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天文学和星体化学研究标题的未来空间实验平台氮化硅的多技术研究
摘要。X射线探测器用于太空天体物理任务易受噪声，该光子受到工作能量范围以外的能量的光子引起的噪声；因此，需要有效的外部光学阻断过滤器来保护检测器免受偏离辐射的影响。这些过滤器在满足X射线探测器的科学要求中起着至关重要的作用，并且它们在任务生活中的适当操作对于实验活动的成功至关重要。我们研究了由氮化硅和铝制成的薄三明治膜，作为空间任务中高能检测器的光学阻滞过滤器。在这里，我们报告了厚度在40 nm至145 nm的sin膜的多技术表征的结果，两侧有几十纳米的纳米含量。，我们已经测量了同步辐射束线时的X射线传输，紫外线的排斥，可见和近红外辐射，X射线光电谱的铝表面上天然氧化物的量，通过原子力显微镜的样品表面的形态和蛋白质效应。
nitride的六角硼的原子特性。
六角硼硝酸盐（H-BN）由于其令人难以置信的电气，热和机械性能而近期引起了很多关注。其化学成分导致其化学惰性和无毒性，这使其与石墨材料不同（1）。过去，H-BN由于其摩擦学特性，即摩擦，润滑，表面相互作用。例如，这些特性已被理论上有效为航天器上的涂层，因为其在高温下保持其结构的能力（2，3）。对H-BN的分析较小，因为六角硼氮化硼纳米片（BNNS）也很感兴趣。正如已经发现石墨材料具有广泛的应用程序一样，BNN也是如此。bnns可以用作癌症药物递送的一种方法，因为它比基于石墨烯的材料更具生物相容性和毒性，但保留了许多相同的特性（4）。还发现了在量子信息中使用H-BN的动机，将量子通信科学用作“单光子发射器”（5）。我们对H-BN的特定兴趣源于其在高温下用作紫外光探测器的理论上的使用（6）。
六角硼硝化硼的深紫外光谱
从散装到单层guillaume cassabois laboratoire查尔斯·库仑（UMR5221）CNRS-montpellier University，F-34095 Montpellier，法国guillaume.cassabois.cassabois@umontpellier.fr Hexagonal Boron Nitride（Hexagonal Boron Nitride（Hbbn）依靠其低介电常数，高导热率和化学惰性。2004年，高质量晶体的生长表明，HBN也是深层硫酸群域中发光设备的有前途的材料，如加速电子激发[1]在215 nm处的激光证明[1]，也证明了激光的表现[1]，也证明了LASITIOL ELLICTER ELLICTIOL [1]，也证明了LASITER IN-type-type-type-type-type-typepe inter-typepe intype intype-ultraviolet [1]。具有类似于石墨烯的蜂窝结构，大量HBN作为具有原子光滑表面的石墨烯的特殊底物获得了极大的关注，更普遍地是范德华异质结构的基本构建块[3]。我将在此处讨论我们的结果，以从批量到单层的HBN的光电特性。i将首先关注散装HBN，这是一个间接的带隙半导体，具有非凡的特性[4]。i将介绍我们最近的测量结果，揭示了散装HBN中巨大的光 - 物质相互作用[5]。然后，我将向单层HBN讲话。在通过高温MBE在石墨上生长的样品中，在与原子上薄的HBN发射的共鸣中发现了最小的反射率，从而证明了单层HBN的直接带隙[6]。最近通过从散装晶体中去除的单层HBN中的深度硫酸盐中的高光谱成像进一步证实了这些结果[7]。参考
Thijssen，Quin
摘要：我们使用环境异常校正的电子显微镜在一系列氧气压力的氧化气环境中，在氧化气环境中能量电子在氧化气环境中的影响下，在氧化气环境中能量电子在氧化气环境中的损伤阈值和途径上提出了前所未有的结果。我们观察到损伤的级联反应，该过程抵抗损害，直到与碳纳米管相比，较高的电子剂量，启动了无缺陷的BNNT侧壁，并通过从结晶纳米管转换为从结晶纳米管转换为无定形的硼氮化物（bn），均可抵抗氧化。我们将碳纳米管氧化的先前结果进行比较，并提出了将两种情况下损害发作的模型归因于物理氧气层，从而降低了损害发作的阈值。出乎意料的是，升高的温度可提供防止损害的保护，电子剂量率显着超过了氧剂量率，而我们的模型将两种影响都归因于物理氧气人群。
表面重组和六角形硼硼的游离激子的平面外扩散率
1 Laboratory of Study of Microstructures, Onera-CNRS, University Paris-Saclay, BP 72, 92322 CHECTILLON CEDEX, France 2 University Paris-Saclay, UVSQ, CNRS, GEMAC, 78000, Versailles, France 3 Tim Taylor Department of Chemical Engineering, Kansas State University Manhattan, KS 66506, USA 4 Laboratory of Multimate and Interfaces, UMR CNRS 5615, Univ Lyon University Claude Bernard Lyon 1, F-69622 Villeurbanne, France 5 Laboratory Mateis, UMR CNRS 5510, Univ Lyon, INSA Lyon, F-69621 Villeurbanne, France 6 Research Center for Materials Nanoarchitectonics, National Institute for Materials Science, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044，日本7电子和光学材料研究中心，国家材料科学研究所，1-1 Namiki，Tsukuba，Tsukuba 305-0044，日本（日期：
氮化镓 MEMS 谐振器：残余应力如何影响设计和性能
摘要 — 从硅上外延生长的氮化镓 (GaN) 开始，设计、制造并表征了集成压电换能器的预应力微谐振器。在夹紧梁中，众所周知，拉伸应力可用于增加谐振频率。在这里，我们计算了预应力梁中平面外弯曲模式的模态函数，并推导出一个模型来预测谐振频率和压电驱动因子。我们表明，理论和实验结果之间可以获得良好的一致性，并推导出机电转换的最佳设计。最后，我们的模型预测了由于拉伸应力导致的品质因数增加，这已通过真空下的实验测量得到证实。这项研究展示了如何利用外延工艺产生的材料质量和初始应力。
带宽超过 100 GHz 的氮化硅高速光电二极管
从长途光纤链路到短距离无线网络，数字通信系统越来越依赖于光子集成电路。然而，对更高带宽的追求正在将当前的解决方案推向极限。硅光子平台因其可扩展性和成本效益而备受赞誉，它依赖于诸如硅上 III-V 族元素异质外延[ 3 ]或在 SOI 波导上放置锗鳍片[ 1 ]等解决方案，以实现超高速应用。在所有硅光子技术中，氮化硅 (SiN) 材料平台具有一些独特的优势：它们提供非常低损耗的波导，由于非常高 Q 值的谐振器而具有非常好的滤波器，并且由于没有双光子吸收（与硅相比），因此可以处理非常高的功率。然而在 SiN 上，无法直接生长。一种可能的解决方案是将 III-V 族元素晶圆键合到 SiN 波导上[ 2 ]。在这项工作中，我们提出了一种多功能且可扩展的方法，通过微转印（µTP）单行载流子（UTC）光电二极管在 SiN 上创建波导耦合光电探测器。
血浆诱导的六角硼硝化硼的光活性缺陷
六角硼硝酸盐（HBN）在过去十年中一直是众多研究工作的主题。是在HBN中产生光学活性缺陷，因为它们易于整合，例如在范德华（Van der Waals）异质结构及其室温光子发射。在HBN中创建此类缺陷的许多方法仍在研究中。在这项工作中，我们介绍了使用具有不同等离子体物种的远程等离子体在HBN中创建单个缺陷发射器的方法，并从统计上报告了结果。我们使用了氩气，氮和氧等离子体，并报告了由不同气体物种及其光学特性产生的发射器的统计数据。特别是，我们检查了血浆过程前后的去角质片的发射，而无需退火步骤，以避免产生不受血浆暴露引起的发射器。我们的发现表明，纯物理氩等离子体治疗是通过血浆暴露在HBN中创建光学活性缺陷发射器的最有希望的途径。
基于硅基氮化镓的微机电加速度计
1 G. Langfelder、M. Bestetti 和 M. Gadola，《微机械与微工程杂志》31 (8)，084002 (2021)。2 Chen Wang、Fang Chen、Yuan Wang、Sina Sadeghpour、Chenxi Wang、Mathieu Baijot、Rui Esteves、Chun Zhao、Jian Bai、Huafeng Liu 和 Michael Kraft，《传感器》20 (14)，4054 (2020)。3 V. Narasimhan、H. Li 和 M. Jianmin，《微机械与微工程杂志》25 (3)，033001 (2015)。4 DK Shaeffer，《IEEE 通信杂志》51 (4)，100 (2013)。5 LM Roylance 和 JB Angell，《IEEE 电子设备学报》26 (12)，1911 (1979)。 6 AA Barlian、W. Park、JR Mallon、AJ Rastegar 和 BL Pruitt，IEEE 97 论文集 (3)，513 (2009)。7 S. Tadigadapa 和 K. Mateti，测量科学与技术 20 (9)，092001 (2009)。8 O. Le Traon、J. Guérard、M. Pernice、C. Chartier、P. Lavenus、A. Andrieux 和 R. Levy，在 2018 年 IEEE/ION 位置、定位和导航研讨会 (PLANS) 上发表，2018 年（未发表）。9 O. Lefort、I. Thomas 和 S. Jaud，在 2017 年 DGON 惯性传感器和系统 (ISS) 上发表，2017 年（未发表）。
用于高性能片上微型超级电容器的伪电容氮化钒厚膜中电荷存储机制的新见解
Kevin Robert、Didier Stiévenard、D. Deresmes、Camille Douard、Antonella Iadecola 等人。高性能片上微型超级电容器的伪电容性氮化钒厚膜电荷存储机制的新见解。能源与环境科学，2020 年，13 (3)，第 949-957 页。�10.1039/c9ee03787j�。�hal-02553060�