电路元件 - 能量存储和动态。欧姆定律、基尔霍夫定律、简化串联/并联电路元件网络。节点分析。蒂维南和诺顿等效、叠加。运算放大器。一阶 RLC 电路中的瞬态响应。通过求解微分方程得到的解。二阶 RLC 电路中的瞬态响应。状态方程、零输入响应、零状态响应。使用 MATLAB 求解状态方程。正弦信号:频率、角频率、峰值、RMS 值和相位。直流与交流、平均值与 RMS 值。稳定状态下具有正弦输入的交流电路。在交流电路分析中使用相量和复阻抗。交流功率(实功率、无功功率、视在功率)、功率因数、超前/滞后。共振。变压器和耦合线圈。信号和电路的拉普拉斯变换。网络函数和频率响应。周期信号和傅里叶级数。滤波器设计简介。非线性电路和小信号分析简介。
在A点和B点之间,它是JFET的欧姆地区。是欧姆定律遵循电压和当前关系的地区。在B点,对于V GS = 0条件,排水电流为最大,定义为I DSS。这是捏点,因为漏极到源电压V ds进一步增加。此时V ds电压称为捏电压V p。这也是电压点,在该电压点上,排出通力的电压V DG产生足够的耗竭厚度以缩小通道,从而使通道的电阻显着增加。由于V GS = 0,V DS也等于V DG。因此,通常,捏电压V P为V P = V DS(P)-V GS(4.1),其中V DS(P)是V GS值的捏合漏极到源电压。i dss和v p是制造商列出的给定JFET类型列出的常数值,这是Gate-to-Source电压v GS =0。
BBS0D3FOQ (2015) 适用于抗扰度测试、实验室和超宽带高功率应用。这款机架式放大器采用推挽式 MOSFET 功率器件,可提供高增益、宽动态范围、低失真和良好的线性度。通过采用先进的宽带 RF 匹配网络和组合技术、内置高质量电源、EMI/RFI 滤波器、机加工外壳和所有合格组件,实现了卓越的性能、长期可靠性和高效率。Empower RF 的 ISO9001 质量保证计划确保一致的性能和最高的可靠性。 固态 AB 类设计 瞬时超宽带 体积小巧、重量轻 标准前面板手动增益调节 适用于 CW、AM 和 FM(有关其他调制类型,请咨询工厂) 50 欧姆输入/输出阻抗 高可靠性和坚固性电气规格@ 220V AC,25°C,50 Ω 系统
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摘要本文介绍了基于微控制器正弦脉冲宽度调制方案的单相H桥逆变器的开发,用于住宅负载应用。减少常规逆变器的谐波内容的任务需要本研究论文。使用微控制器(AT-MEGA 328)生成电源开关启动信号。此外,微控制器能够存储所需的命令以生成必要的波形,以通过适当的设计控制H桥逆变器的幅度和频率。通过减少的总谐波失真,获得了纯正弦波和电流的正弦波。该逆变器旨在用于直流电源(电池)的独立式。在本文中,开发了一个框图,其中包含电池,H桥逆变器,升压变压器,L-C滤波器和控制系统。讨论了所有这些块。最后,生成和讨论MATLAB/SIMULINK模拟和实验结果。用48.5欧姆电阻载荷测试了1.2 KVA设计的原型,并发现电压TH的相等值小于220 VRMS的4.00%。
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系统连接续 图 8 显示了如何在单个 I2S 总线上连接两个 I2S 麦克风。R41–R44 用于抑制或终止各自的迹线。如果迹线在电气上很长,则它们应该是阻抗在 50-120 欧姆范围内的受控阻抗迹线。当迹线的长度(以英寸为单位)大于上升/下降时间(以 nS 为单位)的 2 倍时,该迹线被视为在电气上很长。即使迹线在电气上不长,R41-R44 也可以用作阻尼电阻(27-51 欧姆),通过减少由杂散电感和电容引起的过冲和振铃来改善信号完整性。无论哪种情况,R41-R44 都应尽可能靠近驱动迹线的设备(信号源)。如果电容器和麦克风之间的走线电感最小化,去耦电容器(C32-33 和 C34-35)最有效。这可以通过使用短而宽的走线来实现。如果在麦克风下方使用接地平面,则将电容器接地垫直接连接到带有过孔的平面,而无需使用任何走线。
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由于简单的金属/绝缘子/金属(MIM)结构,快速速度,低功耗和高积分密度,因此已被认为是非易失性记忆的有前途的候选日期。1 - 3横梁阵列体系结构是一种非常有效且简单的手段,可实现高密度积分,较小的存储器大小为&4 f 2。4,5由于通过欧姆和基尔chhoQ的定律直接完成点产品,因此Memristor Crossbar阵列非常适合某些特定的C应用,例如,神经形态计算系统。6 - 11然而,最先进的备忘录的神经形态计算中的阵列大小很小,从而限制了回忆计算系统的实际应用。为了实现大规模阵列,稳定且均匀的电阻开关设备是基本要求。12此外,Sneak Path问题是由阵列中未指定的单元引起的泄漏电流造成的严重挑战,这会导致阵列大小的限制并读取/写入错误。要克服潜行路径问题,选择设备(选择器),例如二极管,13