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基于PECVD的硅硝酸盐薄膜用于纳米...-教师
a School of Computing and Electrical Engineering, Indian Institute of Technology (IIT), Mandi 175001, Himachal Pradesh, India b Electronics and Microelectronics Division, Indian Institute of Information Technology (IIIT), Allahabad 211011, Uttar Pradesh, India c Department of Bio and Nano Chemistry, School of Mechanical Systems Engineering, Kookmin University, Seoul, South Korea d School of Basic印度理工学院科学研究所（IIT），曼迪175001，喜马al尔邦，印度E能源研究中心，印度技术学院光伏实验室（IIT） - 德里，新德里，新德里110016，印度印度印度纳米级，印度工程学院，印度科学系，IIT 16 Kanpur，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IIT，IT， Kurukshetra University，Kurukshetra 136119，印度
电子回旋共振等离子体法制备氮化硅薄膜的键合结构和氢含量
a 电子和计算机技术系，卡塔赫纳理工大学，30202 卡塔赫纳，西班牙 b 马德里康普顿斯大学 Física Aplicada III 系，28040 马德里，西班牙 c 萨里大学离子束中心，吉尔福德 GU2 7XH，英国 d 研究所Tecnológico e Nuclear, Estrada Nacional 10, 2686-953 Sacavém, 葡萄牙 e 南岸大学工程、科学和技术学院, 103 Borough Road, London SE1 0AA, United Kingdom
氮化铝和金刚石的负电子亲和表面
宽带隙半导体有可能表现出负电子亲和势 (NEA)。这些材料可能是冷阴极电子发射器的关键元素，可用于平板显示器、高频放大器和真空微电子等应用。结果表明，表面条件对于获得负电子亲和势至关重要。在本文中，角度分辨紫外光发射光谱 (ARUPS) 用于探索金刚石和 AlGaN 表面的影响。紫外光发射在表征电子发射方面的价值在于该技术强调了发射过程的影响。为了充分表征电子发射特性，还需要采用其他测量方法，例如场发射的距离依赖性和二次电子发射。最近，这些测量方法已用于比较 CVD 金刚石膜的特性。[l] 半导体的电子亲和势定义为将电子从导带最小值移到距离半导体宏观较远的距离（即远离镜像电荷效应）所需的能量。在表面，该能量可以示意性地显示为真空能级与导带最小值之间的差异。电子亲和力通常不依赖于半导体的费米能级。因此，虽然掺杂可以改变半导体中的费米能级，并且功函数会相应改变，但电子亲和力不受以下因素的影响