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的 B.Tech
实验 注意：至少要进行五个实验 1. 绘制 Si PN 结二极管的正向/反向特性。 2. 绘制齐纳二极管的正向/反向特性 3. 研究并绘制齐纳二极管作为稳压器的特性 4. 研究半波整流器并绘制输入/输出信号的性质。计算 Idc、Irms 的值和纹波系数。 5. 研究全波整流器并绘制输入/输出信号的性质。计算 Idc、Irms 的值和纹波系数。 6. 研究桥式整流器并绘制输入/输出信号的性质。计算 Idc、Irms 的值和纹波系数。 7. 画出 CE 配置中 npn 晶体管的输入输出特性曲线 8. 画出 CB 配置中 npn 晶体管的输入输出特性曲线 9. 画出 JFET 的漏极和传输曲线 10. 研究 OPAMP (741) 并计算 (i) 反相模式和 (ii) 非反相模式下的增益
Grand 4-T-Fyer™
NUTRIENT LEVEL Crude protein, min.........................................................32.00% NPN, max......................................................................16.00% Crude fat, min..................................................................6.00% Crude fiber, min.............................................................27.50% Ash, max........................................................................15.00% Calcium (Ca), min............................................................2.50% Calcium (Ca), max...........................................................3.50% Phosphorous (P), min......................................................0.63% Salt (NaCl), min ....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... min......................................................1.50 ppm Selenium (Se), min .....................................................1.80 ppm Vitamin A, min......................................................15,000 IU/LB
辐射缓解技术（针对混合信号电路）
在 BJT 中，TID 对氧化物电介质的损坏会导致：• 基极电流过大（通过与陷阱的复合增强和 β 退化）• 由于发射极面积增加（通过 N ot 的表面反转）导致 npn 器件中的集电极电流增加• 由于 CB 结中的载流子生成增加（通过陷阱），导致从集电极到基极 (CB) 的反向漏电流增加
2.4.2 先进电子技术 先进电子技术
• 半导体材料的特性 • 半导体二极管 • 双极晶体管（npn 和 pnp） • 双极晶体管的特性 • Ebers-Moll 和 Gummel-Poon 模型 • 双极晶体管的 Spice 参数 • 用作开关的晶体管、有源区和反向区、饱和度 • 用作小信号放大器的晶体管、小信号参数和工作点的计算 • 频率响应的计算 • 米勒定理 • 谐波和失真的评估 • 电流源和电流镜 • JFET • n-MOS 和 p-MOS FET • FET 工作点的计算 • FET 作为小信号放大器 • 集成基础 • CMOS 反相器 • 集成电路中的寄生效应
HCC1000 (通孔) HCC1001 (SMT)
描述：这些设备与 Optek 的 4N 系列光电隔离器类似，但芯片除外。它按照 MIL-PRF- 19500 TXV 级别进行处理，并可根据客户 SCD 进行修改。每个设备都由一个 IRLED 和 NPN 晶体管组成，安装在密封 TO-78 金属罐、6 针 SMD 或定制包装中。应用：卫星、发射器、太空飞行器和行星探测车等太空应用中的电路电气隔离。
针对 CSC 进行癌症治疗的新方法
摘要：肿瘤干细胞（CSC）具有强大的致瘤性、自我更新和多向分化能力，导致癌症的发生和发展。现有的癌症治疗方法不能有效杀死或抑制CSC，反而使其富集并产生更强的增殖、侵袭和转移能力，导致癌症复发和治疗耐药，已成为临床治疗的难题。因此，靶向CSC可能是未来癌症综合治疗最有前景的方法。多种天然产物（NP）具有显著的抗肿瘤作用，已被确定可以靶向和抑制CSC。然而，药代动力学缺陷和脱靶效应极大地阻碍了它们的临床转化。基于NP的纳米制剂（NPN）通过位点定向递送和改善其药代动力学参数，具有巨大的潜力来克服NP对CSC的缺点。本文总结了NPN在癌症治疗中靶向CSC的最新进展，期待将临床前研究成果转化为临床应用，为癌症治疗带来新的前景。关键词：癌症、癌症干细胞、纳米制剂、天然产物、靶向治疗
基于横向BJT的高阶曲率补偿电压基准
固定的1.2V输出，接近于硅的带隙电压。电流型BGR的输出电压与硅的带隙电压无关，可以根据应用需要进行调整，这也是电流型BGR仍在许多模拟集成电路中广泛使用的原因。由于电流型BGR的输出电压与硅的带隙电压无关，因此称之为电压基准（VR）更为合适。目前，VR的研究方向都与其主要性能参数有关。一是功耗，降低功耗的常用方法是采用亚阈值金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），因为亚阈值MOSFET的电流比普通MOSFET低得多，适合于低功耗设计[1-8]。另一个是输出电压的温度系数（TC），它是反映VR性能的重要参数。迄今为止，世界各地的研究人员已经提出了许多方法来提高VR的TC，以适应不同的应用。传统BGR输出电压中含有高阶非线性项，导致输出电压的温度曲线具有一定的曲率，从而决定了输出电压的温度系数。有的文献利用非线性电流来补偿输出电压中的高阶非线性项[9~14]。也有研究者将温度范围分成几部分，对每部分温度分别进行补偿，这种方法称为分段补偿[9，15]。一般来说，这种方法的补偿效果较好，但是电路结构稍复杂。针对正向偏置PN结电压的非线性特性，补偿方法有两种，一种方法是利用流过正向偏置PN结的不同TC电流来补偿曲率[10，16~20]，另一种方法是通过不同的器件来补偿曲率[21，22]。以上两种方法都是利用PN结的温度特性来补偿温度曲率，比较适用于基于传统BGR电路结构的VR。亚阈值BGR在低功耗方面具有优势，但是传统BGR具有更好的工艺兼容性和更好的TC，这也是本文基于传统电流型BGR设计VR的原因。段全振等人在2015年提出了一种利用NPN BJT进行补偿的方法[21]，该补偿曲率的方法简单实用，但需要NPN BJT工艺的支持，有些特定工艺无法提供NPN BJT，根据特定工艺的特点，我们利用工艺设计了一种高精度曲率补偿VR
数据表类型543 Pro 3向球阀（EN）
• Lockable lever as standard (lockable every 90°) • Electric position feedback via NPN/PNP/Namur Sensor • Data Matrix Code on every valve • Ideal diverting and mixing fitting • Ball with L-port / T-port • Dimension range DN10 – DN50 • Lever material made of fiberglass-reinforced polypropylene (PP-GF) • 90° end stop standard, 180°按要求进行结束停止•集成到杠杆中的工具•良好的流量属性•长期使用寿命•与电气或气动执行器自动化可能
晶体管：影响和未来影响
外壳它们与相邻硅原子形成4个共价键。这将形成一个纯晶格，其中没有脱位的电子，并且是绝缘子。硅是一种半导体材料，因此可以通过称为“掺杂”的过程将杂质引入晶体结构来量身定制。最常用的元素是磷和硼。对于标准的NPN或PNP晶体管，术语PNP和NPN术语引用了其中的材料的布置。硅可以通过不存在电子的可移动正电荷（孔）进行操作，或者当结构中存在多余的电子时。用价3离子掺杂（例如Boron）（p-Type）在掺杂价5个离子时会产生带正电荷的材料（例如，磷）（N型）形成带负电的材料[3]。在它们之间的边界中产生一个负耗竭层，该层是由于负电荷相互驱除而阻止更多的电子通过。当通过第三端子将正电压应用于晶体管的底部时，耗尽层被否定，使电子自由流动并完成电路。虽然仍用作开关组件，但事实证明，晶体管在控制当前输入电容器的内存芯片中特别有用。此类存储的值提供了二进制表示的基础。与布尔代数一起，晶体管支撑着每个电子设备的功能。达灵顿晶体管可用于扩增电信号
微电子电路国际第 8 版
********问题：P 6.60 **************** ****** 主电路从这里开始************** Q2 VC VB VE QECL R1 0 VE 1k TC=0,0 R2 VB VCC 100k TC=0,0 R3 VC VCC 1k TC=0,0 V_sup VCC 0 3 ****** 主电路从这里结束****************************************** *********** ECL BJT 模型从这里开始******************************* .model QECL NPN(Is=0.26fA Bf=100 Br=1 Tf=0.1ns Cje=1pF Cjc=1.5pF Va=100) *********** ECL BJT 模型从这里开始******************************* ******* 分析从这里开始**************** .OP .END ******* 分析从这里结束****************