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Fronius存储解决方案
Fronius Reserva是一种有效的DC耦合高压电池，可用于以最小的损失存储太阳能。它可以通过两到五个模块灵活地扩展，并且与Fronius Hybrid逆变器完美匹配 - 以获得最大的性能。欧洲数据安全和快速服务可确保最大的可靠性。
均质抗体 - 药物结合物：通过在隔离轻链上获得的偶联而获得的DAR 2抗HER2，然后是mAb组装
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
电解石墨烯场现场效应晶体管，用于检测水性培养基中的gadolinium（iii）
摘要：在这项工作中，开发了用于水中的GD 3+离子检测的电解石墨烯场效应晶体管。通过在聚酰亚胺的光载体上制造了晶体管的源和排水电极，而石墨烯通道则是通过用喷墨打印氧化石墨烯墨水墨水来获得的，随后将氧化石墨烯墨水还原以减少氧化石墨烯。GD 3+选择性配体DOTA由炔烃连接器功能化，以通过在金电极上的Chemistry将其移植而不会失去其对GD 3+的影响。全面描述了合成途径，配体，接头和功能化表面的特征是电化学分析和光谱。AS官能化电极用作石墨烯晶体管中的栅极，因此可以调节源量电流作为其电势的函数，该电源本身是由在门表面上捕获的GD 3+浓度调节的。即使在包含其他潜在干扰离子的样品中，获得的传感器也能够量化GD 3+，例如Ni 2+，Ca 2+，Na+和3+。量化范围从1 pm到10 mm，对于三价离子，灵敏度为20 mV dec -1。这为医院或工业废水中的GD 3+定量铺平了道路。
Fronius存储解决方案。
Fronius Reserva模块很容易堆叠 - 每座6.3至15.8 kWh。对于较大的存储能力，您可以并行连接多达四个塔，并达到63 kWh-没有其他设备，例如组合盒。
polyquaternium -33-安全数据表
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NIR FRET发光中的rhenium络合物和染料共载聚合物纳米颗粒
光活性过渡金属复合物是结合高光稳定性和长发光寿命的发光体。但是，水溶液中的光学性能降低限制了它们在生物系统中的使用。在这里，研究了在聚合物纳米颗粒（NPS）中串联的二胺复合物和近红外复合物（NIR）发射Cy5染料的物理化学和光学物理特性以及生物成像的兼容性。通过改变聚合物，尺寸为20至70 nm，并封装为≤40wt的RE复合物，即每NP的≈11000re络合物。封装后，RE络合物的光致发光（PL）量子产率增加了8倍至≈50％（乙腈的6-7％），导致PL亮度高达10 8 m -1 cm -1，PL寿命为3-4μs。复杂激发后，CY5的串联可产生非常明亮的NIR发射。非常紧密的转到Cy5供体 - 受体距离降低至≤2nm，而货物官方超过90％则由PL寿命测量结果确定。Re-Cy5 NPS进入可见和NIR中的高对比度PL成像，进入哺乳动物细胞。这种详细的表征可以更好地理解过渡金属型FRET NP的光物理特性，并为迈出了新的一类新型明亮发光NP探针的效果设计的重要步骤。
波兰药物在精神分裂症治疗中的突破
精神分裂症的症状可能会严重阻碍病人参与日常活动，并对社会关系产生负面影响。精神分裂症是一种无法治愈的疾病，但是药理学和治疗方法的结合为稳定患者的健康提供了真正的机会。市场上存在的药物的作用是基于阻断多巴胺受体的，从而消除了疾病的症状，但因此会引起许多副作用。最常见的副作用是体重增加，这也可能影响患心脏病，嗜睡或缺乏动力和愉悦感的风险。
通过光学和纳米图形光刻
摘要：氧化锆（ZRO 2）是一种良好且有前途的材料，由于其出色的化学和物理特性。在用于腐蚀保护层，磨损和氧化的涂料中，在光学应用（镜像，滤波器）中用于装饰组件，用于反伪造的解决方案和医疗应用。ZRO 2可以使用不同的沉积方法（例如物理蒸气沉积（PVD）或化学蒸气沉积（CVD））作为薄膜获得。这些技术是掌握的，但由于固有特性（高熔点，机械和耐化学性），它们不允许对这些涂层进行微纳米结构。本文描述的一种替代方法是Sol-Gel方法，该方法允许使用光学或纳米图形印刷术的无物理或化学蚀刻过程的ZRO 2层进行直接微纳米结构。在本文中，作者提出了一种完整且合适的ZRO 2 SOL-GEL方法，允许通过光学或纳米IMPRINT光刻来实现复杂的微纳米结构，以实现不同性质和形状的基材（尤其是非平面和箔材料的底物）。通过掩盖，胶体光刻和玻璃和塑料底物以及平面和弯曲的底物，通过掩盖，胶体光刻和纳米图光刻来呈现ZRO 2 Sol-Gel的合成以及微纳米结构过程。
食品级钛di-iris-aperto
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针对节能硅互连的芯片集成锗 Pin 光电探测器的全面研究
摘要 — 光学互连是片上通信中铜基布线的有前途的替代品。集成 IV 族纳米光子学的最新进展应该能够解决与速度、能耗和成本相关的一系列挑战。单片集成锗 pin 光电探测器位于绝缘体上硅 (SOI) 波导上，是这一蓬勃发展的研究领域中不可或缺的设备。在这里，我们全面研究了异质结构 pin 光电探测器的光电特性。所有光电探测器均采用工业级半导体制造工艺在 200 毫米 SOI 基板上制造。在 1 V 的低偏置电压下，pin 光电探测器的暗电流为 5 nA 至 100 nA，暗电流密度为 0.404 A/cm 2 至 0.808 A/cm 2，响应度在 0.17 A/W 至 1.16 A/W 范围内，截止频率为 7 GHz 至 35 GHz。这些成就使它们有望用于以 40 Gbps 运行的节能光链路，器件能量耗散仅为每位几 fJ。