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具有磁性和半导体性质的阳离子无序锰锡氮化物 MnSnN2 薄膜的组合合成
摘要：磁性半导体可能很快会提高微电子的能源效率，但具有这些双重特性的材料仍未得到充分探索。在此，我们报告了一种新的磁性和半导体材料 MnSnN 2 的计算预测和实现，通过薄膜组合溅射。掠入射广角 X 射线散射和实验室 X 射线衍射研究表明，MnSnN 2 表现出具有阳离子无序性的纤锌矿状晶体结构。这种新材料具有较宽的成分公差，单相区域范围为 20% < Mn/(Mn + Sn) < 65%。光谱椭圆偏振法确定光吸收起始点为 1 eV，与计算预测的 1.2 eV 带隙一致。电阻率测量与温度的关系支持了 MnSnN 2 的半导体性质。霍尔效应测量表明载流子密度与温度呈弱负相关，这表明电荷传输机制比原始半导体更复杂。磁化率测量表明 MnSnN 2 具有低温磁有序转变（≈ 10 K）和强反铁磁相关性。这一发现与块体阳离子有序 MnSiN 2 和 MnGeN 2 形成对比，在之前的研究中，它们在 400 K 以上表现出反铁磁有序。为了探究这种差异的起源，我们对阳离子有序和阳离子无序的 MnSnN 2 进行了蒙特卡罗模拟。他们发现阳离子无序降低了相对于有序相的磁转变温度。除了发现一种新化合物外，这项工作还表明，未来的努力可以利用阳离子（无）序来调整半导体材料中的磁转变，从而精确控制微电子特性。■ 简介
氮化硅上的 UTC 光电二极管可实现 300 GHz 的 100 Gbit/s 太赫兹链路
简介：下一代无线网络将依靠更小的蜂窝和更大的带宽来增加容量。通过保持无线电头硬件简单，光纤无线电技术可以实现这种密集的基站网络。利用硅光子技术实现基站硬件的小型化，可以降低尺寸和成本。对于微波光子应用，氮化硅 (SiN) 平台提供损耗极低的波导和一些最好的集成滤波器。然而，随着转向更高的载波频率，在毫米波和太赫兹频段，对光电二极管带宽的要求也会增加。当前的 SiN 平台缺少这种光电二极管，因此阻碍了高频微波光子应用。[1] 我们展示了一种 300 GHz 的通信链路，该链路由 SiN 上的异构集成单行载波 (UTC) 光电二极管作为发射器中的光电换能器实现。
六边形硼硝酸盐调节聚（乙烷氧化乙烷） - 纳米3电解质的结晶度和电荷迁移率
摘要：用于固态钠（NA）电池的复合固体聚合物电解质（CSP），由于其高模量，良好的机械性能和相对于液体电解质的总体安全性而具有吸引力。重要的CSPE特性（例如结晶度和离子电导率）与填充材料的物理化学特征紧密相关。在这项工作中，我们研究了2D六角硼（2D H-BN）含量如何在聚（氧化乙烷）（PEO）基于Na-ion的CSPE中使用NANO 3作为模型盐进行Na-ion传导的聚（PEO）CSPES中的流动聚合物结晶度和离子电导率。使用X射线差异（XRD），差异扫描量热法（DSC）和电化学阻抗光谱镜（EIS），我们发现聚合物结晶度在H-BN浮动的存在中会增加，而总离子电导率相对降低了相对降低的样品。量子机械DFT计算揭示了H-BN与两个离子盐的两个离子结合的能力，更强烈地与Na +阳离子结合，迄今为止，在基于Na的聚合物电解质的情况下尚未报道。这项工作中的实验和计算效果的组合提供了关键的物理见解，以了解填充剂的几何特征和化学特征（即刘易斯酸度和刘易斯碱度）在CSP的设计中用于Na-ion传导。
单层六角硼硝化硼涂层的LAB6的工作函数降低，以改善光子和热电击速度
Los Alamos国家实验室是一项平权行动/均等机会雇主，由Triad National Security，LLC经营，为美国能源部国家核安全管理局根据合同89233218CNA000001运营。通过批准本文，出版商认识到，美国政府保留了不判有限定的免版税许可，以出版或复制已发表的此捐款形式，或者允许其他人出于美国政府的目的。洛斯阿拉莫斯国家实验室要求出版商根据美国能源部主持的工作确定这篇文章。Los Alamos国家实验室强烈支持学术自由和研究人员发表权；但是，作为一个机构，实验室并未认可出版物的观点或保证其技术正确性。
新兴污染物和致病性微生物消除了二次废水的氮化碳光催化过程
化学和生物学的水污染物的复杂性需要有效且可行的治疗方法。在此，使用氮化碳催化剂的光催化臭氧处理有效地用于消除靶向化学污染物的混合物，以及在实际的次级含水量中的大肠杆菌细菌和人类多瘤病毒JC（JC病毒）。在使用尿素和三聚氰胺作为前体制备的催化剂中比较了去角质处理。物理治疗没有明显增强基于尿素的催化剂，而三聚氰胺基（36MCN）材料的结构的改善和MELEM异质结的形成增加了其催化特性。在两组污染物中，光催化的臭氧化系统都优于光解臭，尤其是在臭氧消耗方面。最好的催化剂36mcn，导致消除化学，细菌和病毒污染物所需的臭氧剂量下降57.5％，33.0％和29.0％。羟基自由基还显示为污染物消除的钥匙。臭氧的较高的自由基生产和分解是可能的迹象表明，石墨氮化碳光催化臭氧化的性能更好，这是有效的第三级废水替代方案。
用于高性能片上微型超级电容器的伪电容氮化钒厚膜中电荷存储机制的新见解
Kevin Robert、Didier Stiévenard、D. Deresmes、Camille Douard、Antonella Iadecola 等人。高性能片上微型超级电容器的伪电容性氮化钒厚膜电荷存储机制的新见解。能源与环境科学，2020 年，13 (3)，第 949-957 页。�10.1039/c9ee03787j�。�hal-02553060�
金属涂层晶片上六方氮化硼的化学气相沉积及电阻开关器件的无转移制造
在电子设备结构中引入层状二维 (2D) 材料是提升电子设备性能和提供附加功能的一种有趣策略。例如，石墨烯（导电性）已用作电容器 [ 1 ] 和电池 [ 2 ] 中的电极，而过渡金属二硫属化物 (TMD)，例如 MoS 2 、 WS 2 和 WSe 2（半导体性），常用作场效应晶体管 (FET) 和光电探测器 [ 3 – 5 ] 中的沟道。六方氮化硼 (h-BN) 是由 B 和 N 原子排列成 sp 2 六方晶格的二维层状材料，其带隙为 5.9 eV [ 6 ]。因此，h-BN 是一种电绝缘体，并且在许多不同的应用中非常有用。到目前为止，h-BN 已被证明是一种非常可靠的 FET 栅极电介质，并且能够比高 k 电介质更好地抵抗电应力 [7,8]，因为
大大增强了由于六角硼氮化物中的自旋缺陷而通过低损坏等离子体纳米腔
摘要：硝酸氢硼（HBN）中带负电荷的硼空位（V B-）缺陷，其具有光学可寻址的自旋态由于其在量子传感中的潜在使用而出现了。非常明显地，当将其植入距HBN表面的纳米尺度距离时，V b-可以保留其自旋相干性，并有可能启用超薄量子传感器。但是，其低量子效率阻碍了其实际应用。研究报告了提高血浆v B-缺陷的总量子效率。但是，迄今为止报告的最多17次的总体增强功能相对较小。在这里，我们证明了使用低损坏纳米捕获天线（NPA）的V B-的发射增强。观察到总体强度增强高达250次，对应于NPA的实际发射增强约为1685次，以及保留的光学检测到的磁共振对比度。我们的结果将NPA耦合的V B-缺陷作为高分辨率磁场传感器，并为获得单个V B-缺陷提供了有希望的方法。关键字：二维材料，HBN，血浆，纳米腔，旋转缺陷，量子传感
薄膜合成，结构分析和新型三元过渡金属氮化金属MNCON2
最近的高通量计算搜索预测了许多新型的三元氮化物化合物为在未倍增的相位空间中提供了新的材料发现机会。然而，几乎没有任何预测和/或合成仅将过渡金属纳入新的三元氮化物中。在这里，我们报告了MNCON 2的合成，结构和性能，MNCON 2是一种仅包含过渡金属和N的新三元氮化物材料。我们发现，Crystalline MNCON 2可以在其竞争性的二进制物中稳定，并且在该系统的趋势中可以通过在狭窄的范围内控制该系统的趋势，以使其成为不型生长的趋势。我们发现，单相MNCON 2在阳离子隔离的岩石晶体结构中形成。X射线光电子光谱分析表明，MNCON 2通过各种氧化物和氢氧化物与表面上钴结合的氧气敏感。X射线吸收光谱用于验证Mn 3 +和Co 3 +阳离子是否存在于八面体的协调环境中，这与CON和MNN二元组的组合不同，并且与基于岩石基的晶体结构预测一致。磁性测量表明，MNCON 2在10 K以下具有倾斜的抗磁磁基态。我们提取θ= -49的Weiss温度。7 K，突出显示了MNCON 2中的抗磁相关性。
联合研究的启动是为了评估硝酸硅陶瓷底物的热扩散率
氮化硅陶瓷底物在活性金属悬挂（AMB）底物中起着关键作用，用于电动模块，其应用包括电动汽车（EV）和混合电动汽车（HEV）电动机控制的逆变器。这些基材在功率半导体模块操作过程中具有散热的函数。同时，底物越细，其热扩散率越高，功率半导体模块的操作效率越大。增加的电动汽车和HEV的采用量正在推动针对高功率设计的功率半导体模块的更多使用，从而最终导致对较薄的底物的需求不断增长，这些底物具有很大的热耗散性能。然而，缺乏评估比0.5毫米的底物热扩散性的确定方法，这在确保测量结果的一致性方面引起了挑战。这项联合研究邀请AIST及其对评估方法的广泛了解以及NGK及其先进的陶瓷底物技术，以收集数据以量化初步过程，这会影响底物热扩散率的测量。这将使我们能够验证评估高性能薄底物的方法，这些底物甚至比0.5毫米薄，例如尚未根据现有日本工业标准（JIS）定义的方法，从而有助于高度准确的测量数据和评估方法的未来标准化。