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NAND 闪存的可靠性：平面单元和 3D 设备中出现的问题
摘要：我们回顾了对平面 NAND 闪存可靠性的最新理解，并讨论了最近向三维 (3D) 设备的转变如何影响该领域。特别强调了沿着存储器阵列的生命周期开发的机制，而不是时间零点或技术问题，观点集中在对根本原因的理解上。大量已发表的研究表明，闪存可靠性是一个复杂但易于理解的领域，尽管如此，设备缩放设置了越来越严格的约束。三维 NAND 抵消了传统的缩放方案，从而提高了性能和可靠性，同时提出了需要处理的新问题，这些问题由更新、更复杂的单元和阵列架构以及操作模式决定。彻底了解 NAND 单元操作和可靠性中涉及的复杂现象对于未来技术节点的开发仍然至关重要。
NAND会议会议记录2024年5月
Koroshetz博士审查了Ninds外校外计划预算，表明该研究所必须将常规支付线减少到第11个百分位数。这是由于面对科学成本增加的任何预算增加所致。在这种严峻的预算设定中，NINDS旨在为尽可能多的杰出调查人员提供资金，保护早期职业研究人员的计划，并保持其对基本神经科学的承诺。NINDS将在22％的22个百分位数中维持早期调查人员的延长支付线。Ninds自1998年以来通过基础和特殊拨款（大脑，HEAD，ADRD）支持了越来越多的个人。除了通过对竞争和非竞争赠款实施行政削减来管理预算限制外，Ninds还采用了一项新政策，以帮助管理赠款的上涨，以资助尽可能多的杰出调查人员。该政策要求响应NIH父级R01筹资机会的申请，要求超过500,000美元的直接费用，以取得超过一半的Ninds Payline。Koroshetz博士简要审查了NINDS内部计划预算，该预算具有相似的预算限制。
基于双层 NC-Si 浮栅的高密度多级存储 3D NAND 闪存
摘要：3D NAND闪存作为存储器计算的有力候选者，因其高计算效率而备受关注，其性能优于传统的冯·诺依曼体系结构。为确保3D NAND闪存真正融入存储器芯片的计算中，急需一种具有高密度和大开关电流比的候选者。本文，我们首次报道在双层Si量子点浮栅MOS结构中实现高密度多级存储的3D NAND闪存。最大的电容电压（CV）存储窗口为6.6 V，是单层nc-Si量子点器件的两倍。此外，在10 5 s的保持时间后可以保持5.5 V的稳定存储窗口。在充电过程中观察到明显的电导电压（GV）峰，进一步证实了双层Si量子点可以实现多级存储。此外，采用nc-Si浮栅的3D NAND闪存的开/关比可以达到10 4 ，表现出N型沟道耗尽工作模式的特征。经过10 5 次P/E循环后，存储窗口可以维持在3 V。在+7 V和-7 V偏压下，编程和擦除速度可以达到100 µs。我们将双层Si量子点引入3D NAND浮栅存储器，为实现存储器中的计算提供了一种新途径。
PHY256讲义：引入量子计算
其中∨是或门。其中每个函数f a（）是针对特定字符串x a的，它满足函数f（x a）=1。我们使用了三个门（和，或不）。使用这些，我们可以以等式1的形式构造任何布尔函数，从这个意义上讲，集合（和，或不）是用于经典计算的通用门集。和或单独的不是通用门集。集合（and OR）不是通用看到这一点的一种方法是查看图1。您无法将它们结合起来制作XOR。涉及n位的任何布尔逻辑操作都可以由涉及2位的NAND操作构建。因此，NAND是布尔逻辑电路的通用门集，因此用于经典计算。NAND门是通用的，因为所有其他逻辑计算都可以从NAND构建。例如，不通过将两个输入连接在一起来构造，而输出为nand（x，x）=不是x。an，由不（NAND（x，y））构造。其他大门源于NAND，和NOTS的组合。一些示例如图1所示。
美国股票研究
MU是NAND技术的领导者之一。它的1-alpha DRAM和176层的NAND坡道比该行业领先几个季度，并且进步良好，因为该公司继续鉴定使用这些节点的新产品。NAND内存（3D芯片）需求量很高。由于NAND不需要功率，因此它是具有高存储容量的每个字节的成本效益，并且很容易替换。它非常适合在移动设备，数据中心和汽车中使用，以及物联网应用程序。这是AI采用必不可少的组成部分之一，预计将在未来十年内看到强劲的增长。考虑到企业现场的数字转换，数据中心的增长是重要的。预计数据中心市场将从2021年至2026年以22.0％的复合年增长率增长。Big Tech名称的云服务，例如亚马逊的Amazon Web Services（AWS），Microsoft的Azure和Google Cloud，已成为其业务中增长最快的部分。根据其自己的估计，Micron预计，直到2025年，数据中心应用程序的DRAM的复合年增长率很快，NAND的CAGR为33％。自主驾驶还需要增加30倍以上的DRAM，而NAND则超过100倍，因为它从0级移动到5级或完全自动化。Micron自己对汽车DRAM增长的估计表明，直到2025年，NAND的复合年增长率为40％和49％。记忆价格在1H23触底，并在2024年进一步提高。我们预计记忆细分市场将在2024年为该行业的总体半导体收入中预期增长16.8％的Y-O-Y。Micron Project要求在未来几年内以DRAM的中期和20年代百分比范围增长。期望有强大的FY25，这是对AI PC，AI电话和持续数据中心AI增长的需求驱动的。超过80％的Micron DRAM产量和NAND生产的90％以上是在领先的节点上。Micron正在逐步升级下一代DRAM和NAND节点，计划的数量生产计划为2025。这为可观的收入记录创造了有利的设置，并提高了盈利能力，并支持该集团的长期增长。总体而言，预计2024年的行业供应将低于DRAM和NAND的需求。维持较高的TP每股167.10美元的买入。鉴于前景的改善，我们的TP将其固定在4.2倍前进PB（前面为3.6倍），该tp仍低于同行的平均值C.5-6倍。Micron良好地定位是多年AI驱动的增长在数据中心到边缘的存储需求中的主要受益者。
UT81NDQ512G8T 数据表 datasheet-vrg8651-vrg8652.pdf VRG8601/02 datasheet-ut28f256Qle 06 2022
Frontgrade的NAND Flash基于三级单元格（TLC）NAND技术，提供了单个JEDEC 132-BGA软件包中一些最高密度设备。此高性能存储器设备包装在JEDEC标准单132个塑料球网格阵列（PBGA）中。该设备支持同步和异步数据接口，以传输每个模具中的命令，地址和数据，并且是符合开放的NAND FLASH接口（ONFI）4.0。UT81NDQ512G8T遵循PEM-INST-001（NASA EEE-INST- 002） - 2级流量资格。
可逆计算
论文提出了一种功耗为零的技术。扇出和异或不是双射（它们不是从唯一的 x 到唯一的 y）。但两者都可以表示为单个可逆函数。扇出有额外的输入，而异或有额外的输出。垃圾：未用于函数的位。论文的基本定理：每个有限函数都可以通过将其嵌入更大的空间来表示为可逆实现。NAND 门 - 通用门。每个操作都可以使用多个 NAND 门来表示。可逆通用原语：我们通过构建 AND 门的可逆实现来获得 NAND 和 AND 门。布尔环：环就像一个具有 2 个运算的向量空间：加法和乘法。NAND 对于常规逻辑和可逆计算都是通用的。临时存储：存储和计算可以同时进行 - 这是该技术的一个新属性。每个可逆函数都可以表示为 theta 1、theta 2 和 theta 3 的组合。
chip-off-forensic_dfrws17.pdf - 卡内基梅隆大学
数字取证调查员通常需要从包含 NAND 闪存的被扣押设备中提取数据。许多此类设备都受到物理损坏，导致调查员无法使用自动化技术提取设备中存储的数据。相反，调查员转向芯片分析，他们使用基于热的程序从设备中物理移除 NAND 闪存芯片，并直接访问芯片以提取存储在芯片上的原始数据。我们对设备被扣押后引入多层单元 (MLC) NAND 闪存芯片的错误进行分析。我们有两个主要观察结果。首先，在设备被扣押和数字取证调查员进行数据提取之间，由于 NAND 闪存单元的电荷泄漏（称为数据保留错误），可能会引入大量错误。其次，当执行基于热的芯片移除时，由于施加到芯片上的高温大大加速了电荷泄漏，NAND 闪存中存储的数据中的错误数量可能会增加两个或更多个数量级。我们证明基于芯片分析的法医数据恢复程序具有相当大的破坏性，并且通常会导致 NAND 闪存中的大部分数据无法纠正，从而无法恢复。为了减轻法医恢复过程中引入的错误，我们探索了一种新的基于硬件的方法。我们利用现代 NAND 闪存芯片中实现的一种细粒度读取参考电压控制机制，称为读取重试，它可以补偿由于 (1) 保留损失和 (2) 基于热的芯片移除而发生的电荷泄漏。读取重试机制成功减少了错误数量，只要芯片在被扣押前没有被大量使用，原始数据就可以在我们测试的芯片中完全恢复。我们得出结论，读取重试机制应该作为法医数据恢复过程的一部分。© 2017 作者。由 Elsevier Ltd 代表 DFRWS 发布。这是一篇根据 CC BY-NC-ND 许可证开放获取的文章（ http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/ ）。
安全固态驱动器（SSD）Mercury Trrust-Stor®MissionPak
Mercury Trrust-Stor MissionPak SSD通过将最新生成的Armor®3DNAND处理器与AES-256 XTS加密，多种关键管理模式和自我毁灭能力集成到越来越紧密的水上，水力增强的形式设计的效果，从而扩展了手持式存储的概念。MissionPak SSD在SLC模式下使用TLC NAND，包括流行的Asurre-Stor®SSD的安全性和证书。这是关键任务应用程序的理想选择，在这些应用程序中，可靠性，安全性和坚固化是任务成功的关键。