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在65 nm技术中，用于精确时钟的新型辐射耐力低功率循环IP块
摘要：如今，现代粒子物理实验的前端电子设备需要非常精确的时钟信号，以供读取链中的不同元素。时钟分配系统，模拟和数字转换器的时间，千兆串行链路是需要抖动非常低的时钟信号的组件的示例。拟议的项目旨在开发新的辐射耐受性相锁环（PLL）IP块，用于抖动低于10 ps的时钟信号生成，或者在PLL控制中添加数字路径的情况下更好。该块将在现代TSMC 65 nm技术中开发，以允许其在EIC项目中考虑的未来读数ASIC中，尤其是在我们团体目前正在开发的SALSA MPGD读数芯片中。PLL也可以是具有相调整功能的低功率独立时钟扇出ASIC的基础，这对于特定的EIC前端应用可能需要。该项目将涵盖IP块的仿真和设计及其原型制作和验证。
原子层沉积结合湿法刻蚀制备亚5nm纳米台阶高度参考材料的研究
摘要：纳米台阶作为经典的纳米几何参考材料，在半导体工业中用于校准测量，因此控制纳米台阶的高度是保证测量准确的关键。为此，本研究采用原子层沉积（ALD）结合湿法刻蚀制备了形貌良好的高度为1，2，3和4nm的纳米台阶。利用三维保形ALD工艺有效控制制备的纳米台阶的粗糙度。此外，使用基于仿真的分析研究了表面粗糙度与高度之间的关系。本质上，粗糙度控制是制备临界尺寸小于5nm的纳米台阶的关键。在本研究中，通过ALD和湿法刻蚀相结合成功实现的纳米台阶的最小高度为1nm。此外，基于1nm纳米台阶样品，分析了标准材料质量保证的前提条件和制备方法的影响因素。最后，利用制备的样品进行时间依赖性实验，验证了纳米台阶作为参考材料的最佳稳定性。这项研究对制备高度在5纳米以内的纳米几何参考材料具有指导意义，并且该方法可以方便地用于制备晶片尺寸台阶高度参考材料，从而实现其在集成电路生产线中大规模工业化在线校准应用。
载姜黄素的 30 纳米以下靶向治疗性脂质纳米粒子可协同阻断鼻咽癌的生长和转移
摘要 全身化疗仍是晚期鼻咽癌 (NPC) 的主要治疗方法，但由于耐药性和全身毒性，过去十年中治疗效果有限。姜黄素 (Cur) 是一种有效的化疗替代品，因为它在 NPC 治疗中表现出了显著的治疗潜力。然而，缺乏组织特异性和在实体瘤中渗透性差是有效治疗的主要障碍。因此，在本研究中，构建了一种自组装的亚30纳米治疗性脂质纳米粒子，负载 Cur，命名为 Cur@α-NTP-LN，特异性靶向清道夫受体B类成员1 (SR-B1) 并增强其对体内 NPC 的治疗效果。我们的结果表明，Cur@α-NTP-LNs 在 NPC 细胞特异性靶向性、抑制细胞增殖和诱导细胞凋亡方面有效且优于游离 Cur。体内和体外光学成像显示，Cur@α-NTP-LNs具有较高的靶向性，可在鼻咽癌异种移植瘤中特异性地聚集并全身给药后将Cur递送至肿瘤中心。此外，Cur@α-NTP-LNs对鼻咽癌皮下肿瘤的生长表现出明显的抑制作用，与Cur和α-NTP-LNs治疗组相比，抑制率分别超过71％和47％。此外，在鼻咽癌肺转移模型中，Cur@α-NTP-LNs几乎阻断了鼻咽癌的转移，并显著提高了生存率。因此，亚30纳米Cur@α-NTP-LNs提高了Cur的溶解度，并表现出将Cur靶向递送到鼻咽癌实体肿瘤中心的能力，对鼻咽癌肿瘤的生长及其转移发挥高效的协同抑制作用。关键词：鼻咽癌 靶向治疗 姜黄素 肽 脂质纳米粒子
PGAD1S03H – 905 nm 脉冲半导体激光器，采用 SMD 封装，高功率激光二极管系列，适用于 LiDAR 和测距
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等离子增强的NIR -II下调荧光超过1500 nm，距离核 - 壳 - 壳灯笼纳米颗粒
本文报告了NAGDF 4：YB，ER，CE@NAGDF 4：YB，ND@NAGDF 4 Core-Shell-Shell-Shell downversion纳米粒子（CSS-DCNPS）在近红外第二个生物窗口（NIR-II：1000-1700 nm）中的光（csss-dcnps）报道。Through a precisely controlled plasmonic metallic nanostructure, fluorescence from Yb 3 + induced 1000 nm emission, Nd 3 + induced 1060 nm emission, and Er 3 + induced 1527 nm emission are enhanced 1.6-fold, 1.7-fold, and 2.2-fold, respectively, under an 808 nm laser excitation for the CSS-DCNPs coupled with a gold在980 nm激光激发下，ER 3 +诱导的ER 3 +诱导的1527 nm发射的孔CAP纳米架（Au-HCNA）的增强量可提高6倍。为了深入了解增强机制，通过FDTD模拟和寿命测量结果研究了ER 3 +诱导的NIR-II在1550 nm下的ER 3 +诱导的NIR-II排放的调节，这表明观察到的散热增强可归因于增强的激发和增强的辐射式差异的组合。
基于微束辐照的28nm工艺静态随机存取存储器单粒子翻转研究
摘要：静态随机存取存储器(SRAM)器件作为重要的星载电子设备,在其执行空间任务过程中不可避免地受到空间高能粒子辐照的影响。为揭示高能粒子对28nm工艺SRAM造成单粒子效应(SEE)的机理,基于针孔重离子微束装置,对单粒子翻转(SEU)敏感区定位和多单元翻转(MCU)分布特性进行了研究。结果表明:微束辐照引起的SEU实际范围为4.8μm×7.8μm。通过小步长(每步1μm)移动设备台,建立了SEU敏感区的一维定位方法,可以降低定位精度对束斑尺寸的依赖,定位精度可提高到1μm。 MCU测试表明，翻转模式与相邻SRAM单元内敏感区域的间距密切相关，并且通过阱接触和位交错可以降低MCU的概率。
使用量子金刚石显微镜对 8 nm 工艺节点芯片进行矢量磁流成像和 3D 电流分布
业界越来越倾向于采用三维 (3D) 微电子封装，这要求开发新的创新型故障分析方法。为此，我们的团队正在开发一种称为量子金刚石显微镜 (QDM) 的工具，该工具利用金刚石中的一组氮空位 (NV) 中心，在环境条件下同时对微电子进行宽视野、高空间分辨率的矢量磁场成像 [1,2]。在这里，我们展示了 8 nm 工艺节点倒装芯片集成电路 (IC) 中的二维 (2D) 电流分布和定制多层印刷电路板 (PCB) 中的 3D 电流分布的 QDM 测量结果。倒装芯片中 C4 凸块发出的磁场在 QDM 测量中占主导地位，但这些磁场已被证明可用于图像配准，并且可以减去它们以分辨芯片中微米级相邻的电流轨迹。通孔是 3D IC 中的一个重要组件，由于其垂直方向，因此仅显示 B x 和 B y 磁场，而使用传统上仅测量磁场 B z 分量（与 IC 表面正交）的磁强计很难检测到这些磁场。使用多层 PCB，我们证明了 QDM 能够同时测量 3D 结构中的 B x 、B y 和 B z 磁场分量，这对于在电流通过层间时解析通孔磁场非常有利。两个导电层之间的高度差由磁场图像确定，并且与 PCB 设计规范一致。在我们最初使用 QDM 为复杂 3D 电路中的电流源提供更多 z 深度信息的步骤中，我们证明了由于麦克斯韦方程的线性特性，可以从整个结构的磁场图像中减去各个层的磁场图像。这允许从设备中的各个层中分离信号，该信号可用于通过求解 2D 磁逆来映射嵌入式电流路径。这种方法提出了一种迭代分析协议，利用神经网络对包含各种类别的电流源、隔离距离和噪声的图像进行训练，并结合 IC 的先验信息，
增强超高分子量块共聚物链迁移率的策略，以访问大时尺寸（> 100 nm）
Cian Cummins，Alberto Alvarez-Fernandez，Ahmed Bentaleb，Georges Hadziioannou，Virginie Pon-Sinet等。Langmuir，2020，36（46），pp.13872-13880。10.1021/acs.langmuir.0c02261。hal-03033202
使用 3D 量子 TCAD 模拟解释在 1.4 K 下获取的 28 nm FD-SOI 量子点传输数据
摘要 — 采用标准制造技术制造的纳米级 CMOS 量子点器件在低温下的可靠运行对于量子计算应用至关重要。我们研究了使用意法半导体标准制造工艺在极低温度下制造的超薄体和埋氧 (UTBB) 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 量子点器件的行为。使用 Nanoacademic Technologies 最近开发的 3D 量子技术计算机辅助设计 (QTCAD) 软件模拟和分析了量子点器件的性能，实现了低至 1.4 K 的收敛。在本文中，我们介绍了这项工作的初步模拟结果，并将其与从同一器件的测量中收集的实际实验数据进行了比较。关键词-FD-SOI CMOS、硅量子点、量子计算、3D TCAD 模拟、低温
使用 3D 量子 TCAD 模拟解释在 1.4 K 下获取的 28 nm FD-SOI 量子点传输数据
采用标准制造技术制造的纳米级 CMOS 量子点器件在低温下可靠运行对于量子计算应用至关重要。我们研究了使用意法半导体标准制造工艺制造的超薄体和埋氧 (UTBB) 全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 量子点器件的极低温行为。使用 Nanoacademic Technologies 最近开发的 3D 量子技术计算机辅助设计 (QTCAD) 软件模拟和分析了量子点器件的性能，实现了低至 1.4 K 的收敛。在本文中，我们介绍了这项工作的初步模拟结果，并将其与从具有相同几何形状的设备测量中收集的实验数据进行了比较。2. 简介量子计算机使用量子位 (qubit) 作为其构建块，有望利用量子力学在各种传统技术上提供颠覆性优势。硅中的量子点为实现物理量子位提供了一种有前途的方法。在这种架构中，量子信息被编码到量子点内单个电子或空穴的自旋中[1, 2]。