XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemow
![arxiv：2004.05550V2 [nucl-th] 2020年8月30日](/simg/b\b6a215b08657592079b99f10d14a8b12df0dba63.webp)
arxiv：2004.05550V2 [nucl-th] 2020年8月30日
基于相对论均值场理论（RQMD.RMF）的相对论量子分子动力学是通过包括动量依赖性电位来表达的。在梁能量范围内，质子的定向和椭圆流的状态方程（EOS）的方程。3 <√snn <20 GEV。发现，导向的流量在高能量（√snn> 3 Gev）上很大程度上取决于光电位，在该 3 GEV上，在实验中没有信息可用。发现有效质量在饱和密度和光电位之间的相关性：有效质量的较小值需要较小的光电位强度来描述定向流数据。在√snn> 3 Gev的椭圆流的梁能量依赖性中也可以看到这种相关性，尽管其效果相当弱。另一方面，需要刚性EOS来描述较低能量的椭圆流。对PA碰撞的光电位的实验限制将在高能量下提供有关EOS的重要信息。在RQMD.RMF模型中很好地描述了定向的质子和椭圆流的质子，从√SNN = 2进行了很好的描述。3至8.8 GEV。 相比之下，要重现10 GEV高于10 GEV的导向流的崩溃，必须降低压力，这表明EOS在√snn = 10 GEV附近的软化。3至8.8 GEV。相比之下，要重现10 GEV高于10 GEV的导向流的崩溃，必须降低压力，这表明EOS在√snn = 10 GEV附近的软化。
高能核碰撞中的集体激发——纪念刘联寿教授
集体流由动量空间中最终粒子分布的傅里叶展开的系数定义，对核碰撞的早期阶段很敏感。具体来说，前三个系数分别称为定向流 ( v 1 )、椭圆流 ( v 2 ) 和三角流 ( v 3 )。定向流对介质的状态方程 (EoS) 敏感；椭圆流对介质的自由度、部分子或强子能级和平衡度敏感；三角流对初始几何涨落敏感。在 RHIC-STAR 核碰撞实验中已经实现了一套全面的测量 [ 1 – 9 ]。在高能碰撞（> 20 GeV）中观测到的 vn 的组成夸克数 (NCQ) 标度表明部分子集体已经建立 [ 1 – 3 , 8 , 10 ]。特别地，D 介子也遵循 NCQ 标度 [ 2 , 10 , 11 ]，这表明粲夸克集体与 u 、 d 和 s 夸克处于同一水平；因此，产生的介质达到（接近）平衡。束流能量扫描 (BES) 计划的主要动机是探索 QCD 相图并寻找可能的相边界和临界点。STAR 实验中 BES 计划的第一阶段 (BES-I) 涵盖碰撞能量 √ s NN = 7.7–62.4 GeV。已经观察到许多有趣的现象；在这里，我们重点关注集体流 vn 测量。图 1 总结了 STAR BES-I 的定向、椭圆和三角流相关观测结果。中速附近净重子的 v 1 斜率与碰撞能量的关系被认为是一级相变的可能信号。v 1 斜率的非单调能量依赖性与相变有关，v 1 斜率的最小值称为“最软点坍缩”[12]。在实验中，随着中子
探索电磁场和倾斜体积分布对小系统中 D 介子定向流的影响
我们研究了在 p-Pb 碰撞中由于初始涡量和电磁场的影响而产生的小系统中重夸克的定向流。我们使用相对论传输代码来模拟小系统的体积演化，并使用朗之万动力学研究重夸克动量演化。对于重夸克与体积的相互作用，我们采用了准粒子模型 (QPM)。我们观察到由于电磁场而产生的粲夸克的定向流分裂 (v 1) 较大，这与核-核碰撞中粲夸克的定向流分裂相当。然而，在 p 核碰撞中，由于初始倾斜物质分布而导致的定向流的幅度并不大。由于碰撞系统的不对称性，观察到的定向流并不快度奇数。本文中提出的结果提供了一种独立的方法来量化产生的初始电磁场和小系统中的物质分布。
仿真和实验分析大面积底物用环氧造型化合物
本文提出了新的实验和数值方法，以表征环氧聚合物底物的转移过量。我们研究了陶瓷面板上的多芯片模块以及封装为模具阵列包装（MAP）的印刷电路板上。实验表明，在过度过度过程中的聚合物流量显着取决于霉菌的高度：虽然标准的地图型霉菌腔均匀地填充，并且在大多数情况下，在大多数情况下，低空腔高度（<500 l m）可以导致前部的流量集中在几个流动路径上（forling parsssssssssssssssssssssspersifecifecte）。我们开发了一种数字方法来描述这种不均匀的聚合物流。流动前填充的原因似乎是聚合物粘度的局部变化，可在不同的流路径上强制颈部。指法会导致空气陷阱的形成和过多的电线。我们还开发了新的实验方法来测量腔内的压力分布：我们的传感器基于Fujufilm的市售，具有压力敏感的薄膜，并且在最高180的温度下运行。2010 Elsevier Ltd.保留所有权利。
达西的屈服应力液定律在特鲁利等网络上
这里的r和l分别是圆柱体的半径和长度，η是流体的粘度，κ是培养基的渗透性。darcy从Poiseuille的定律开始对渗透率进行解释，该定律从Poiseuille定律开始，该定律适用于空缸，并预测Q POIS =πr4 p/（8ηl）。他认为，在介质中，只有沿着非交流薄通道，半径r c r的每个流量才有可能，并且可以将渗透率鉴定为κ〜N CH r 2 c，n ch n CH，每个单位表面的开放通道数量[2] [2]。这种经验定律不仅适用于沙子中流动的水，还适用于嵌入多孔培养基中的所有牛顿流体[3]（即具有强烈的异质性的复杂结构，例如土壤，岩石或沙子[4-7]）。确实，对于这种流体，n Ch是压力无关的，因为在每个通道中，对于任意的弱压力而言发生了。对于另一类的流体，例如悬浮液[8]，凝胶[9]，重油[10]，浆液或水泥[11]，这不是这种情况。对于这些流体，随着施加的压力p而生长。实验[13，14]和数值模拟[15-17]表明，Darcy定律确实被修改：低于阈值压力P 0没有流量，而在其上方，该流量随着p非线性生长。观察到三个流动状态[18，19]：i）最初，流动在p -p 0中线性生长，渗透率很小，〜1 /r 2； ii）对于较大的压力，流量为（p-p 0）β
针对喷嘴横截面区域
涡流管，也称为Ranque Vortex Tube，Hilsch Vortex管和Ranque E Hilsch Vortex管，是一种设备，可以通过Intlet Ougzzles向涡流室分隔地进入涡流室，使其可将热和冷空气分开。涡流管是由冶金学家和物理学家Ranque于1933年发现的，而德国物理学家Rudolf Hilsch则改进了设计。一个兰斯式涡流管由一个或多个入口喷嘴，一个涡流室，冷端孔，热端控制阀和管组成。设计的涡流室的特殊内部配置结合了压力和加速空气的效果，达到了高旋转速率（超过百万rpm）（Pinar等，2009）。涡流管根据其流量特征分为两组：反流（图1）和平行流（图2）RHVT。在这项研究中，已经使用了反流RHVT。反流的工作原理Ranque E Hilsch
基于流动的深层生成模型
在本报告中，我们研究了基于流量的深层生成模型。我们首先比较了不同的生成模型，尤其是生成的对抗网络（GAN），变异自动编码器（VAE）和基于流量的生成模型。然后，我们调查了不同的归一化流量模型，包括非线性独立组件估计（NICE），实用值的非数量保存（REALNVP）变换，具有可逆的1×1卷发（GLOW）的生成流量，掩盖的自动锻炼自动化流量（MAF）和自动化自动化效果（MAF）。最后，我们对使用NICE和REALNVP生成MNIST手写数字的实验进行了实验，以检查基于流量的模型的有效性。源代码可从https://github.com/salu133445/flows获得。
使用 Cl2/Ar/N2 电感耦合等离子体对 SiO2 纳米沟槽上的 TiN 纳米结构进行选择性干法蚀刻
介绍了一种用于在纳米表面结构上制造 TiN 纳米结构的电感耦合等离子蚀刻工艺。使用 Cl 2 /Ar/N 2 等离子体，在 SiO 2 上可实现 50 的选择性。研究了 N 2 流速对蚀刻速率和 TiN 侧壁上非挥发性残留物的影响。当 N 2 流速增加到 50 sccm 时，观察到 TiN 侧壁上非挥发性残留物的沉积发生变化。介绍了用 TiN 纳米结构侧壁制造的 TiN 器件的电流密度-电压特性。分别用低和高 N 2 流速蚀刻的两个不同样品的测量电流密度表明，仅在低 N 2 流速下，清洁后才会在侧壁上沉积一层绝缘层。VC 2015 美国真空学会。 [http://dx.doi.org/10.1116/1.4936885]