抽象的等离子体聚合物是微型或更常见的纳米大小涂层,可以通过不同的方法沉积在多种底物上。这些聚合物的多功能性是通过使用常规聚合反应以外的其他前体以及根据血浆的固有物理和化学特性的潜在变化而增加的。灵活性为各种科学和工程领域提供了富有成果的理由,但它也带来了许多经验观察的挑战。在这篇综述中,将不同的前体,底物和血浆外部参数的变化评估为常见,但不一定是理想或详尽的变量,用于分析血浆聚合物膜的机械性能。常见的趋势与例外相辅相成,并显示了经验观察的各种假设。用于确定血浆聚合物机械性能的技术和方法,对其进行后处理的影响以及某些应用的影响。最后,提供了一个一般的结论,突出了该领域的挑战。
为了最大程度地减少或消除沟槽,最好有利于蚀刻过程的化学成分。因此,我们决定继续使用ICP-RIE进行O 2等离子体蚀刻,这是因为在表面形态和各向异性蚀刻方面具有令人鼓舞的结果,因此我们已经研究了血浆参数的影响ICP和偏置功率,尤其是使用两种类型的口罩:铝和硅二氧化物(Sio-dioxide)(Sio 2)。3- O 2在Sentech Si500-Drie设备上进行了用铝面膜钻石蚀刻的等离子体蚀刻。测试样品是(100)方向的单晶CVD钻石底物和元素六的3 x 3 mm 2尺寸。第一步涉及溶剂和酸的化学清洁,以去除可能影响蚀刻和产生粗糙度的污染物。然后将钻石底物涂在光线器上,并用激光光刻降低,以定义掩模图案。然后通过热蒸发沉积700 nm厚的铝面膜。金属薄膜,例如铝,由于其在钻石上的良好粘附性[24]及其良好的蚀刻选择性[25],因此将其用作单晶钻石蚀刻的硬面膜材料。此外,由于血浆中的寿命不足,尤其是在氧气中,因此与光致剂相比,金属面膜仍然是更好的选择。3.1 o 2等离子蚀刻的p icp = 500W和p偏见= 5W我们研究的第一个蚀刻条件是:p icp = 500 w,p sial = 5 w,压力= 5吨,气体流量= 25 sccm,温度= 18°C。每个蚀刻步骤都限制为30
电子邮件:stephane.calvez@laas.fr 简介 原子层沉积 (ALD) 纳米厚的 Al 2 O 3 层或其他电介质层已被证实是一种有效的方法,可用于创建敏感材料封装层,防止其因周围大气中的水分和氧气含量而发生降解 [1,2]。另外,由氧气(分别是水)引起的半导体材料向绝缘体的腐蚀转变,称为干(湿)氧化,通常用于微电子和光子器件以及集成电路的制造,作为引入实现晶圆上光学路由 [3–6] 和/或电连接所需的电和/或光子限制的一种方式。特别是在硅光子器件制造中,后者的工艺通常涉及将硅层在高温或等离子体中暴露于水/氧气中,并通过厚度大于 100 nm 的 SiN x 掩模实现局部氧化保护 [3,4]。在此背景下,我们在此报告了使用 ALD 沉积的 Al 2 O 3 作为节省材料的氧化屏障以防止硅晶片的等离子诱导或高温热氧化的能力的研究。样品制备通过热 ALD 在硅晶片上沉积具有纳米厚度的 Al 2 O 3 薄膜。低压热 ALD 沉积由重复循环组成,每个循环包括 300 ms 的三甲胺铝 (TMA) 脉冲,然后在 N 2 下进行 2800 ms 的吹扫,150 ms 的水蒸气脉冲,以及在 N 2 下进行 6700 ms 的第二次吹扫。这里测试了两个沉积温度,90°C 和 150°C。使用可变角度光谱椭圆偏振法(使用 Accurion EP4 系统)测量所得层厚度。图 1 显示了 Al 2 O 3 厚度随沉积循环次数变化的记录。在 0 个循环时,测量到的厚度对应于天然氧化硅(测量到约 2 纳米)。在 15 个沉积循环之前,成核开始以异质生长(见图 1 插图)。超过 15 个循环后,沉积厚度以每循环生长率 (GPC) 0.19 纳米/循环线性增加,并且与沉积温度的依赖性较弱。随后使用紫外光刻和湿法蚀刻对 Al 2 O 3 涂层样品进行图案化,以获得具有 Al 2 O 3 保护和未保护硅区域的样品。使用稀磷酸(去离子水/H 3 PO 4 (37%) 1/1 溶液)在精确的 67°C 温度下进行层蚀刻,蚀刻速率为 30 纳米/分钟。分别用水和丙酮进行冲洗和清洁。测试了两种类型的氧化:干热氧化和等离子氧化。干热氧化方案包括在 5L/min 的 O 2 流量下从 30°C 开始线性升温(8.2°C/min),然后在 9L/min 的 O 2 流量下以 1000°C 进行恒温步骤,然后在 5L/min 的 O 2 流量下以 -16.3°C/min 的温度衰减。低压 O 2 等离子体氧化在 Sentech Si-500 设备中进行,使用 30 分钟的重复处理,其中样品受到 O 2 等离子体处理,RF 功率为 800W,基板温度保持在 100°C 以下。在这两种情况下,通过成像光谱椭圆偏振法测量处理过的样品的保护区和未保护区的氧化厚度。图 2 左侧显示,如果 Al 2 O 3 厚度大于 ~9 nm(45 个循环),则干氧化不会进行,而对于更薄的覆盖层,干氧化会减少。SEM 横截面(如图 2 中的插图所示)进一步证实了这一观察结果。类似地,观察到等离子体氧化导致氧化物生长遵循平方根定律的时间依赖性(Deal 和 Grove 模型 [7]),但对于(30 次循环)Al 2 O 3 涂层样品部分,其氧化速率降低。
ycoplasma pneumoniae is a common etiologic agent of community-acquired pneumonia (CAP) among children. Although M. pneumoniae infection often causes a mild and self-limiting dis- ease, pneumonia develops in ≈ 10%–20% of pediatric patients ( 1 ). First-line therapies for M. pneumoniae infection are based on macrolides, a group of anti- microbial drugs widely used in outpatient settings because of their high oral bioavailability. However, overuse and indiscriminate use of macrolides have contributed to the emergence of macrolide-resistant M. pneumoniae (MRMP). Point mutations in the V region of the M. pneumoniae 23S rRNA gene have been associated with macrolide resistance ( 2 ). In recent years, prevalence of MRMP has increased and is very high in Asia (13.6%–100%) ( 2 – 4 ). Dur- ing spring/summer 2023, hundreds of children with CAP were admitted daily to each of the major hospi- tals in Hanoi, Vietnam. M. pneumoniae has emerged as the major pathogen detected in approximately one third of patients with CAP (5). We analyzed the mutations in the 23S rRNA gene of M. pneumoniae isolated from nasopharyngeal samples of pediatric CAP patients during the 2023 outbreak in Vinmec Times City Hospital, Hanoi.
1 等离子体基础和建模 14 1.1 概述. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16 1.2.2 碰撞. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ... . ... ...
在2023年,在西部进行了最初的高通力运动,该活动是由新安装的主动冷却的钨分流,由Iter级单块组成。该活动包括在附着的转移条件下重复60秒钟的长氘L模式脉冲,累积了超过10000秒的血浆暴露。在外部罢工点区域达到了大约5举10 26 m -2的最大氘静脉,代表了一些高性能iTer脉冲。从可见光谱中推断出的总钨侵蚀表明,最受侵蚀的等离子体面向成分是内部分流目标,其速率比外移分离目标大十倍。位于离等离子体数厘米的外部平面钨保险杠,显示出侵蚀率的侵蚀速率是外移分流的两倍。我们得出的结论是,外部平面保险杠对远程钨的迁移和沉积到下层的延长具有可忽略的贡献。内部分流器上的累积总侵蚀率以约20μm的有效总侵蚀厚度转换,而外分离器的侵蚀速率约为20μm。引人注目的是,这些订单与分流物上本地的沉积物厚度一致:高场侧单块的裸露表面覆盖着几个μm的钨沉积物,而在下部侧面,很少有μm薄钨沉积物仅在磁性阴影部分上发现单块的磁性阴影部分。尤其是研究行动的开始,应考虑分离侵蚀预算的定义,以预测有害存款的形成。这些沉积物对西部运行的强烈影响,即表面温度测量与红外热摄影的扰动以及片的发射导致受限血浆的辐射扰动,要求预测ITER中的类似问题。
介绍了一种用于在纳米表面结构上制造 TiN 纳米结构的电感耦合等离子蚀刻工艺。使用 Cl 2 /Ar/N 2 等离子体,在 SiO 2 上可实现 50 的选择性。研究了 N 2 流速对蚀刻速率和 TiN 侧壁上非挥发性残留物的影响。当 N 2 流速增加到 50 sccm 时,观察到 TiN 侧壁上非挥发性残留物的沉积发生变化。介绍了用 TiN 纳米结构侧壁制造的 TiN 器件的电流密度-电压特性。分别用低和高 N 2 流速蚀刻的两个不同样品的测量电流密度表明,仅在低 N 2 流速下,清洁后才会在侧壁上沉积一层绝缘层。VC 2015 美国真空学会。 [http://dx.doi.org/10.1116/1.4936885]
在诸如血脑屏障之类的生物屏障中传递大分子,限制了它们在体内的应用。先前的工作表明,弓形虫弓形虫是一种自然从人肠道传播到中枢神经系统(CNS)的寄生虫,可以将蛋白质传递给宿主细胞。在这里,我们设计了T. gondii的内源性分泌系统,晶状体和致密颗粒,通过转化为毒素和gra16,将多个大型(> 100 kDa)治疗蛋白传递到神经元中。我们证明了使用成像,下拉测定,SCRNA-SEQ和荧光记者的培养细胞,脑器官和体内的递送以及探针蛋白活性。我们证明了小鼠腹膜内给药后的强大分娩,并表征了整个大脑的3D分布。作为概念证明,我们证明了GRA16介导的MECP2蛋白的大脑递送,MECP2蛋白是RETT综合征的假定治疗靶标。通过表征系统的潜在和当前局限性,我们旨在指导更广泛应用所需的未来改进。
阿尔茨海默氏病生物标志物对于了解疾病的病理生理学,有助于准确的诊断和识别靶向治疗至关重要。尽管生物标志物的数量继续增长,但每个人的相对效用和独特性被遗憾的理解很少,因为先前的工作通常一次仅在少数标记上计算出串行成对关系。本研究评估了27例阿尔茨海默氏病生物标志物之间的横断面关系,并确定了他们使用机器学习预测有意义的临床结果的能力。从527个社区居民志愿者那里获得了数据,该志愿者在圣路易斯华盛顿大学的Charles F.和Joanne Knight Alzheimer病研究中心招收。我们使用层次聚类进行了淀粉样蛋白β,tau [磷酸化的tau(p-tau),tau t-t-tau)的27组,CSF和血浆测量值,神经元损伤和从MRI,MRI,PET,PET,质量表光学测定法和炎症中得出的炎症。还包括神经心理学和遗传措施。基于森林的随机特征选择确定了整个队列中淀粉样蛋白宠物阳性的最强预测指标。模型还预测了整个队列和淀粉样蛋白宠物个体的认知障碍。出现了四个反映:阿尔茨海默氏病病理学(淀粉样蛋白和TAU),神经变性,AT8 AT8抗体相关的磷酸化TAU位点和神经元功能障碍。神经元功能障碍和炎症的非特异性CSF度量是淀粉样蛋白PET和认知状况的较差的预测指标。在整个队列中,CSF P-TAU181/Aβ40Lumi和Aβ42/Aβ40Lumi和CSF PT217/T217,PT111/T111,PT231/T231的CSF PT217/T217,PT111/T217的质谱测量值是强大的预测者。鉴于他们有能力在阿尔茨海默氏病的病理轨迹上表示个体,因此这些相同的标记(CSF PT217/T217,PT111/T111,P-TAU/Aβ40Lumi和T-Tau/Aβ40Lumi)在很大程度上是整个Coghort中较差的认知者的最佳预测指标。将分析限制为淀粉样蛋白阳性个体时,认知受损的最强预测指标是Tau PET,CSF T-TAU/Aβ40Lumi,P-TAU181/Aβ40Lumi,CSF PT217/217/217/217和PT205/T205。当前的工作利用机器学习来了解大量生物标志物的相互关系结构和实用性。结果表明,尽管生物标志物的数量已迅速扩大,但许多人是相互关联的,很少有强烈预测临床结果。同时研究可用生物标志物的整个语料库提供了一个有意义的框架,以了解阿尔茨海默氏病病理生物学变化,以及对哪些生物标志物在阿尔茨海默氏病临床实践和试验中最有用的见解。
Fanny Leenhardt、Matthieu Gracia、Catherine Perrin、Claudia Muracciole-Bich、Bénédicte Marion 等人。液相色谱-串联质谱法用于定量分析人血浆中的 CDK4/6 抑制剂,以了解药物相互作用的临床情况。《制药与生物医学分析杂志》,2020 年,第 188 页,第 113438 页。�10.1016/j.jpba.2020.113438�。�hal-03003807v2�