XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search Systemplasmas
第一届先进材料与...国际会议
让·拉穆尔研究所 (IJL) 是材料科学领域的基础和应用研究实验室。它是法国国家科学研究院和洛林大学的联合单位 (UMR 7198)，隶属于法国国家科学研究院化学研究所。它是一个多主题实验室，涵盖材料、冶金、纳米科学、等离子体、表面和电子学，以应对能源、环境、未来工业、移动性、资源保护和健康等社会挑战。其研究工作范围从材料设计到工业应用，由 25 个小组开展，分为四个科学部门和一个技术研究团队。它由八个技术平台和四个支持服务提供支持。IJL 主要位于法国南锡的阿尔乔姆校区。让拉穆尔研究所是欧洲最大的材料研究所之一，拥有包括实习生在内的多达六百名员工、一百五十家合作公司、每年发表三百篇经过同行评审的文章、每年三十二次论文答辩、在学术合作框架内与三十个国家建立合作。
GEC 2024 – 第 1 份公告
GEC 2024 – 第 1 个公告 亲爱的同事们，我们很高兴地宣布，第 77 届气体电子会议 (GEC) 将于 2024 年 9 月 30 日至 10 月 4 日在美国加利福尼亚州圣地亚哥举行。请注意，会议日期已更改，以避免与 APS DPP 会议冲突，后者的日期最近已更改。 GEC 在提供交流思想和报告低温等离子体科学和技术研究的场所方面处于领先地位。重点领域是等离子体源的科学、诊断、建模、等离子体化学、基本现象以及原子和分子碰撞过程。 GEC 经常站在报道等离子体技术新兴领域的最前沿，包括微电子、推进、生物技术、等离子体医学、多相等离子体、环境应用和大气压等离子体系统。 2024 年 GEC 将邀请等离子体科学和技术以及原子和分子碰撞领域的领导者发表演讲。受邀演讲者的完整名单可在 www.apsgec.org/gec2024/invited_speakers.php 上查看。除其他主题外，这些受邀演讲者还将讨论：
血浆诱导的六角硼硝化硼的光活性缺陷
六角硼硝酸盐（HBN）在过去十年中一直是众多研究工作的主题。是在HBN中产生光学活性缺陷，因为它们易于整合，例如在范德华（Van der Waals）异质结构及其室温光子发射。在HBN中创建此类缺陷的许多方法仍在研究中。在这项工作中，我们介绍了使用具有不同等离子体物种的远程等离子体在HBN中创建单个缺陷发射器的方法，并从统计上报告了结果。我们使用了氩气，氮和氧等离子体，并报告了由不同气体物种及其光学特性产生的发射器的统计数据。特别是，我们检查了血浆过程前后的去角质片的发射，而无需退火步骤，以避免产生不受血浆暴露引起的发射器。我们的发现表明，纯物理氩等离子体治疗是通过血浆暴露在HBN中创建光学活性缺陷发射器的最有希望的途径。
磁重联是一种在太阳风中局部产生多个热质子群和光束的机制
1 波尔多大学天体物理学实验室波尔多，法国国家科学研究中心，佩萨克，法国 2 法国国家科学研究中心天体物理学和行星研究所，法国图卢兹，UPS，法国国家空间研究中心 电子邮件：benoit.lavraud@irap.omp.eu 3 AKKA，法国图卢兹 4 捷克布拉格查尔斯大学数学与物理学院表面与等离子体科学系 5 大学学院 Mullard 空间科学实验室London, Holmbury St. Mary, Dorking, Surrey, UK 6 INAF-Istituto di Astrofisica e Planetologia Spaziali, Via Fosso del Cavaliere 100, 00133 Roma, Italy 7 西南研究所，圣安东尼奥，美国 8 德克萨斯大学圣安东尼奥分校物理与天文学系，圣安东尼奥，德克萨斯州，美国 9 Laboratoire de Physique des Plasmas, Ecole法国帕莱索理工学院 10 系密歇根大学气候与空间科学与工程系，美国安娜堡 11 伦敦帝国理工学院 Blackett 实验室空间与大气物理学系，英国伦敦 12 法国奥尔良大学 LPC2E，法国国家科学研究中心，法国奥尔良 13 法国默东 LESIA 14 意大利卡拉布里亚大学物理系，意大利伦德 15 意大利航天局 ASI，意大利罗马 16 美国加州大学伯克利分校空间科学实验室 17 西班牙穆尔西亚穆尔西亚大学 18 瑞典斯德哥尔摩 KTH 19 美国新罕布什尔大学空间科学中心，新罕布什尔州达勒姆 03824 20 欧洲空间局 (ESA)，欧洲空间天文学中心 (ESAC)，西班牙马德里 Villanueva de la Cañada，Camino Bajo del Castillo s / n，28692
激光诱导击穿光谱
激光发明于 1963 年，此后不久，激光诱导击穿光谱法也得到了发展。1 许多现代分析技术都是以原子光谱为基础来实现典型的汽化和激发。激光诱导击穿光谱 (LIBS) 就是其中之一。元素分析是通过使用快速分析技术即激光诱导击穿光谱 (LIBS) 完成的，该技术已广泛应用于各种工业应用。LIBS 使用由分析仪产生的高能辐射短脉冲。2 LIBS 具有多种优势，例如无化学技术、便携性、空间信息和快速检测。3 但其相对较低的测量重复性是 LIBS 技术的主要缺点。4 LIBS 也称为原子发射光谱法。当原子处于高能态时，它们会从低能级被激发到高能级。5 LIBS 也是一种直接且用途广泛的激光诱导等离子体光谱技术，可分析光谱发射。 6 LIBS 能够同时进行多种物种测量，因此它是一种发射技术。 7 LIBS 也称为激光火花光谱 (LSS) 和激光诱导等离子体光谱 (LIPS)。通过监测发射信号
材料快报
本研究利用电感耦合等离子体 (ICP) 研究了 C 4 F 8 、C 5 F 8 和 C 7 F 8 等全氟碳对 SiO 2 的蚀刻特性，以研究高 C/F 比对 ICP 的 SiO 2 蚀刻特性的影响。使用 C x ( x = 4,5,7)F 8 /Ar/O 2 混合物测量了 SiO 2 对 Si 3 N 4 和非晶碳层 (ACL) 的蚀刻速率和蚀刻选择性。全氟碳的 C/F 比越高，SiO 2 蚀刻速率越低，但蚀刻选择性却高于 Si 3 N 4 和 ACL，这是因为 C 2 越高，而等离子体中的 F 值却相同（通过光发射光谱法观察到），并且由于氟碳层越厚，材料表面富碳氟碳越多（通过 X 射线光电子能谱法观察到）。尤其是 C 7 F 8 是一种环境友好型材料，因为它不仅具有相对较低的全球变暖潜能值，而且可以使用捕获系统轻松捕获（室温下为液态）。因此，C 7 F 8 可用作下一代全氟碳蚀刻材料之一。
应用物理学
EN.615.611. 经典物理学。3 学分。本课程为应用物理学研究生提供入门级经典物理学基本核心主题的回顾。涵盖的基本子领域包括经典力学（包括流体和声学）、热（和统计）物理、电磁学（包括等离子体和相对论）和光学。四个主要核心主题（斜体）的深度大致相同。对于涵盖的每个主题，都会介绍基本物理定律，以建立对基础物理学的严格但直观的理解，并通过动手演示和相关的家庭作业来强化。期末考试还将涵盖核心概念和原理，以检查学生对所呈现的关键概念的理解。此外，每位学生将根据自己的兴趣和需求深入研究自己选择的一个子主题，将其作为扩展的家庭作业进行更深入的处理，该作业将以书面形式提交，并在学期结束前以简短的口头陈述形式进行。本课程将补充现代物理课程以及应用物理课程提供的高级数学方法课程。先决条件：物理学、工程学或相关领域的本科学位。
量子化学和化学信息学...
一个世纪前，量子力学诞生时，狄拉克声称发现了化学的基本原理，即原子和分子水平上的材料科学——但他也承认，要将其全面应用，需要开发有效的计算技术。接下来的十年记录了信息科学的诞生（冯·诺依曼和维格纳是这两门科学的创始人之一）：化学的发展和应用变得至关重要，如今已经成熟：量子化学解释和预测了在行星大气和星际介质的稀薄环境中发生的各种新现象，包括与热和非平衡等离子体相关的现象；新兴任务被强加给生物化学家，这对生命和健康科学来说是必需的工具；固体导体和半导体的电磁特性在光电应用方面的研究十分活跃；当前的圣杯是支持量子计算开发的化学硬件，微观、中观和宏观尺度的物理化学模型可以让人们积累大量数据——它们只能通过化学信息学方法来处理，以审查材料或分子的性质；既利用强大的机器学习方法获取原本无法获得的信息，又通过人工智能方法揭示行为的隐藏相关性和普遍性，而这些在当前复杂性理论的非线性方程中是模糊的。
GEC 2024 – 第三次公告
GEC 在提供交流思想和报道低温等离子体科学和技术研究的场所方面处于领先地位。重点领域是等离子体源科学、诊断、建模、等离子体化学、基本现象以及原子和分子碰撞过程。GEC 经常走在报道等离子体技术新兴领域的最前沿，包括微电子、推进、生物技术、等离子体医学、多相等离子体、环境应用和大气压等离子体系统。2024 年 Will Allis 奖演讲将由美国休斯顿大学 William A. Brookshire 化学和生物分子工程系的 Vincent Donnelly 发表。他的演讲题为“在不同寻常的地方寻找等离子体诊断技术”。Will Allis 电离气体研究奖是 GEC 社区的一个重要奖项。感谢英特尔公司、泛林集团和美光科技公司的慷慨捐助，APS 现在每年都会颁发威尔·阿利斯电离气体研究奖。奖项提名截止日期为 2024 年 6 月 3 日星期一。详情可在威尔·阿利斯奖网站上找到。2024 年 GEC 将邀请等离子体科学和技术以及原子和分子碰撞领域的领军人物发表演讲。受邀演讲者的完整名单可在 www.apsgec.org/gec2024/invited_speakers.php 上找到。除其他主题外，这些受邀演讲者还将讨论：
使用C3H2F6使用C3H2F6
下一代半导体设备需要超低介电常数（ULK）材料，例如线结构后端的多孔SICOH，以使较低的电阻和电容（RC）时间延迟，但是，这些ULK材料在蚀刻过程中容易受到损坏。在这项研究中，纳米级牙线掩盖多孔的sicoH的蚀刻特征，例如蚀刻速率，蚀刻效果，表面损伤等。和等离子体特性，已使用双电频电容性耦合等离子体系统（DF-CCP）进行了研究，并通过使用用于低k介电蚀刻的常规C 4 F 8基于CC 4 F-CCP的气体进行了比较。结果表明，对于多孔SICOH的相似蚀刻速率和蚀刻率，与C 3 H 2 F 6的蚀刻相比，观察到较低的侧壁损伤。The analysis showed that it was related to less UV (less than 400 nm) emission and less fluorine radicals in the plasma for C 3 H 2 F 6 compared to C 4 F 8 , which leads to less fluorine diffusion to the sidewall surface of the etched porous SiCOH by the fluorine scavenging by hydrogen in C 3 H 2 F 6 .