摘要 — 如果不是因为其有限的 e 31,f 压电系数,氮化铝 (AlN) 为压电微机械超声换能器 (pMUT) 提供了一种与 CMOS 兼容、稳定且无铅的解决方案。尽管已知增加 ScAlN 中的钪 (Sc) 掺杂含量可以提高机电耦合因子 (K t 2 ) 和整体声学性能,但结果在很大程度上取决于 ScAlN 薄膜的应力,尤其是对于空气耦合 pMUT。本研究旨在比较由于 Sc 含量从 20% 增加到 30% 而导致的 pMUT 性能(以 K t 2 为单位)与应力的关系,并考虑其对频率和膜静态变形的影响。结果表明,30% Sc 器件在 -50 MPa 时实现了平均 K t 2 >6%,与基于 PZT 的 pMUT 相当。与 20% Sc 相比,30% Sc 掺杂的 pMUT 传输压力灵敏度提高了 50%,双向灵敏度总体提高了 6 dB。
This work presents an air-coupled piezoelectric micromachined ultrasonic transducer (pMUT) with high transmitting acoustic pressure by using sputtered potassium sodium niobate (K,Na)NbO 3 (KNN) thin film with a high piezoelectric coefficient (e 31 ~ 8-10 C/m 2 ) and low dielectric constant ( r ~ 260-300) for the first time.已经测试了以104.5 kHz为谐振频率的制造的KNN PMUT,已测试以表现出前所未有的结果:(1)在10 cm的距离为109 db/v的高声压水平(SPL)为10 cm,比基于ALN的PMUT的频率高8倍; (2)仅4伏峰峰幅度的低压操作(V P-P); (3)良好接收灵敏度。因此,这项工作介绍了一类新的高SPL和低驾驶电压PMUT,用于在包括但不限于触觉反馈,扬声器和AR/VR系统在内的各个领域的潜在应用中。关键字
具有多个频率的抽象微型超声传感器阵列是内窥镜光声成像(PAI)系统中的关键组件,可实现高空间分辨率和生物医学应用的大型成像深度。在本文中,我们报告了基于陶瓷薄膜PZT的开发,基于PZT的双重和多频压电微机械超声传感器(PMUT)阵列以及其PAI应用的演示。的长度为3.5毫米或直径10 mm,正方形和环形PMUT阵列,含有多达2520 pm的元素,并且用于内窥镜PAI应用,开发了从1 MHz到8 MHz的多个频率。通过晶片键和化学机械抛光(CMP)技术获得厚度为9μm的薄陶瓷PZT,并用作PMUT阵列的压电层,其压电常数D 31的测量高达140 pm/v。从这个高的压电常数中获得的好处,制造的PMUT阵列表现出高机电耦合系数和较大的振动位移。除了电气,机械和声学表征外,还使用嵌入到琼脂幻像中的铅笔导线进行了PAI实验。通过具有不同频率的PMUT元素成功检测到光声信号,并用于重建单一和融合的光声图像,这清楚地证明了使用双频和多频PMUT阵列的优势,以提供具有高空间分辨率的全面光声图像,并同时使用高空间分辨率和较大的信号和较大的信号比率。
摘要 — 本研究介绍了一种有前途的微加工技术,该技术采用无硅 (SON) 工艺在深度为 1 μ m 的真空腔上形成厚度为 2 μ m 的连续单晶硅膜。利用 SON 工艺,已在 8 英寸硅晶片上展示了高填充因子压电微机械超声换能器 (pMUT) 阵列,腔体宽度范围从 170 μ m 到 38 μ m。器件采用 15% 钪掺杂氮化铝作为 pMUT 的压电层,适用于空气耦合和水耦合应用。空气耦合 pMUT 的峰值位移频率为 0.8 至 1.6 MHz,Q 因子在 120 至 194 之间。水耦合 pMUT 阵列显示,在距离 20 毫米的 DI 水中,针式水听器测量的传输压力范围为 0.4 至 6.9 kPa/V,峰值频率在 5 至 13.4 MHz 之间,分数带宽为 56% 至 36%。本文提出的压电 SON 工艺有可能在低成本、高产量 pMUT 制造中获得关注。