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氮化钪作为网关 III-...
氮化钪作为光电人工突触装置的网关 III-氮化物半导体 Dheemahi Rao 1,2 和 Bivas Saha 1,2,3 1 材料化学和物理部，贾瓦哈拉尔尼赫鲁高级科学研究中心，班加罗尔 560064，印度。 2 国际材料科学中心，贾瓦哈拉尔尼赫鲁高级科学研究中心，班加罗尔 560064，印度。 3 先进材料学院，贾瓦哈拉尔尼赫鲁高级科学研究中心，班加罗尔 560064，印度。 基于冯诺依曼架构的传统计算受到存储和处理单元之间数据传输时间和能耗的限制。冯诺依曼架构在解决非结构化、概率和实时问题方面也效率低下。为了应对这些挑战，需要一种新的受大脑启发的神经形态计算架构。由于没有电阻电容 (RC) 延迟、高带宽和低功耗，光电人工突触装置极具吸引力。然而，稳定、可扩展且与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容的突触尚未得到证实。在这项工作中，未掺杂和掺杂镁的氮化钪 (ScN) 的光电导持久性等同于负责记忆和学习的生物突触的抑制性和兴奋性突触可塑性。展示了生物突触的主要功能，如短期记忆 (STM)、长期记忆 (LTM)、从 STM 到 LTM 的转换、学习和遗忘、频率选择性光学滤波、频率依赖性增强和抑制、赫布学习和逻辑门操作。
氮化硼和硬碳
相机械法、液相剥离或液氮中的气体剥离。然而，得到的h-BN材料往往存在表面积低或晶体结构低的问题9-12。最近，我们的研究小组报道了一种使用镁金属将非晶态h-BN转化为结晶h-BN的策略。13然而，这种熔融金属熔剂方法需要严格的转变条件（900℃），并且即使在热处理后采用酸洗程序也会引入潜在的杂质。此外，液态镁金属易燃，需要严格的惰性气体条件以及独特的不锈钢高压釜。另外，金属熔剂法不能控制反应并实现所需的结晶程度。在此，我们报道了一种优越的电化学方法，避免了使用熔融镁金属及其相关的安全隐患。我们假设是否有可能利用熔融的 MgCl 2 原位生成 Mg 金属，类似于之前使用熔融的 CaCl 2 的过程。14, 15
天文学和星体化学研究标题的未来空间实验平台氮化硅的多技术研究
摘要。X射线探测器用于太空天体物理任务易受噪声，该光子受到工作能量范围以外的能量的光子引起的噪声；因此，需要有效的外部光学阻断过滤器来保护检测器免受偏离辐射的影响。这些过滤器在满足X射线探测器的科学要求中起着至关重要的作用，并且它们在任务生活中的适当操作对于实验活动的成功至关重要。我们研究了由氮化硅和铝制成的薄三明治膜，作为空间任务中高能检测器的光学阻滞过滤器。在这里，我们报告了厚度在40 nm至145 nm的sin膜的多技术表征的结果，两侧有几十纳米的纳米含量。，我们已经测量了同步辐射束线时的X射线传输，紫外线的排斥，可见和近红外辐射，X射线光电谱的铝表面上天然氧化物的量，通过原子力显微镜的样品表面的形态和蛋白质效应。
氧化物/氮化物界面的室温铁磁性
Wensheng Yan 5 , Tao Zhu 1,4,12 , Lin Gu 1,2,12 , Scott A. Chambers 6 , Sujit Das 13 , Gang-Qin Liu 1,2,12 ,
氮化硼的加固：革命性铝 -
摘要。这项研究显示了基于铝制的复合材料制造（FSP）在基于铝制的复合制造中的革命性潜力。fsp，使用垂直铣床精确执行，制造具有非凡特性的复合材料。参数的细致选择，包括销钉直径，工具倾斜角度和旋转速度，可确保最佳结果。AA 2024基材经历安全粘连，并遵守清洁协议。SEM图像揭示了BN颗粒的同质分散，这对于优化机械，热和电气性能至关重要。将BN通过FSP掺入会导致各种机械性能的显着增强。拉伸强度提高了20.78％，硬度提高了34.44％，疲劳强度提高了23.83％，耐磨性增加了28.28％。这些改进强调了BN通过FSP增强的功效，为先进的复合制造提供了有希望的前景。这项研究体现了BN彻底改变该行业的潜力，为发展具有卓越机械特征的高性能铝制复合材料铺平了道路。
宽直接频段隙单层氮化碳CN2
是由此动机，引起了人们对新2D半导体进行光催化水分裂的关注。对于完全光催化的水分裂，2D半导体应具有合适的带边缘对准，以满足光催化水分裂的带结构需求，包括带隙大于1.23 eV，并相对于v h + vh + vh +较高的势值（vbm）和最小值（cbm），并导致距离较高（CBM）（CBM）。 v oh - /o 2 = - 5.67 eV）。7 - 10此外，要考虑pH值范围为0到14，2D半导体光催化剂的带隙应大于2.0 eV，以确保光催化水分的还原反应。11 - 14此外，足够大的过电势和强大的可见光光吸收对于确保足够的驱动能量和相对较高的太阳能转化效率也至关重要。基于上述，全面的2D
过渡金属氮化物卤化物电介质
利用第一性原理计算，我们研究了六种过渡金属氮化物卤化物 (TMNH)：HfNBr、HfNCl、TiNBr、TiNCl、ZrNBr 和 ZrNCl 作为过渡金属二硫属化物 (TMD) 沟道晶体管的潜在范德华 (vdW) 电介质。我们计算了剥离能量和体声子能量，发现这六种 TMNH 是可剥离的并且具有热力学稳定性。我们计算了单层和体 TMNH 在平面内和平面外方向的光学和静态介电常数。在单层中，平面外静态介电常数范围为 5.04 (ZrNCl) 至 6.03 (ZrNBr)，而平面内介电常数范围为 13.18 (HfNBr) 至 74.52 (TiNCl)。我们表明，TMNH 的带隙范围从 1.53 eV（TiNBr）到 3.36 eV（HfNCl），而亲和力范围从 4.01 eV（HfNBr）到 5.60 eV（TiNCl）。最后，我们估算了具有六个 TMNH 单层电介质和五个单层通道 TMD（MoS 2 、MoSe 2 、MoTe 2 、WS 2 和 WSe 2 ）的晶体管的电介质漏电流密度。对于 p- MOS TMD 通道晶体管，30 种组合中有 25 种的漏电流小于六方氮化硼 (hBN)，一种众所周知的 vdW 电介质。对于以 HfNCl 为栅极电介质的 ap -MOS MoSe 2 晶体管，预测最小双层漏电流为 1.15×10 -2 A/cm 2。据预测，HfNBr、ZrNBr 和 ZrNCl 也会在某些 p-MOS TMD 晶体管中产生微小的漏电流。