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X射线和光学极化与GX 339-4
1米兰大学物理系，经Celoria 16，I-20133 I-20133意大利米兰； guglielmo.mastroserio@gmail.com 2defisíca，Eebe，Eebe，UniversityCitycnica de Catalunya，AV。Eduard Maristany 16, 08019 Barcelona, Spain 3 National Astro Phyica Institute, Astronomical Observatory of Brera, Via E. Bianchi 46, 23807 Merate (LC), Italy 4 Astrophysics, Department of Physics, University of Oxford, Keble Road, Oxford Ox1 3rh, UK 5 Inf-Astronomical Observatory of Rome, via Frascati 33, I-00076，Monte Porzio Catone（RM），意大利6个Inf-ipps，通过Del Fosso del Cavaliere，100，00133 Rome，意大利罗马7 INAF，INAF，空间和宇宙物理Astro哲学研究所，通过U.Eduard Maristany 16, 08019 Barcelona, Spain 3 National Astro Phyica Institute, Astronomical Observatory of Brera, Via E. Bianchi 46, 23807 Merate (LC), Italy 4 Astrophysics, Department of Physics, University of Oxford, Keble Road, Oxford Ox1 3rh, UK 5 Inf-Astronomical Observatory of Rome, via Frascati 33, I-00076，Monte Porzio Catone（RM），意大利6个Inf-ipps，通过Del Fosso del Cavaliere，100，00133 Rome，意大利罗马7 INAF，INAF，空间和宇宙物理Astro哲学研究所，通过U.La Malfa 153，I-90146意大利巴勒莫8号天体物理与太空科学中心（CASS），纽约大学阿布扎比大学，阿布扎比大学，邮政信箱129188，阿布扎比，阿联酋9号，捷克捷克大学天文学研究所 e-38205 La Laguna, Tenerife, Spain 11 Department de Astrofísica, Universidad de la Laguna, E-38206 La Laguna, Tenerife, Spain 12 Tor Vergata University of Rome, Via della Research Scientifica 1, i-00133 Rome, Italy Sapienza University of Rome, Piazzale Aldo Moro, 5, i-00185 Rome, Italy 14马萨诸塞州马萨诸塞州理工学院的MIT Kavli天体物理学研究所，剑桥，但02139，使用Cagliari的15 INAF-ASTRONSORALICAL OBServatory，通过Della Scienza 5，I-09047，I-09047，Selargius（CA），Selargius（CA），ITALY ITALY研究，Itliari，Sp Monserriari，Sp Monserrato 0.7 7.77.77。意大利太空科学研究所（ICE，CSIC），UAB校园，Carrer de Can s / n，08193，西班牙巴塞罗那，18学院，18860年，巴塞罗那Castelldefels（Barcelona），Spain 19号 Palermo, Italy 20 Irap, University of Toulouse, CNRS, UPS, CNES, 9, Avenue du Colonel Roche BP 44346 F-31028 Toulouse, Cedex 4, France 21 Department of Physics & Astronomy, Butler University, 4600 Sunset Avenue, Indianapolis, in 46208, uses 22 Department of Physics and Astronomy, University of Southampton, SO17 1BJ，英国收到2024年8月9日； 2024年11月15日审核员；于11月28日接受2024；出版了2025 Janogy 3
将光学频率梳子固定到强驱动的两级量子系统
为了控制两级量子系统的状态（例如离子量子轴的自旋状态），光学频率梳子通过从一个梳子牙齿中刺激的吸收并刺激到另一个梳子牙齿中的刺激吸收了两光子的拉曼过程。如果两级能量差距是激光重复速率的整数倍数，则谐振拉比振荡会激发。当后者的频率接近量子线的过渡速度时，Bloch球体上可能存在强烈的静脉锁定循环，该循环可能会产生一个非常狭窄的，相同间隔的光谱线的亚谐波系列。如果将光频梳的重复速率适当地调整为后者（最多达到平均载体包络频率），则应到达两级系统的高度谐振动力学状态，在任何一对相邻的梳子齿中，都会发生拉曼刺激的吸收和发射过程的情况。
数字像差校正，用于增强厚的组织成像，从光学记忆效应
光学畸变严重损害了各个领域的微观图像质量，包括细胞生物学和组织病理学诊断。传统自适应光学技术，例如波前塑形和指导星的利用，面临挑战，尤其是在成像生物组织中。在这里，我们引入了一种针对光学厚的样品量身定制的计算自适应光学方法。利用光学记忆效应的倾斜倾斜相关性，我们的方法检测到入射波中小倾斜引起的畸变中的相位差异。实验验证证明了我们技术在实质性的临界条件下使用传输模式样摄影设置在实质性临界条件下增强厚的人体组织成像的能力。值得注意的是，我们的方法对样本运动有牢固的作用，这对于提高关键生物医学应用的成像准确性至关重要。
适用于心电图图像的人工智能，用于可扩展的甲状腺素蛋白淀粉样蛋白心肌病
段。由参考基因组的定向，连续的基因组间隔，用⟨染色体，起始坐标，端坐标⟩表示。一个供体染色体被描述为段的有序序列。断点。通过一对非粘附坐标描述了一个断点，该坐标表示从一个段中的捐赠者中的一个段过渡到另一个段。染色体组。一组所有同源供体染色体具有相同的染色体认同。染色体认同是由最有代表的丝粒确定的，如果Chro-Mosome是分散的，则由其组成段的染色体起源最多。染色体簇。一对染色体组表示为依赖。染色体簇是依赖染色体组的连接成分。染色体簇通常由一组规范结构变体定义，每个变体都有ISCN命名法（细胞遗传学命名的国际标准）。分子核型。提出的文件格式明确描述了核苷酸级分辨率的核型。此文件格式包含一个跨越整个参考基因组的段的字典，然后是一组有序的片段序列，每个片段代表染色体。
xps的椭圆法和能量损失光谱的杂交用于带隙和光学常数测定sion薄膜中的
Joao Resende，David Fuard，Delphine Le Cunff，Jean-Herve Tortai，Bernard Pelissier。Hy-hy-hy-Bridations和XPS的能量损失光谱用于带隙和光学常数测定sion薄膜中。材料化学与物理学，2020，259，pp.124000。10.1016/j.matchemphys.2020.124000。hal-03017737
光学薄膜中的非线性自旋轨道耦合
可调的涡流梁在各种领域具有相关性，包括通信和传感。在本文中，我们证明了具有二阶非线性敏感性的材料薄膜中非线性自旋轨道相互作用的可行性。值得注意的是，非线性张量可以混合泵场的长界线和横向成分。我们在从心理上观察到了我们从第二次谐波生成过程中的理论预测。尤其是，我们证明非线性薄膜可用于产生第二谐光灯的矢量涡流束，当时被圆形偏振的高斯束激发时。
通过飞秒激光消融和碎片合成的过渡金属二分法纳米颗粒的可调光学性质
对谐振介电纳米结构的操纵对于下一代光子设备至关重要。传统上，研究人员为此目的使用二维或相变材料。然而，前者导致较小的效率，而后者则缺乏持续变化。在这里，我们通过激光诱导的修改提供了另一种方法。cally，通过激光消融过程，我们合成了钼（MOS 2）纳米颗粒（NPS），然后我们通过激光片段来控制其组合。它导致MOS 2转化为其氧化物MOO 3 - X，进而导致光学响应的明显修饰，这是由于其光学常数之间的较大差异。此外，与原始MOS 2和经典的硅NP相比，激光碎片的NP具有更大的光热反应。因此，我们的基于MOS 2的激光可触摸NP为共振纳米光子剂（尤其是光热疗法）开辟了新的观点。
光致发光和三链螺旋物的金属甲基分子体系结构的光发光和非线性光学特性
K。Waszkowska，Y。Cheret，A。Zawadzka，A。Korcala，J。Strzelecki等人。光致发光和基于三链螺旋物的金属金属螺旋体 - 苏普朗分子体系结构的光致发光和非线性光学特性。染料和颜料，2021，186，pp.109036-。10.1016/j.dyepig.2020.109036。hal-03492998
作者校正：可调光学
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采用 GaN-on-Si microLED 和 microPD 矩阵进行短距离光通信
尽管与近红外光通信中使用的光子器件相比，GaN microLED 器件的射频带宽相对较小，但它们能够缩小到 1 μ m 到 10 μ m 之间的非常小的间距，并且具有高亮度和在高温下工作的能力，这使它们成为短距离光通信的有趣器件。人工智能 (AI) 或高性能计算 (HPC) 等应用正在推动更高性能、更好能源效率和低延迟短距离互连的发展。事实上，据报道，15 AI 开发所需的硬件性能的扩展速度远远快于互连和内存数据速率。因此，芯片间或芯片内通信预计将成为 AI 技术进步的主要限制因素，这加强了人们对 GaN microLED 等新型短距离光互连的兴趣。我们介绍了 CEA-LETI 最近开展的工作，重点是开发短距离芯片到芯片光通信，如图 1 所示，使用 InGaN/GaN microLED 和微型光电二极管 (microPD)。这项工作利用了最初为微型显示器开发并适用于 200 毫米 ASIC 的外延、器件和集成工艺。在概述 microLED 在通信方面的预期优势并将其与替代技术进行比较后，我们将简要介绍一种集成工艺，该工艺旨在在控制 ASIC 上方组装密集的 microLED 矩阵。将重点介绍主要的性能指标，以评估