XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemmosfet
30V 1.2mΩ N 沟道功率 MOSFET
注：1. 尺寸和公差符合 ASME Y14.5M, 1994 标准。2. 所有尺寸以毫米为单位（角度以度为单位）。3. 尺寸 D1 和 E1 不包括模具飞边突起或浇口毛刺。
TBSS123 N 沟道增强型 MOSFET
常州银河世纪微电子有限公司（GME）保留对本文中任何产品信息（版权所有）进行更正、修改、改进或其他更改的权利，恕不另行通知。GME 不承担因应用或使用本文所述任何产品而产生的任何责任；也不转让其专利权或他人权利下的任何许可。
5.3 直流 MOSFET 电路 277
当栅极上有正电压时，NMOS 晶体管将导通。但是，我们不知道晶体管是在饱和区还是在三极区工作。我们将假设饱和区工作，解决问题，然后检查假设的有效性。显然，如果我们的假设不成立，我们将不得不再次解决三极区工作的问题。参见图 5.24(b)。由于栅极电压为 5 V，源极电压为 ID ( mA ) × 6 ( k ) = 6 ID ( V ) ，我们有
