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40V 1.3mΩ N 沟道功率 MOSFET
暗淡。毫米最小值姓名。最大限度。 A 0.90 1.00 1.10 b 0.31 0.41 0.51 c 0.20 0.25 0.30 D 5.00 5.20 5.40 D1 4.95 5.05 5.15 D2 4.00 4.10 4.20 E2 5.5 5.5 E .60 5.70 E2 3.42 3.53 3.63 e 1.27BSC H 0.60 0.70 0.80 L 0.50 0.70 0.80 K 1.23 REF
TBL035N04HB N 沟道增强型 MOSFET
注：1. tp=10us，占空比 = 1%。2. 数据通过建议封装上的表面贴装测试获得。3. 数据通过脉冲测试获得，脉冲宽度 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%。4. E AS 数据显示最大额定值。测试条件为 V DD = 30V，V GS = 10V，L = 1mH，I AS = 35A。5. 理论上数据与 ID 和 I DM 相同，实际应用中应受总功率耗散限制。6. 器件安装在 FR-4 基板 PC 板上，2oz 铜，对底层 1 英寸见方铜板进行热偏置
BL4435-S8 P 沟道增强型 MOSFET
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40V 0.58mΩ N 沟道功率 MOSFET
暗淡。毫米最小值姓名。最大限度。 A 0.90 1.00 1.10 b 0.31 0.41 0.51 c 0.20 0.25 0.30 D 5.00 5.20 5.40 D1 4.95 5.05 5.15 D2 4.00 4.10 4.20 E2 5.5 5.5 E .60 5.70 E2 3.42 3.53 3.63 e 1.27BSC H 0.60 0.70 0.80 L 0.50 0.70 0.80 K 1.23 REF
电动汽车传动系统的 SiC MOSFET 可靠性
• [1] JH Stathis 和 S. Zafar，“MOS 器件中的负偏压温度不稳定性：综述”，《微电子可靠性》第 46 卷（2006 年），第 270-286 页。 • [2] DK Schroder，“负偏压温度不稳定性：我们了解什么？”《微电子可靠性》第 44 卷（2007 年），第 841-852 页。
BL02N06C N 沟道增强型 MOSFET
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40V 1.3mΩ N 沟道功率 MOSFET
暗淡。毫米最小值姓名。最大限度。 A 0.90 1.00 1.10 b 0.31 0.41 0.51 c 0.20 0.25 0.30 D 5.00 5.20 5.40 D1 4.95 5.05 5.15 D2 4.00 4.10 4.20 E2 5.5 5.5 E .60 5.70 E2 3.42 3.53 3.63 e 1.27BSC H 0.60 0.70 0.80 L 0.50 0.70 0.80 K 1.23 REF