摘要Alemtuzumab是一种用于复发的多发性硬化症(MS)的高效率药物,导致免疫系统的非选择性重建。免疫重建炎症综合征(IRIS)由于CNS的细胞免疫和炎症的重建而发展,主要是在进行性多灶性白细胞症(PML)之后。由于高度活跃的MS,过去曾用Alemtuzumab治疗一名42岁患者的病例。由于失语症,鳞茎综合征和严重的搅动,他在8年的缓解后被录取。MRI在上脑中显示出多个大融合病变,具有质量效应和对比度增强。虹膜被诊断出。成功使用了长时间的类固醇治疗和血浆交换。虹膜也可能是纳塔尔苏单抗或芬洛莫德戒断的并发症,是由于先前抑制的免疫反应的恢复而产生的。还审查了MS患者的其他虹膜病例。
固态化学在理解材料的结构和性质之间的复杂关系,推动各种技术应用的进步方面起着关键作用。本综述探讨了新兴材料(例如金属有机框架(MOF),钙钛矿和二维(2D)材料)的结构特质相关性的最新进展。特别重点是他们在储能,催化和光电子中的应用。在计算建模和高级表征技术中的方法论突破被突出显示,展示了它们对材料发现和开发的变革性影响。本文还讨论了可持续材料综合的挑战,并概述了未来的方向,包括将人工智能整合用于创新解决方案。
HAL 是一个多学科开放存取档案库,用于存放和传播科学研究文献,无论这些文献是否已出版。这些文献可能来自法国或国外的教学和研究机构,也可能来自公共或私人研究中心。
神经网络的硬件实现是利用神经形态数据处理优势和利用与此类结构相关的固有并行性的里程碑。在这种情况下,具有模拟功能的忆阻设备被称为人工神经网络硬件实现的有前途的构建块。作为传统交叉架构的替代方案,在传统交叉架构中,忆阻设备以自上而下的方式以网格状方式组织,神经形态数据处理和计算能力已在根据生物神经网络中发现的自组织相似性原理实现的网络中得到探索。在这里,我们在图论的理论框架内探索自组织忆阻纳米线 (NW) 网络的结构和功能连接。虽然图度量揭示了图论方法与几何考虑之间的联系,但结果表明,网络结构与其传输信息能力之间的相互作用与与渗透理论一致的相变过程有关。此外,还引入了忆阻距离的概念来研究激活模式和以忆阻图表示的网络信息流的动态演变。与实验结果一致,新出现的短期动力学揭示了具有增强传输特性的自选择通路的形成,这些通路连接受刺激区域并调节信息流的流通。网络处理时空输入信号的能力可用于在忆阻图中实现非常规计算范式,这些范式充分利用了生物系统中结构和功能之间的固有关系。© 2022 作者。由 Elsevier Ltd. 出版。这是一篇根据 CC BY 许可开放获取的文章(http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。
神经网络的硬件实现是利用神经形态数据处理优势和利用与此类结构相关的固有并行性的里程碑。在这种情况下,具有模拟功能的忆阻设备被称为人工神经网络硬件实现的有前途的构建块。作为传统交叉架构的替代方案,在传统交叉架构中,忆阻设备以自上而下的方式以网格状方式组织,神经形态数据处理和计算能力已在根据生物神经网络中发现的自组织相似性原理实现的网络中得到探索。在这里,我们在图论的理论框架内探索自组织忆阻纳米线 (NW) 网络的结构和功能连接。虽然图度量揭示了图论方法与几何考虑之间的联系,但结果表明,网络结构与其传输信息能力之间的相互作用与与渗透理论一致的相变过程有关。此外,还引入了忆阻距离的概念来研究激活模式和以忆阻图表示的网络信息流的动态演变。与实验结果一致,新出现的短期动力学揭示了具有增强传输特性的自选择通路的形成,这些通路连接受刺激区域并调节信息流的流通。网络处理时空输入信号的能力可用于在忆阻图中实现非常规计算范式,这些范式充分利用了生物系统中结构和功能之间的固有关系。© 2022 作者。由 Elsevier Ltd. 出版。这是一篇根据 CC BY 许可开放获取的文章(http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。
回忆录是一种神经形态电子产品的基石,通过改变其跨州的电阻,对电刺激的历史做出反应。最近努力致力于发展对光激发的类似响应。在这里,我们意识到了一种新型的隧道照相仪表,其行为是双峰的:它的阻力取决于双重电光历史。这是在最终简单的设备中获得的:高温超导体和透明的半导体之间的界面。被剥削的机制是两种材料之间可逆的纳米氧化还原反应,其氧含量可以确定界面上的电子隧道速率。氧化还原反应是通过电化学,光伏效应和光合辅助离子迁移之间的相互作用来光学驱动的。除了其基本利益外,揭幕的电形记忆效应具有巨大的技术潜力。尤其是与高温超导性结合使用,除了促进低衰减连接外,还为超导电子产品带来了光征效应。
固态量子技术的不断进步已带来前景光明的高质量硅基量子比特 [1], [2]。此类量子系统在低至 10 mK 的低温下工作,目前由位于室温低温恒温器外部的经典电子设备控制。虽然这种方法可以操作少量子比特系统,但很明显,管理数量大幅增加的量子比特将是不可能的。因此,要迈向大规模量子系统,有必要探索新颖的集成和封装方法,以在具有一个或多个温度阶段的低温环境中开发量子经典接口 [3]。与此同时,纳米级电阻开关存储器(也称为忆阻器)是室温应用(如基于大规模并行神经形态电子架构的大容量存储器和内存计算应用)最有前途的候选者之一 [4]。在低温下展示可逆、非挥发和高度非线性的忆阻器器件电阻编程将为基于忆阻器的低温电子学铺平道路,从而有助于克服实现量子霸权的障碍。到目前为止,研究电阻存储器的最低温度是 4 K [5]–[10],主要是为了更好地了解基于过渡金属氧化物的器件的温度相关行为和传导机制。
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课程Vitae MagnusSimrén660218-5958名称:Jan Rune MagnusSimrén出生日期:1966年2月18日公民: *瑞典教育: *哥德堡医学院,1985-1991 * 1999-09-02 *博士在哥德堡大学2001-04-27;论文:“肠易激综合征 - 病理生理学和临床方面”(主管:EinarBjörnsson;共同参议员:Hasse Abrahamsson) *博士后研究:内部医学部:胃肠病学部(Jan tackerologeny of Jan tack),大学医院Hospital Gasthuisberg,kathugisbergekekatholieke commite,weugeke consite, (“Docent”) Internal Medicine and Gastroenterology 2004 Academic position: Professor (associated prof (“adjungerad”) 2009-2013; prof 2013-) Internal Medicine and Gastroenterology, Sahlgrenska Academy at University of Gothenburg, Gothenburg, Sweden 2009- Previous positions: Internship 1991-1993 Lidköping County Hospital Fellowship Internal Medicine and Gastroenterology and Hepatology 1993-1997 Lidköping County Hospital Fellowship Gastroenterology and Hepatology 1998-1999 Sahlgrenska University Hospital, Göteborg Senior Researcher Swedish Research Council / University of Gothenburg in Molecular Gastroenterology (50%) 2011-2016 Visiting research scientist Center for Functional GI and Motility Disorders, University of North Carolina, Chapel Hill,美国北卡罗来纳州NC,2015 - 2016年现在的职位:哥德堡大学Sahlgrenska学院医学院专业教授,2024 - 2029年,哥德堡大学胃肠病学教授,2013年 - 专家(1999-)和顾问(2004--),胃肠病学(2004-)*以人为中心的护理内科,胃肠病学和肝病学部分,萨尔格伦斯卡大学医院,哥特堡大学医院高级顾问,哥特堡Sahlgrenska大学医院。2010- Adjunct Professor of Medicine, University of North Carolina (UNC) School of Medicine, Chapel Hill, USA 2017- Publications: See publication list Main research areas: * Functional GI disorders – symptoms, pathogenesis & pathophysiology, treatment, quality of life * GI motility disorders – treatment, diagnostics and pathophysiology * Quality of life in GI diseases * Brain-gut interactions in health and disease.*健康和疾病中的食物,微生物群和胃肠道。*炎症,微生物学和GI症状之间的联系。
图 2 | 通过电化学抛光稳定的量子电导能级。a. 忆阻单元中的 SET 过程示意图,该过程是一种电化学驱动过程,且尖端形成的电场进一步加速了这一过程。细丝生长过程中的恶劣条件通常会导致量子电导能级的高度不可预测性和多变性。b. RESET 过程中的电化学抛光效应能够通过首先去除/溶解接触配置中的不稳定原子而保留更稳定的原子来获得更可靠的量子电导能级。在此框架中,系统通过离散的电导能级从低阻态 (LRS) 演变为中间亚稳态电阻态 (MRS) 再演变为量子点接触 (QPC)。在 RESET 过程中,不稳定的原子将从细丝中去除,留下最稳定的原子形成稳定的 QPC。c.循环示例:通过 100 mV/s 的电压扫描速率获得突然 SET,通过慢速电压扫描(1.2 mV/s)通过电化学抛光获得逐渐 RESET。d. 通过电化学抛光获得的 RESET 过程显示稳定的量子电导平台,为 𝐺 0 的倍数。插图显示了扫描施加电压时量子电导平台随时间的稳定性。