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出版版本引用 (APA)：Xu, C.、Chang, D.、Fan, Y.、Ji, S.、Zhang, Z.、Lin, H.、Spencer, P. 和 Hong，
微波光子信号产生技术因其在宽带无线接入网、传感器网络、雷达、卫星通信、仪器仪表等领域的潜在应用而受到广泛关注。产生微波光子信号的技术可分为直接调制、光外差技术、外部调制、锁模半导体激光器、光电振荡器和一周期（P1）振荡[1]-[6]。采用外部光注入的半导体激光器可以表现出各种动力学状态，例如稳定锁定、P1振荡、二周期振荡、准周期振荡和混沌涨落。其中，P1动力学发生在稳定锁定被打破并且系统开始经历霍普夫分岔[7]时，其中会产生两个主频率，一个来自光注入，另一个是红移的腔频率。显然，利用P1动力学中两个主频率的拍频可以产生微波光子信号。与其他技术相比，基于 P1 振荡的微波光子信号产生具有许多优势，例如接近单边带 (SSB) 频谱、低成本、全光学元件配置以及远离其弛豫谐振频率的微波频率可广泛调谐 [8]，[9]。基于 P1 振荡的微波光子信号产生主要在以下几个方面进行研究：
双激子中单光子的级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a ，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b ，56 µ m × 56 µ m 范围内 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等高线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c ，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV (P1) 和 1.7206eV (P2)。d ，P1 和 P2 的提取线宽，绘制为激发功率的函数。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的分辨率受限线宽。e，P1 和 P2 的光子发射积分计数随着
z可编程的环境恒温器，2台电线，每周，电池供电的通知d'unesstimes
将现有程序（P1，P2或P3）分配给一周中的一个或多天。•按键1菜单将光标放在prog下。一周中七天的指标闪烁。•按键4 +选择哪一天或几天，以将程序分配给。使用OK键确认。•P1闪烁。按键4 +选择要应用的程序。使用OK键确认。为例，将P2分配给五个工作日的组，然后将P1分配给两个周末的小组：•按KEY 1菜单将光标置于Prog下。一周中七天的指标闪烁。•按键4 +选择以影响五天的组（五天闪烁）。使用OK键确认。•P1闪烁。按键4 +选择（P2闪烁）。使用OK键确认。•按键4 +选择2个周末（2个周末闪烁的组）组。使用OK键确认。•P1闪烁。使用OK键确认。恒温器返回自动模式。
酶底物从三维特征进行预测...
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双激子级联发射单光子...
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的设备示意图。 b ，在 56 µ m × 56 µ m 上，能量范围在 1.525eV 和 1.734eV 之间的光致发光强度云图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c ，WSe 2 单层中局部发射极在 4.5K 下的光致发光光谱，随着激光功率的增加显示出不同的发射行为，以 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）处的峰值为主。d ，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，P1 和 P2 的光子发射的积分计数随着激光功率的增加显示出超线性和亚线性行为
双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
双激子的单光子级联发射
图 1 | 单层 WSe 2 中的窄谱线。a，沉积有 WSe 2 单层的器件示意图。b，56 µ m × 56 µ m 面积上 1.525eV 至 1.734eV 能量范围内光致发光强度的等值线图。白色虚线标记了潜在的单层区域。c，4.5K 时 WSe 2 单层中局部发射极的光致发光光谱，随着激光功率的增加，显示出不同的发射行为，主要峰位于 1.7167eV（P1）和 1.7206eV（P2）。d，P1 和 P2 的提取线宽，以激发功率为函数绘制。低激发功率的光谱显示 P1 和 P2 的线宽分辨率有限。e，随着激光功率的增加，P1 和 P2 的光子发射积分计数显示出超线性和亚线性行为
刑事案件档案 2024 年 9 月 9 日
2024 年 9 月 9 日星期一陪审团审判 - DIV。 I DARRELL PETTUS 21 CR 365 ARD:LANDES HEIDI BECKHAM 24 CR 320 PH 豁免 上午 8:15 KAR:HANG P1 COREY NEMUDROV 24 CR 515 PH 豁免 上午 8:30 KAR:HANG 24 CR 514, 23 CR 504 P1 DESIRE WILLIAMS 23 CR 680 PH 豁免 上午 8:45 BK:HANG 23 CR 603 P1 DESIREA LARRALDE 23 CR 309 PH 豁免 上午 9:00 SML:HANG 23 CR 598 P1 CHELSEA KRAMER 23 CR 674, 23 CR 253 PH 豁免 上午 9:15 BK:HANG 24 CR 201, 23 CR 111 P1 (ZOOM) 安排 – DIV. II – 上午 9:00 JONATHAN BONNETTE 23 CR 510 SML:REYNOLDS BRYCE CULLEY 23 CR 486 ARD:OSWALD COREY DRAKE 24 CR 242 BK:HARGER ESAIAHS FLORES 23 CR 156, 23 CR 297 KAR:HANG THOMAS HICKS, JR. 24 CR 062 ARD:SMARTT AUSTYN NOVOTNY 24 CR 254 SML:SMARTT AARON QUACKENBUSH 24 CR 042 BK:HANG ZAHKYE ROUSE 23 CR 696 TRS:OSWALD DEREK TREVINO 24 CR 290 JLK:SMARTT DEMETREE EVANS 23 CR 065 PH 9:30 AM SML:NISLY DIV. III 首次登场 – 9:30 – P1 NATHAN EVEL 24 CR F/A BK: CANDIDO HERNANDEZ 24 CR F/A BA: MEGAN WEBB 24 CR 220 PH WAIVER 10:30 AM BK:HANG P1 MENDY PEAK 23 CR 590 PH WAIVER 10:45 AM BK:HANG P1 GARRITT MCCONNELL 24 CR 186 PH 10:30 AM BK:LINDBERG DIV. III 第二分庭 – 审前卷宗 – 上午 10:30 COREY DRAKE 20 CR 560, 23 CR 107 BK:HARGER KATHY RATLEY 22 CR 672 ARD:REYNOLDS DANNY PATTEN 23 CR 300083 电话 上午 11:00 SML:OSBURN P1 STELICA BALCAN 23 TR 2479 法庭审判 下午 1:30 BA: P1 KENNITH ANDRADE 23 CR 634 电话 下午 1:30 BK:LANDES 第三分庭 RICHARD MAPLES 24 CR 246 电话 下午 2:30 KAR:JONES 24 CR 202 P1 SALVADOR DURAN, JR. 24 CR 185 豁免 MTN。下午 3:30 ARD：价格分部 I
数据中心PowerPOD 3.0技术-华为数字能源
下图为 PowerPOD 2.0 布局图，主回路 S1 有 P1 保护装置，S1 长度不受限制；PowerPOD 柜顶输入主铜排（例如 4000A 主铜排，如下图右侧蓝线 S1 所示）有进线断路器（4000A ACB，如下图 P1 所示）保护，S1 长度不受限制。支路 S2 从 O 点开始到支路保护装置 P2 的 B 点，S2 可以没有任何过载或短路保护（不受 P1 保护），最长 3m。如下图 A 所示，支路 S2 是指 UPS 输入柜顶主铜排 O 点到 UPS 输入保护装置 P2 的 B 点之间的路径（红线，导线截面积小于 4000A 母排）。 S2 不受电缆入口断路器（4000 A ACB，下图右侧的 P1）保护，因此最长为 3 米。