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SSD挑战（LEO）应用中的SSD挑战
•RAD测试样品（在TID测试期间运行）•被动样本作为冷备用（未安装）•在TID测试之前，对两个样品进行了100％NAND ECC筛查。•Micron 64L 3D TLC（SLC模式）•偏置和操作的Micron and One合作效果很好，并表现良好，直到测试结束 - 40Krad（SI）（SI）与LEO的长达10年的任务相对应。
F50L1G41LB (2M) 闪存
一般描述 串行电气接口遵循行业标准串行外设接口 (SPI)，在必须将引脚数保持在最低限度的系统中提供经济高效的非易失性存储器存储解决方案。该设备是基于标准并行 NAND 闪存的 1Gb SLC SPI-NAND 闪存设备，但为 SPI 操作定义了新的命令协议和寄存器。它也是 SPI-NOR 的替代品，与 SPI-NOR 相比，具有更出色的写入性能和每位成本。命令集类似于通用 SPI-NOR 命令集，经过修改以处理 NAND 特定的功能和新功能。新功能包括用户可选择的内部 ECC。启用内部 ECC 后，当将页面写入内存阵列时，会在内部生成 ECC 代码。ECC 代码存储在每个页面的备用区域中。当将页面读入缓存寄存器时，将再次计算 ECC 代码并将其与存储的值进行比较。如有必要，将纠正错误。该设备输出更正后的数据或返回 ECC 错误状态。
半导体和半导体行业
提高半导体性能对于满足机器学习、汽车电气化和高性能计算等快速增长的市场需求以及支持美国国家安全利益至关重要。半导体行业采用多种策略来提高不同类型芯片的性能和能源效率，包括制造具有更密集电路、新架构和新材料的芯片。对于逻辑芯片（例如，用于计算设备的中央数据处理），制造业在过去六十年中不断缩小关键电子功能的尺寸，并使用更密集的电路来提高计算能力。某些先进的存储芯片（例如，用于长期存储视频和音乐的 NAND 闪存）使用了新的架构，其中制造商竞相将一层层的存储单元堆叠在一起，就像建筑物的地板一样；最先进的 NAND 闪存芯片有 200 多层。用于汽车电气化的下一代电源管理芯片越来越多地使用硅以外的材料，称为复合半导体，例如碳化硅。另一种提高半导体器件性能的新兴策略是使用先进的封装技术；例如，在同一封装内将芯片堆叠在一起，以改善芯片间的通信。
F50L1G41LB（2M）Flash
一般说明串行电气接口遵循行业标准的串行外围界面（SPI），在系统中提供了具有成本效益的非挥发存储器存储解决方案，在该系统中，必须将PIN计数保持在最低限度。该设备是基于标准并行NAND Flash的1GB SLC SPI-NAND闪存设备，但是为SPI操作定义了新的命令协议和寄存器。它也是Spi-nor的替代方法，提供了出色的写作表现，并且每位比Spi-Nor提供了成本。命令集类似于常见的spi-nor命令集，已修改以处理NAND特定功能和新功能。新功能包括可选择用户的内部ECC。启用了内部ECC，当页面写入内存数组时，内部生成了ECC代码。ECC代码存储在每个页面的备用区域中。当将页面读取到高速缓存寄存器时，将再次计算ECC代码并将其与存储值进行比较。必要时会纠正错误。该设备要么输出校正数据或返回ECC错误状态。
SanDisk® 汽车嵌入式存储解决方案
汽车行业正处于颠覆性技术阶段的风口浪尖 — 汽车不仅仅是机械引擎，更是驱动下一代硬件和软件需求的车轮上的计算机。随着汽车变得互联和自动化，大量数据正在被创建和使用。可靠、高容量的托管 NAND 是存储和分析这些数据的理想解决方案。SanDisk 提供经过验证的汽车级产品组合，专为满足互联汽车市场不断变化的需求而设计。
汽车嵌入式存储解决方案
汽车行业正处于颠覆性技术阶段的风口浪尖——汽车不仅仅是机械发动机，更是驱动下一代硬件和软件需求的车轮上的计算机。随着汽车变得互联和自动化，大量数据正在被创建和使用。可靠、高容量的托管 NAND 是存储和分析这些数据的理想解决方案。西部数据提供经过验证的汽车级产品组合，专为满足互联汽车市场不断变化的需求而设计。
micron-产品手册-en.pdf
性能。强大。精准。美光 7450 SSD 可实现多种外形尺寸、高达 16TB 级的容量和多种安全选项的高级存储解决方案。软件定义存储、数据库和虚拟化解决方案在美光 7450 上表现出色，这得益于其 PCIe ® Gen4 吞吐量、低延迟和出色的服务质量。这款垂直集成解决方案包括许多美光开发的技术，例如其业界领先的 176 层 NAND 30，可提供低于 2ms 31 的服务质量、控制器、固件和内存。
应力膜直接图案化对马鞍形翘曲的应力分析与优化
摘要 随着三维集成电路（3D-IC）堆叠的增加，由于不对称马鞍形翘曲的增加，机械应力问题具有挑战性。通过在晶圆背面形成数十微米的沟槽或进行激光退火处理来减少不对称翘曲的各种方法已被提出，但它们的产量低或缺乏改进价值。在本文中，我们提出了一种通过在晶圆背面直接涂覆来降低取决于翘曲形状的机械应力的新方法。所提出的方法是通过使用喷墨打印对感光聚酰亚胺（PSPI）进行图案化以调整表面特性和台阶，然后沉积具有高压应力的四乙基硅酸酯（TEOS）薄膜来释放翘曲。利用ABAQUS有限元分析软件，测量了裸晶圆在工艺前后沿x轴和y轴方向的不对称弯曲变化。通过实验和仿真，在300mm晶圆上部分沉积10µm厚的TEOS膜时，x-y方向的倾斜度约为230µm。此外，利用该工艺，可以根据TEOS膜厚度和面积的变化来释放局部弯曲（翘曲）。这些结果为解决堆叠工艺引起的异常翘曲提供了有效的指导，可应用于先进封装中的3D集成。关键词 翘曲、马鞍形翘曲、NAND、3D NAND、背面图案化
产品简介：汽车 iNAND AT EM122 - Western Digital
汽车行业正处于颠覆性技术阶段的风口浪尖——汽车不仅仅是机械发动机，更是驱动下一代硬件和软件需求的车轮上的计算机。随着汽车变得互联和自动化，大量数据正在被创建和使用。可靠、高容量的托管 NAND 是存储和分析这些数据的理想解决方案。西部数据提供经过验证的汽车级产品组合，专为满足互联汽车市场不断变化的需求而设计。
2022 年年度报告
2022年全球经济受到疫情、战争、通胀、加息、地缘政治等因素冲击，抑制市场需求，造成库存过剩。旺宏电子长期耕耘高质量应用市场，成效显著，有效缓解终端需求波动影响，逆势维持相对稳定表现，让旺宏电子营收维持高位，以优质服务与高质量维持产品价格。旺宏电子全年毛利率较上年(2021年)增加2.6%，表现不俗。面对经济下行、产业与客户库存调整等因素，旺宏电子紧随推出减产措施，控制库存水位，并转移资源加速技术开发，让旺宏电子在制程技术上抢占先机，进一步提升长期竞争力。 2022年营运表现如下：全年合并营业净额为新台币434.87亿元，全年合并毛利为新台币192.38亿元，全年平均毛利率提升至44.2%，税后净利为新台币89.7亿元，EPS为新台币4.85元。营业活动现金流入为新台币116.56亿元，投资活动现金流出为新台币103.39亿元，期末现金等价物为新台币197.64亿元，负债率降低至37.3%，每股账面值提升至新台币28.38元，股东权益回报率为18%。旺宏电子多年来致力创新研发，专利强化其与竞争对手的壁垒。以专利为例，旺宏电子2022年在各国申请专利共计240件，截至2022年底，旺宏电子全球专利数达8,894件，除专利数量位居半导体产业前列外，更在全球拥有大量优质关键技术及商业机密，这些对于维持公司竞争力，在全球非挥发性内存市场占据领先地位至关重要。去年(2022)，旺宏电子不仅荣获2022 EE Awards Asia 车用电子解决方案供应商殊荣，更连续第二年荣获年度最佳内存产品奖。此外，旺宏电子也于2023年入选LexisNexis全球百大创新者，这些肯定，都显示旺宏电子勇于创新，坚持产品改良，并有能力为客户创造增值应用，这也是旺宏电子能在众多竞争对手中脱颖而出的原因。在制程与产品开发方面，ROM在2022年占年营收的25%。NOR Flash 占年营收 55%，目前正向高附加值市场拓展，例如 256Mb 以上高密度产品占 NOR Flash 营收比重逐年提升，截至 2022 年已达 50%，并正加速开发全球首款超高密度 3D NOR Flash，有助拓展高容量 NOR 市场。此外，来自车用、工业、医疗、航太等优质应用领域的 Flash 产品营收已达 41%，将成为旺宏业务成长的最大推动力之一。车用应用领域营收较上年 (2021) 大幅增加 43%，位元出货量也创下历史新高，过去五年位元出货量年复合增长率达 30%，累计出货量突破 5.6 亿颗。 NAND Flash方面，全年营收占比11%，96层3D NAND Flash产品已于去年底(2022)开始量产，将逐步贡献营收，预计今年(2023)可完成192层3D NAND Flash产品的开发，并持续开发更高层数堆叠技术，满足客户更高容量产品的需求。随着数据中心、人工智能、车用市场、5G等快速发展，内存芯片的应用也愈加广泛，旺宏电子秉持研发技术、产能、严谨品管的精神，以及为客户提供高效能、高可靠度内存解决方案的承诺，获得多项优异的认证与肯定，例如Octaflash取得ISO 26262车用电子功能安全最高等级ASIL D认证，获得全球各大车用芯片厂的认可。而96层3D NAND Flash产品已于去年底(2022)开始量产，将逐步贡献营收，预计今年(2023)可完成192层3D NAND Flash产品的开发，并将持续发展更高层数堆叠技术，满足客户对更高容量产品的需求。随着数据中心、人工智能、车用市场及5G等快速发展，内存芯片的应用也愈加广泛，旺宏电子秉持研发技术精神、生产能力、严谨品管，以及提供客户高效能、高可靠度内存解决方案的承诺，并因此获得优异的认证与认可，例如Octaflash取得ISO 26262车用电子功能安全最高等级ASIL D认证，受到全球各大车用芯片厂认可。而96层3D NAND Flash产品已于去年底(2022)开始量产，将逐步贡献营收，预计今年(2023)可完成192层3D NAND Flash产品的开发，并将持续发展更高层数堆叠技术，满足客户对更高容量产品的需求。随着数据中心、人工智能、车用市场及5G等快速发展，内存芯片的应用也愈加广泛，旺宏电子秉持研发技术精神、生产能力、严谨品管，以及提供客户高效能、高可靠度内存解决方案的承诺，并因此获得优异的认证与认可，例如Octaflash取得ISO 26262车用电子功能安全最高等级ASIL D认证，受到全球各大车用芯片厂认可。