (a) 中的 V out ) 除以共模输入电压 (图 2.1 (b) 中的 ViCM )。差分增益表示没有噪声扰动的理想信号增益。共模增益表示共模噪声对输出电压的贡献。
