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离散的六角硼氮化液量子发射量及其化学
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人类数字双胞胎（HDT）驱动的人类周期系统：关键技术和应用氮化硅离子敏感场效应晶体管
营养不良，肝病，肾病，休克，水肿和心血管疾病。相比之下，可以在脱水中发现高水平的白蛋白（高蛋白血症，> 55 g/L），体重或体内脂肪的增加。3在健康人的尿液中排泄少量白蛋白，尿液中白蛋白的参考范围为2.2-25 mg/l。4,5但是，当由于糖尿病或肾脏损伤而变得更可渗透时，可能会发生升高的尿白蛋白排泄。1,6严重的肾小球滤过机制可以增加以增加尿白蛋白排泄，该尿白蛋白排泄称为微藻或大藻蛋白尿，具体取决于丢失的白蛋白量。5,6微量白蛋白尿是指从24小时的尿液中收集24 h尿液或30-300 mg/l的尿白蛋白排泄，从随机或先生的尿液收集中。4这种白蛋白显示出最早的糖尿病性肾病阶段。然而，在没有早期检测和治疗的患者中，微量白蛋白尿可能会在一年中的一年中发展到不可逆的大藻（4300 mg/day）。因此，在非糖尿病患者中有慢性肾脏疾病和心血管疾病的人的肾脏损害的早期迹象。6已提出许多方法来确定尿液中的白蛋白量，例如酶联免疫吸附测定法（ELISA），7种荧光，8,9 Immunotortytimetry（IT），10,111111111111 IN）免疫法（IN），12个padimimmunoas- Say（RIA），RIA），13和CHEMIA，13和CHEMIA（CLIA），13和CHEMIA（CLIA）。14,15尽管这些方法是高灵敏度和特异性，但它们存在一些局限性，例如健康危害，耗时，劳动力密集的协议以及需要经验丰富的技术人员。因此，已经开发了几种传感器方法作为一种简单的方法来确定HSA的量，例如石英晶体微生体（QCM），16,17电化学传感器，18-20
飞秒激光加工的氮化硅钻孔
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rtm385-SLS热固性聚酰亚胺的激光烧结用氮化硼
1。简介选择性激光烧结（SLS）是一种添加剂制造（AM）技术，它通过使用激光在每个计算机辅助设计（CAD）文件的切片中使用激光在粉末状聚合物材料的床上选择性地融化3D模型（图。1a）。SLS的常用聚合物是多酰胺11和12粉，使用温度范围为150-185°C [1-2]。Recently semi-crystalline PEEK of varied LS-grade powders with a melting temperature (T m ) of 343-370°C, were heated up to 380°C to be manufactured into 3D objects by a more elaborate high temperature laser sintering (HT-LS) machine and process, affording PEEK components with a glass transition temperature (T g ) of 150°C [3-4].然而，与传统处理的材料相比，这些热塑性聚合物构建的3D物体的强度通常很弱，这是因为它们由AM加工产生的固有较高的孔隙率以及在Z方向上缺乏聚合物链间连接。因此，对于250-300°C的热固性聚合物开发激光烧结过程至关重要，对航空应用使用能力。最近，将热固性二甲酰亚胺树脂与热导电碳微气泡混合在一起，以提高其激光可吸收性以成功激光烧结[5]。为了克服树脂的低粘度，标准的RTM370树脂在300°C进一步加热2-3小时，以通过促进链扩展，同时仍保持融化融化性处理性，从而提高粘度，从而避免在树脂内部反应性PEPA端盖进行广泛的交联。Initially we have attempted to print a melt-processable RTM370 thermoset polyimide oligomer powder terminated with reactive phenylethynylphthalic (PEPA) endcaps by laser sintering into a 3D objects [6], but soon realized the viscosity of the material originally developed for resin transfer molding (RTM) was too low, and the laser seemed only melted the resin without固化反应性PEPA端盖，从而导致带有空隙的标本。进一步上演的RTM370能够以LS的完整性进行3D打印样品（图1b）。
用于氮化硅光子学的高效超材料工程光栅耦合器
摘要：氮化硅 (Si3N4) 是开发低损耗光子集成电路的理想候选材料。然而，标准光纤和 Si3N4 芯片之间的有效光耦合仍然是一项重大挑战。对于垂直光栅耦合器，较低的折射率对比度会导致较弱的光栅强度，从而导致较长的衍射结构，限制了耦合性能。随着混合光子平台的兴起，采用多层光栅排列已成为提高 Si3N4 耦合器性能的一种有前途的策略。在本文中，我们介绍了一种用于带有非晶硅 (α-Si) 覆盖层的 Si3N4 平台的高效表面光栅耦合器的设计。表面光栅完全形成在 α-Si 波导层中，利用亚波长光栅 (SWG) 设计的超材料，可通过单步图案化轻松实现。这不仅为控制光纤-芯片耦合提供了额外的自由度，而且还有助于移植到现有的代工厂制造工艺。使用严格的三维 (3D) 有限差分时域 (FDTD) 模拟，设计了一种超材料工程光栅耦合器，其耦合效率为 − 1.7 dB，工作波长为 1.31 µ m，1 dB 带宽为 31 nm。我们提出的设计为氮化硅集成平台提供了一种开发高效光纤芯片接口的新方法，可用于数据通信和量子光子学等广泛应用。
先进氮化铁磁体的设计与电路评估
将输出变压器集成到功率转换电子设备中 利用 WBG 半导体的高开关速度、电压和温度性能 高频变压器的核心材料一直是事后才考虑的事情（目前没有一种材料可以满足所有需求） 材料要求： 在 10-200 kHz 频率范围内损耗低
氮化铝与 Cu–P–之间的界面结构...
由于环保法规和节能需求[1–5]，功率模块基板需要将铝或铜等金属层键合到氮化铝 (AlN)、氮化硅 (Si 3 N 4 ) 或氧化铝 (Al 2 O 3 ) 等陶瓷绝缘体上。根据基于金属层和键合方法的分类，这些基板称为直接键合铝 (DBA) 基板[1, 6, 7]、直接键合铜 (DBC) 基板[8, 9] 和活性金属键合 (AMB) 基板[10–15]。AMB 基板是通过使用钎料金属（例如 Ag-Cu-Ti 基合金）将铜键合到 AlN 上而制成的。这些系统中的 Cu/AlN 界面结构以 Ag-Cu 合金层和
基于超宽带隙氮化铝平台的下一代电子产品
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氮化铝和金刚石的负电子亲和表面
宽带隙半导体有可能表现出负电子亲和势 (NEA)。这些材料可能是冷阴极电子发射器的关键元素，可用于平板显示器、高频放大器和真空微电子等应用。结果表明，表面条件对于获得负电子亲和势至关重要。在本文中，角度分辨紫外光发射光谱 (ARUPS) 用于探索金刚石和 AlGaN 表面的影响。紫外光发射在表征电子发射方面的价值在于该技术强调了发射过程的影响。为了充分表征电子发射特性，还需要采用其他测量方法，例如场发射的距离依赖性和二次电子发射。最近，这些测量方法已用于比较 CVD 金刚石膜的特性。[l] 半导体的电子亲和势定义为将电子从导带最小值移到距离半导体宏观较远的距离（即远离镜像电荷效应）所需的能量。在表面，该能量可以示意性地显示为真空能级与导带最小值之间的差异。电子亲和力通常不依赖于半导体的费米能级。因此，虽然掺杂可以改变半导体中的费米能级，并且功函数会相应改变，但电子亲和力不受以下因素的影响
基于硝酸氢硼的光子量子技术
摘要：由于其二维性质及其在其较大的带隙内的托管缺陷的能力，六角硼硝酸盐正在迅速成为光子量子技术的平台，作为光子量子技术的平台，可以充当室温单个单光子发射器。在本审查论文中，我们概述了（1）硝化氢硼的结构，性质，生长和转移； （2）通过与从头算的计算相比，在光子量子技术中的应用计算中，颜色中心的颜色中心和缺陷分配； （3）用于颜色中心的电气调整和电荷控制的异质结构设备，构成了Photonic量子技术设备的基础。这篇评论的目的是为读者提供基于六角硼的光子量子量子技术的缺陷工程和装置制造进度的摘要。