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低密度脂蛋白：用于靶向输送的多功能纳米级平台
纳米技术的开发和应用在医疗ELD方面取得了显着进步。各种纳米尺度的构建块为诊断和治疗疾病提供了替代的输送选项。1 - 4食品药物管理局（FDA）已批准了几种纳米载体，用于癌症或其他疾病的临床成像和治疗，例如脂质体和基于脂质的纳米颗粒，蛋白质纳米颗粒，聚合物胶束，无机纳米颗粒等。5 - 8然而，大多数纳米载体被困在临床前研究中，原因有很多：批处理综合，生物相容性问题，缺乏合适的靶向选择部位，尤其是潜在的免疫毒性。9,10理想的纳米载体应具有出色的生物相容性，效果和靶向能力。由于基于脂蛋白的天然纳米颗粒可以满足这些要求，因此这是纳米医学的一个有希望的方向。11
量子和纳米级材料工程的高级平台
有几种合金成分，包括硅，erbium，Neododmium，Gold和Bismuth。使用我们多年的专业知识，我们确保每个源以最大的稳定性流动。也可用于氢，氮，氧和其他气态元件。我们正在不断开发新来源 - 有关可用元素的最新列表，请参见我们的网站。
由于非热微/纳米级声子群，热传输超过体积热传导
由于非热微/纳米级声子群，热传输超过体积热传导 Vazrik Chiloyan a , Samuel Huberman a , Alexei A. Maznev b , Keith A. Nelson b , Gang Chen a * 1 a 麻省理工学院机械工程系，美国马萨诸塞州剑桥 02139 b 麻省理工学院化学系，美国马萨诸塞州剑桥 02139 虽然经典的尺寸效应通常会导致有效热导率降低，但我们在此报告
紫外线反射多孔纳米级周期孔阵列...
图1。（a）4H-SIC纳米级周期孔阵列的制造过程插图。SEM图像显示了孔阵列的顶视图和横截面视图。（b和c）分别由AFM采集的孔阵列的表面地形图3D图像和横截面线轮廓。
具有纳米级分辨率的 3D 打印二氧化硅
具有良好潜在应用前景的纳米结构无机材料引起了基础和实际方面的广泛研究关注。SiO 2 (二氧化硅) 是最广泛使用的无机材料之一，在微电子 1、2 、微机电系统 3、4 和微光子学 5、6 等领域需要具有纳米级分辨率的制造方法。为了制造具有所需纳米结构的二氧化硅，通常需要复杂的自上而下的图案化工艺，包括热氧化 7 和化学气相沉积 8，然后进行干 9、10 或湿 11、12 蚀刻步骤。虽然已经开发出具有高产量的成熟加工技术，但这些技术涉及使用危险化学品（例如抗蚀剂、显影剂和蚀刻剂）并且需要复杂的制造设备。此外，使用自上而下的制造方法实现纳米分辨率的复杂和/或不对称的三维 (3D) 结构非常具有挑战性。因此，对能够生产具有复杂几何形状和化学变化的 3D 二氧化硅结构的直接纳米制造技术的需求很大。新兴的增材制造 (AM) 技术或使用数字设计的 3D 打印可以通过逐层沉积 13-16 创建精细结构，以生成复杂的结构并简化制造过程。更重要的是，作为一种已得到充分证明的自下而上的技术，据报道 3D 打印可以构造曲线基底 17、非平面表面 18 和曲折的 3D 图案 19，这些超出了传统自上而下的图案化方法的能力。熔融石英玻璃的 AM 是通过对无定形富含二氧化硅的浆料 20 进行立体光刻实现的，分辨率为几十微米。尽管已经制造出具有出色光学和机械性能的明确结构，但商用 3D 打印技术提供的空间分辨率相对较低，限制了它们在微电子、微机电系统和微光子学中的应用。新兴的微数字光处理技术 2
对CMOS数字电路的泄漏减少技术的调查纳米级制度
摘要电池驱动的便携式系统是现代时代的生命线。非常大规模的集成（VLSI）设计师一直在努力提高便携式系统的性能。小尺寸，快速响应和高电池备份是便携式系统的主要因素。将金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）尺寸缩放为设计低尺寸系统。必须在每个新技术节点上缩放电源和阈值电压，以保持设备的性能。缩放设备阈值电压会产生泄漏电流。泄漏电流的量在集成水平上很大，并且会损害系统的特性。因此，需要泄漏电流缓解措施，尤其是在较低技术节点，以增加便携式系统的电池备份。减少泄漏技术的数量在不同的抽象水平下可用。在本评论论文中，使用不同现有电路泄漏技术的目标探索了低功率VLSI场的系统流。nand3门通过使用不同的现有泄漏技术来进行比较目的设计和模拟在16 nm技术节点上。
利用宽电磁波谱和独特的纳米级特性进行无化学水处理
清洁水对于饮用水、工业过程和水生生物至关重要。现有的水处理和基础设施是化学密集型的，基于近百年前的技术，无法满足现代大型分散社区的需求。下一代水处理可以通过利用纳米材料从电磁频谱中获取能量，从而实现电气化和太阳能技术，从而摆脱过时的技术。过去十年，纳米材料的设计、合成、特性和材料性能评估取得了巨大进步。要实现这些进步的好处，需要更加关注将纳米材料嵌入反应堆表面和内部，并应用外部能源。这将使基于纳米材料的工艺取代维多利亚时代的化学密集型水处理技术。
氮级的纳米级轻萃取器用于氮 -
dia-diamond中的负电荷氮态（NV）中心是光学发射器，其水平结构对外部扰动高度敏感，这使它们成为高度局部的电场和磁场，温度和应变的出色传感器[1-5]。NV中心对于量子计算和通信[6-10]以及量子现象（例如量子纠缠和叠加）的研究非常重要[11，12]。但是，由于钻石中的高折射率（〜2.4），有效地提取NV荧光通常会引起人们的注意，这会导致钻石 - 空气接口 - 空气界面和总内部反射的高反射，对于更大的发射角度而言。以前的尝试从散装钻石中提取更多光的尝试主要涉及钻石本身的蚀刻（一个复杂的制造过程，可能会对NV的特性产生不利影响，例如旋转相干性）[13-19]或仍需要高繁殖的机油免疫性易变到iS i iS i iS iS formimentimperife conformentimplients ISS的相互作用（添加了相应的系统）（添加了相应的系统）（添加了相应的系统）[ - 23]。此外，NV中心周围钻石的精确蚀刻可能是一个重大的挑战，可能会损坏钻石的表面，从而导致化学终止的粗糙度和修改[24]，从而可以降低NV中心的量子性能[25，26]。在这里，我们设计了一个基于硅的纳米级轻萃取器（NLE），它位于平坦的，未完美的钻石表面的顶部，可以增强近地表NV发射器的光输出超过35倍，与未图案相比，将光线引导到狭窄的圆锥
使用C3H2F6使用C3H2F6
下一代半导体设备需要超低介电常数（ULK）材料，例如线结构后端的多孔SICOH，以使较低的电阻和电容（RC）时间延迟，但是，这些ULK材料在蚀刻过程中容易受到损坏。在这项研究中，纳米级牙线掩盖多孔的sicoH的蚀刻特征，例如蚀刻速率，蚀刻效果，表面损伤等。和等离子体特性，已使用双电频电容性耦合等离子体系统（DF-CCP）进行了研究，并通过使用用于低k介电蚀刻的常规C 4 F 8基于CC 4 F-CCP的气体进行了比较。结果表明，对于多孔SICOH的相似蚀刻速率和蚀刻率，与C 3 H 2 F 6的蚀刻相比，观察到较低的侧壁损伤。The analysis showed that it was related to less UV (less than 400 nm) emission and less fluorine radicals in the plasma for C 3 H 2 F 6 compared to C 4 F 8 , which leads to less fluorine diffusion to the sidewall surface of the etched porous SiCOH by the fluorine scavenging by hydrogen in C 3 H 2 F 6 .
应用卷积神经网络模型加速纳米级场效应晶体管非平衡格林函数模拟
摘要 我们研究了卷积神经网络 (CNN) 在加速双栅极 MOSFET 量子力学传输模拟（基于非平衡格林函数 (NEGF) 方法）中的应用。具体而言，给定电位分布作为输入数据，我们实现卷积自动编码器来训练和预测载流子密度和局部量子电容分布。结果表明，在 NEGF 自洽计算中使用单个训练好的 CNN 模型以及泊松方程可以为各种栅极长度产生准确的电位，并且所有这些都在比传统 NEGF 计算短得多的计算时间内完成。 关键词：纳米级 MOSFET、模拟、非平衡格林函数、卷积神经网络、卷积自动编码器 分类：电子器件、电路和模块