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Power MOSFET可靠性：基于LTSpice的交界处...
摘要：电源开关系统的重要特征之一是使用快速开关电源半导体设备。MOSFET用于快速开关应用程序，包括无线电源传输开关系统。基于热时间常数的热模型对于准确预测MOSFET设备功率耗散和特性是必要的。文献中讨论的许多热模型都是基于线性近似的，而不是旨在结合动态MOSFET特性和散热器模型。在本文中，我们介绍了现有热模型的文献调查。为MOSFET R DS（ON）开发了一个模型，以及平均功率计算，散热器温度和连接至案例温度。使用LT Spice Simulation工具将R DS（ON）的瞬态热模型（ON）合并到完整的桥梁谐振模型中。计算半导体装置内的MOSFET功率耗散和连接温度。提出的模型具有动态功能，根据模拟时间调节设备电阻。因此，该模型非常适合根据流经设备的谐振电流预测MOSFET连接温度。通过模拟结果，我们提供了连接温度升高和平均功率耗散的估计，从而验证了拟议方法的有效性。索引项 - MOSFET，可靠性，LT香料，功率，温度，高压。
40V2.0MΩN-CH功率MOSFET
昏暗。分钟。 nom。 最大 0.90 1.00 1.10 B 6.25 E1 5.60 5.70。分钟。nom。最大0.90 1.00 1.10 B 6.25 E1 5.60 5.70。0.90 1.00 1.10 B 6.25 E1 5.60 5.70。
GBLN6601-S8 N 沟道增强型 MOSFET
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2N7001K P 沟道增强型 MOSFET
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基于MOSFET物理的紧凑型模型量产
摘要：随着纳米级半导体器件尺寸的不断缩小，从复杂的物理方程中获取表面势的解析解变得越来越困难，而这正是 MOSFET 紧凑模型的根本目的。在本文中，我们提出了一个通用框架，利用深度神经网络的通用近似能力，自动推导 MOSFET 表面势的解析解。我们的框架结合了物理关系神经网络 (PRNN)，可以从通用数值模拟器并行学习处理复杂的数学物理方程，然后将模拟数据中的“知识”灌输到神经网络，从而生成器件参数和表面势之间的精确闭式映射。本质上，表面势能够反映二维 (2D) 泊松方程的数值解，超越了传统一维泊松方程解的限制，从而更好地说明缩放器件的物理特性。我们在推导 MOSFET 的解析表面电位以及将导出的电位函数应用于 130 nm MOSFET 紧凑模型的构建和电路模拟方面取得了令人鼓舞的结果。这种高效框架能够准确预测器件性能，展现了其在器件优化和电路设计方面的潜力。
JMTQ130P04A - 功率 MOSFET 芯片数据表
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BL014N04T-TL N 沟道增强型 MOSFET
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BL8810-6L N 沟道增强型 MOSFET
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