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Shedding light on the invisible: mapping brain microstructure using diffusion magnetic resonance spectroscopic imaging Dr Cristina Cudalbu from the MRI EPFL Animal Imaging and Technology Section is looking for two highly motivated PhD and PostDoc candidates working together in the area of diffusion weighted MR spectroscopy/spectroscopic imaging (dMRS/dMRSI) at ultra-high magnetic fields and使用3D脑细胞器和体内啮齿动物模型对代谢物扩散度量的交叉验证。该项目是跨学科协作的SNSF提案的一部分，将利用：1）CIBM MRI EPFL的独特生物成像设施，尤其是超高领域9.4T和14.1T In Vivo MR Systems，Vivo MR Systems，两个低温过程，以及在瑞士领域的PET/MR插入的第一个PET/MR插入，以及3 phits in phitzer and phits phits in phitzer and 2）该项目的博士后。背景
生命科学工程硕士
从CIBM MRI EPFL动物成像和技术部分中，使用扩散磁共振光谱成像Cristina cudalbu博士绘制脑微观结构绘制脑部微观结构。物理/生物工程和神经科学）在超高磁场的扩散加权MR光谱/光谱成像（DMRS/DMRSI）的区域中共同工作，并使用3D脑细胞体和Vivo Rodent模型在代谢物扩散元中的交叉验证。该项目是跨学科协作的SNSF提案的一部分，将利用：1）CIBM MRI EPFL的独特生物成像设施，尤其是超高领域9.4T和14.1T In Vivo MR Systems，Vivo MR Systems，两个低温过程，以及在瑞士领域的PET/MR插入的第一个PET/MR插入，以及3 phits in phitzer and phits phits in phitzer and 2）该项目的博士后。
半导体有效位移损伤剂量计算方法的开发及其在空间场中的应用
位移损伤剂量 (DDD) 是预测在太空环境中使用且会受到辐射的半导体器件寿命的常用指标。DDD 通常根据 Norgett-Robinson-Torrens (NRT) 模型根据非电离能量损失估算，尽管所谓的有效 DDD 的新定义考虑了半导体中非晶化的分子动力学 (MD) 模拟。本研究开发了一个新模型，用于计算碳化硅 (SiC)、砷化铟 (InAs)、砷化镓 (GaAs) 和氮化镓 (GaN) 半导体的常规和有效 DDD 值。该模型是通过扩展粒子和重离子传输代码系统 (PHITS) 中实现的每原子位移计数获得的。这种新方法表明，由于直接撞击造成的非晶化，砷基化合物的有效 DDD 高于传统 DDD，而由于复合缺陷，SiC 的这种关系则相反。对于暴露于质子的 SiC 和 GaN，有效 DDD/传统 DDD 比率随质子能量的增加而降低。相反，对于 InAs 和 GaAs，该比率在质子能量高达 100 MeV 时增加到 1 以上，并且趋于稳定，因为缺陷产生效率（即 MD 模拟的碰撞级联末端稳定位移数量与 NRT 模型计算的缺陷数量之比）在损伤能量值高于 20 keV 时不会增加。通过计算低地球轨道上夹在薄玻璃盖和铝板之间的半导体的有效 DDD 值，证明了该模型的实际应用。结果表明，通过将玻璃盖厚度增加到 200 μ m，可以显著降低有效 DDD，从而证实了屏蔽太空中使用的半导体器件的重要性。这种改进的 PHITS 技术有望通过预测宇宙射线环境中具有复杂几何形状的各种半导体的有效 DDD 值来协助半导体设计。
Cu2O和Cuo的合成和表征...
S. Krobthong A，K。Umma B，T。Rungsawang A，T。Mirian A，S。Wongrerkdee A，*，S。Nilphai c，*，K。Hongsith D，S。S. Choopun D，S。Wongrerkdee E，C.Raktham F，P. p. pimphag g，P。萨恩校园，纳洪病原体73140，泰国b科学系科学与农业技术系，拉贾马加拉科技大学兰纳大学兰纳大学，李·梅斯，泰国C物理学计划，科学技术系，泰国科学和科学系，自由艺术与科学学院，自由艺术和科学材料科学，Roi et Rajabhat University，Roi et roi and roi I Universitiat and roi Intact et 45120科科，朝鲜迈大学，夏安格·梅50200，泰国E工程学院，拉贾曼加拉技术大学，拉纳·塔克（Lanna Tak），塔克（Lanna Tak），塔克（Lanna tak），泰国（TAK 63000），泰国f教育学院，Uttaradit Rajabhat University，Uttaradit Uttaradit Uttaradit 53000，泰国泰国Gibers The thailand thailand thailand thailand thailand ththand thate in thailand ththand phits thit the phits phits thith the金属氧化物半导体的合成由于其在电子，光电子，催化和光伏电场等领域的广泛应用而引起了很大的关注。这项研究介绍了在不同的施加电压下通过两种探针电化学过程在蒸馏水中合成蒸馏水中的铜纳米颗粒（NP）。合成的氧化铜NP表现出从光到深棕色的色谱，表明蒸馏水中氧化铜的形成。利用tyndall效应的初步观察和红色激光证实了溶液的胶体性质。氧化铜增强了这些应用的效率，准确性，耐用性和响应时间。光致发光排放突出了合成氧化铜NP的半导体特性。氧化铜NP在较低的施加电压下表现出很小的量子点（QD），而较高的电压产生的尺寸较大。戒指样图案的出现表明了多晶结构，通过选定的区域电子衍射分析进一步证实了多晶的结构，从而证实了在低压下Cu 2 O的结晶结构，在较高的电压下证实了CUO。因此，这项研究证明了使用两种探针电化学过程合成氧化铜的直接方法，并通过调节施加的电压来产生QD和NP结构。（2024年10月14日收到； 2025年1月8日接受）关键词：氧化铜，电化学过程，纳米颗粒，量子点1.引入具有显着导电性能的金属氧化物半导体（MOS）已被广泛研究用于不同的应用。氧化铜是一种特别有趣的MOS，通常在各种领域中使用，包括传感器，催化剂，导电材料，水纯化系统，能源储能，抗菌剂和光伏电源[1]。但是，传统制备的氧化铜的粒径相对较大，在控制特定特性方面面临着挑战。减少纳米结构材料的大小为