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三重 3 输入与非门
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长江存储 232L TLC 3D NAND
鉴于当前的世界形势，许多中国半导体公司受到西方的限制，这一发展进一步增强了中国独立于西方技术运营的能力。尽管长江存储取得了成就，但仍然面临着艰巨的挑战，因为制裁将极大地影响他们大规模生产设备的能力，以及快速进入下一代技术的能力。
NAND Flash Memories中的许多革命
Marco Passerini于2004年从帕维亚大学获得电子工程学位博士学位后，Marco在Flash Memories领域担任Atmel的模拟设计师4年。2008年，他加入了新开设的意大利Spansion Center，致力于开发First CT（Charge Trap）-NAND。2012年，该中心被SK Hynix收购。目前，Marco是Italy SK Hynix的模拟团队负责人，在238层3D NAND开发中工作。
了解 NAND 闪存数据保留
2 容量定义 - KIOXIA Corporation 将 1 兆字节 (MB) 定义为 1,000,000 字节，1 千兆字节 (GB) 定义为 1,000,000,000 字节，1 太字节 (TB) 定义为 1,000,000,000,000 字节，1 拍字节 (PB) 定义为 1,000,000,000,000,000 字节。然而，计算机操作系统使用 2 的幂来报告存储容量，其定义是 1Gbit = 2 30 位 = 1,073,741,824 位，1GB = 2 30 字节 = 1,073,741,824 字节，1TB = 2 40 字节 = 1,099,511,627,776 字节，1PB = 2 40 字节 = 1,125,899,906,842,624 字节，因此显示的存储容量较小。可用存储容量（包括各种媒体文件的示例）将根据文件大小、格式、设置、软件和操作系统以及/或预装的软件应用程序或媒体内容而有所不同。实际格式化容量可能会有所不同。
FM25S01A 3.3V 1G-BIT SPI NAND 闪存
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在人工智能时代将缩放到1,000层3D NAND -MEDISEROMER
3D NAND垂直堆栈缩放缩放量主要是在膜沉积和蚀刻方面引起的挑战，这与设备通过功能尺寸减小进行缩放不同。与图案，隔离并连接垂直集成的3D存储器设备，需要难以高纵横比（HAR）蚀刻。通常将孔或沟槽的纵横比定义为深度与孔或沟槽宽度的比率。3D NAND制造中的关键过程包括替代堆栈膜沉积，高纵横比蚀刻和文字线金属化。找到位密度，读写速度，功率，可靠性和成本之间的平衡对于应用至关重要。当我们在结构中添加更多层，并且还有额外的资本支出，随着层的数量增加，增加更多的存储容量变得越来越昂贵。
4Gb 3.3V x1、x2、x4：SPI NAND 闪存
汽车应用。除非 Micron 在各自的数据表中明确指定为汽车级，否则产品并非设计或计划用于汽车应用。经销商和客户/经销商应承担全部风险和责任，并应赔偿 Micron 免受直接或间接因在汽车应用中使用非汽车级产品而导致的产品责任、人身伤害、死亡或财产损失索赔而引起的所有索赔、成本、损害、费用和合理的律师费。客户/分销商应确保客户/分销商与分销商/客户的任何客户之间的销售条款和条件 (1) 规定 Micron 产品不设计或不打算用于汽车应用，除非 Micron 在各自的数据表中明确指定为汽车级，并且 (2) 要求此类分销商/客户的客户对 Micron 进行赔偿并使其免受因在汽车应用中使用非汽车级产品而导致的产品责任、人身伤害、死亡或财产损失索赔而直接或间接引起的所有索赔、成本、损害、费用和合理的律师费。
提高 NAND 闪存设备芯片取证分析的可靠性
数字取证调查员通常需要从包含 NAND 闪存的被扣押设备中提取数据。许多此类设备都受到物理损坏，导致调查员无法使用自动化技术提取设备中存储的数据。相反，调查员转向芯片分析，他们使用基于热的程序从设备中物理移除 NAND 闪存芯片，并直接访问芯片以提取存储在芯片上的原始数据。我们对设备被扣押后引入多层单元 (MLC) NAND 闪存芯片的错误进行分析。我们有两个主要观察结果。首先，在设备被扣押和数字取证调查员进行数据提取之间，由于 NAND 闪存单元的电荷泄漏（称为数据保留错误），可能会引入大量错误。其次，当执行基于热的芯片移除时，由于施加到芯片上的高温会大大加速电荷泄漏，因此存储在 NAND 闪存中的数据中的错误数量可能会增加两个或更多个数量级。我们证明基于芯片分析的取证数据恢复程序具有相当大的破坏性，并且通常会导致 NAND 闪存中的大多数数据无法纠正，从而无法恢复。为了减轻取证恢复过程中引入的错误，我们探索了一种新的基于硬件的方法。我们利用现代 NAND 闪存芯片中实现的一种细粒度读取参考电压控制机制，称为读取重试，它可以补偿由于 (1) 保留损失和 (2) 基于热的芯片移除而发生的电荷泄漏。读取重试机制成功减少了错误数量，只要芯片在被扣押之前没有被大量使用，原始数据就可以在我们测试的芯片中完全恢复。我们得出结论
个人简介 - 姓名：Vidya Nand Singh 博士 研究领域
指导学生 1. Rahul Kumar 先生（SRF）：在读（指导老师） 2. Manoj Kumar 先生（SRF）：在读（指导老师） 3. Sanju Kumari 女士（SRF）：在读（指导老师） 4. Yogesh Singh 先生（SRF）：在读（指导老师） 5. Raman Kumari 女士（SRF）：在读（指导老师） 6. Mamta 女士（SRF）：在读（联合指导老师）（指导老师-KK Maurya 博士） 7. Varun Kumar 先生（在诺伊达 Amity 注册），（联合指导老师），指导老师；Surbhi 博士 DAC 成员近 25 名学生