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NiCo2O4 薄膜中的异常 Nernst 和 Seebeck 效应
我们研究了 NiCo 2 O 4 (001) 外延膜中的塞贝克效应和异常能斯特效应，其中优先磁化方向垂直于薄膜平面。由于热电信号极小，我们定制了一个测量系统来检测微弱的电压信号。为了抑制来自测量电路中电触点的杂散电压信号，我们采取了以下措施。我们减少了带有超导磁体的商用低温恒温器输出与纳伏表之间的电触点数量。我们在制作电触点时采用银焊以降低剩余触点处的热电动势电压。通过采用这些措施，我们成功检测到小至 5 nV 的热电电压。与传统的铁磁金属相比，NiCo 2 O 4 的观测热电效率非常小。
二维范德华异质结构中的电气可调巨型Nernst效果
图S4。 扫描跨INSE通道的NERNST效果的光电流图：（a）设备示意图显示了跨INSE通道的GR/5L-INSE异质结构和电气检测的照明。 在此示意图之后，任何测得的电流都被迫流过半导体。 （b）与扫描光电流图同时测量的感兴趣区域的激光反射图。 这种测量使我们能够将激光的位置与观察到的信号相关联。 被选中的位置分别标记为石墨烯和INSE/石墨烯异质结构的位置1和2分别为位置（c）Nernst效应信号记录了不同的磁场和50µW的激光照明和50µW的激光照明和V_G = 0 V的位置1和2，位于1和2的位置，在1和2中亮着，在1和2的位置上，在Chemaine ElectereDere和Hersossctuction上闪闪发光。 裸露的石墨烯信号以蓝色显示，通过一个数量级放大，以更好地突出两条曲线之间的斜率差异。 进行测量是没有任何应用偏差的，因为它会掩盖Nern的效果，从而诱导图片中的其他光电流机制。 （d）扫描光电流图显示了在完整设备上的完整设备的测得的光电流，以-1T的施加了平面外电场。 （e）和（f）分别为0T和1T显示的类似扫描光电流图。图S4。扫描跨INSE通道的NERNST效果的光电流图：（a）设备示意图显示了跨INSE通道的GR/5L-INSE异质结构和电气检测的照明。在此示意图之后，任何测得的电流都被迫流过半导体。（b）与扫描光电流图同时测量的感兴趣区域的激光反射图。这种测量使我们能够将激光的位置与观察到的信号相关联。被选中的位置分别标记为石墨烯和INSE/石墨烯异质结构的位置1和2分别为位置（c）Nernst效应信号记录了不同的磁场和50µW的激光照明和50µW的激光照明和V_G = 0 V的位置1和2，位于1和2的位置，在1和2中亮着，在1和2的位置上，在Chemaine ElectereDere和Hersossctuction上闪闪发光。裸露的石墨烯信号以蓝色显示，通过一个数量级放大，以更好地突出两条曲线之间的斜率差异。进行测量是没有任何应用偏差的，因为它会掩盖Nern的效果，从而诱导图片中的其他光电流机制。（d）扫描光电流图显示了在完整设备上的完整设备的测得的光电流，以-1T的施加了平面外电场。（e）和（f）分别为0T和1T显示的类似扫描光电流图。
Magnonic自旋Seebeck和Altermagnets中的旋转nernst效果的原子自旋动力学模拟
镁带结构的特征是与手性相反的模式的能量分裂，即使在没有应用的外部领域和相对论效应的情况下，由于海森伯格交换相互作用中的各向异性。我们基于原型RUO 2（一种原型的“ D-Wave” Altermagnet）对基于从头开始的电子结构计算进行定量原子自旋动力学模拟，以研究由热梯度产生的镁电流。我们报告了大量自旋Seebeck和自旋Nernst效应，即纵向或横向自旋电流，具体取决于磁子相对于晶体的繁殖方向，以及与温度ProFile中的非线性相关的有限自旋积累。我们的发现与Altermagnetic自旋组对称性以及线性自旋波理论和半经典Boltzmann转运理论的预测一致。
inrim-物理学的高级计量
主题1需要提高热周期，计算和能源存储和运输等过程的效率，这增加了对热量管理的关注，从而扩大了感兴趣的领域，以减少尺寸。在此框架中，基于新概念对更高多功能性和可靠性的新概念的设计对研究和行业引起了极大的兴趣，必须得到计量学可追溯性的支持。作为热通量传感器，热电热电器在灵敏度方面代表了最佳选择。但是，这些设备受到困扰，但是几个缺点，例如它们是刚性结构，其感应区域具有几何约束，并且设备的微型化是有限的。克服这些局限性的一种有希望的方法是基于横向热电效应，特别是金属的NernST效应和非异常的Nernst效应（ANE），实现了主动传感表面。尽管Nernst效应比Seebeck效应要小，
涡旋熵和超大型不足的BI2SR2CACU2O8+x超导体的超导波动
超导体中的涡旋可以帮助识别出现现象，但是涡流的基本方面（例如它们的熵）仍然很众所周知。在这里，我们通过测量磁耐药性和对超薄纤维（≤2个单位细胞）的磁性抗性和Nernst效应，研究了不足的BI 2 SR 2 CACU 2 CACU 2 O 8+X中的涡旋熵。我们从具有不同掺杂水平的样品上的磁传输测量中提取伦敦穿透深度。它揭示了超级流动相位刚度ρs与超级传导过渡温度t c线性缩放，直至极不足的情况。在相同批次的超薄纤维上，我们通过芯片温度计测量Nern的效果。一起，我们获得了涡旋熵，并发现它用t c或ρs呈指数衰减。我们进一步分析了高斯超导波动框架中t c上方的nernst信号。在二维极限中电气和热电测量的组合提供了对高温超导性的新见解。
激光预热对磁化衬管惯性聚变的影响...
在 OMEGA 激光系统上进行的综合磁化衬套惯性聚变 (MagLIF) 实验旨在研究激光预热对内爆性能的影响。在模拟和实验中，用激光预热燃料都会提高中子产量，最大产量发生在最佳预热激光能量下。将预热能量增加到超过最佳值会降低中子产量。在模拟中，中子产量下降的速度取决于是否纳入能斯特效应。在 OMEGA 上的 MagLIF 预热阶段，能斯特效应会将磁场从燃料区域中心移出，并削弱磁通压缩。如果不包括能斯特效应，则模拟的超过最佳预热激光能量的产量下降将更加平缓，而不是实验中看到的急剧下降。模拟能够模拟实验中看到的测量离子温度的趋势。混合模型表明，在模拟燃料区域中加入来自壁面的混合会进一步降低产量并降低最佳预热激光能量。混合模拟预测，增加初始轴向磁场仍可能提高集成内爆的产量性能。
risea- 2025
Electrochemistry: Redox reactions, conductance in electrolytic solutions, specific and molar conductivity, variations of conductivity with concentration, Kohlrausch's Law, electrolysis and law of electrolysis (elementary idea), dry cell-electrolytic cells and Galvanic cells, lead accumulator, EMF of a cell, standard electrode potential, Nernst equation and its application to chemical cells, Relation between Gibbs energy change and电池的EMF，燃料电池，腐蚀。
2D扭曲
Moiré迷你吧类似于TBLG。 DMI但是，会更改图片并使系统更具异国情调。 TFBL中的DMI诱导了任何扭曲角度的丰富拓扑元音带结构。 扭曲角转向磁通大厅和北部电导率的控制旋钮。 与DMI的TFBL中的魔法角度出现在魔术角中。 在连续体的下限中，频带结构重建形成拓扑平面带的束。 对带隙，拓扑特性，平面频带数量，Hall和Nernst电导率的扭曲角度控制的奢华控制使TFBL从基本和应用的角度成为新的设备。 简介。 二维（2D）具有内在磁性的材料最近已实现[1，3]，在2D物质研究中开放了新的视野[4-26]。 在这些玻色子狄拉克材料中，发现磁各向异性可以克服热波动并在有限温度下稳定磁顺序。 2D磁系统中的外来物理学引起了寻找新型纳米磁量子设备的重要关注。 在很大程度上，骨气狄拉克材料的理论研究和实验实现是由其费米子对应物激励的。 对石墨烯的研究表明Moiré迷你吧类似于TBLG。DMI但是，会更改图片并使系统更具异国情调。TFBL中的DMI诱导了任何扭曲角度的丰富拓扑元音带结构。扭曲角转向磁通大厅和北部电导率的控制旋钮。与DMI的TFBL中的魔法角度出现在魔术角中。在连续体的下限中，频带结构重建形成拓扑平面带的束。对带隙，拓扑特性，平面频带数量，Hall和Nernst电导率的扭曲角度控制的奢华控制使TFBL从基本和应用的角度成为新的设备。简介。二维（2D）具有内在磁性的材料最近已实现[1，3]，在2D物质研究中开放了新的视野[4-26]。在这些玻色子狄拉克材料中，发现磁各向异性可以克服热波动并在有限温度下稳定磁顺序。2D磁系统中的外来物理学引起了寻找新型纳米磁量子设备的重要关注。在很大程度上，骨气狄拉克材料的理论研究和实验实现是由其费米子对应物激励的。对石墨烯的研究表明
关于锂离子电池和新兴电化学的前景的两天研讨会
本研讨会将以电化学的基础为基础，解释反应速率与当前密度，吉布斯自由能和电压，电势和激活能以及NERNST方程和浓度过电势之间的联系。在电池领域，讨论将涵盖阳极和阴极材料的结构，固体溶液和相变材料的电荷分离曲线的形状，电荷的状态，排放的状态，电池中的热量源，电池的热源产生来源以及电解质的选择。此外，研讨会将深入探究阻抗光谱，环状伏安法和Galvanostatic间歇性滴定技术的基础知识。凭借其动手会议，该研讨会将是促进行业和学术界专业人员之间互动的绝佳场所。
基于CMOS的小型多传感器平台，用于分析和诊断，Alexander Hofmann 1，FlorianKögler1，Elisa Hilbrecht 1，Victoria Dimo
图1：具有标准钝化为离子敏感层的CMOS ISFET，信号转换的扩展门电极和下方的MOSFET，对氢离子（H +）敏感。H +的吸附或释放改变了闸门的电池，这会改变源和排水之间的电流。因此，可以测量与与表面结合的H +离子成正比的电信号变化。与可自定义的特殊过程相比，标准CMOS流程中的ISFET可以开发和制造更具成本效益。，这也面临着几个挑战：首先，作为离子敏感层的标准钝化会引起对最大斜率的敏感性，因为在25°C时NERNST的59 mV/pH值和信号漂移中的59 mV/pH值。此外，ISFET的操作点移动和