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使用柔性单极天线进行早期脑卒中检测
摘要 — 本文设计、印刷并分析了一种喷墨印刷开槽圆盘单极天线，该天线在聚对苯二甲酸乙二酯 (PET) 基板上处于 2.45 GHz ISM 频段，可用于早期检测脑中风。PET 因其低损耗角正切、柔韧性和防潮特性而被用作基板。通过实施开槽方法，该天线的尺寸减小到 40 × 38 mm2。印刷天线的带宽为 480 MHz（19.55%），频率范围为 2.25 GHz 至 2.73 GHz。它显示出 99% 的辐射效率，在 2.45 GHz 频率下实现的增益为 2.78 dB。单基地雷达 (MR) 方法被视为通过分析有无中风的头部模型接收信号的变化来检测脑中风。计算了 2.45 GHz 频率下的最大特定吸收率 (SAR) 分布。紧凑的尺寸和灵活的特性使得该单极天线适合于脑中风的早期检测。
Dhica黑色素中局部结构，电偶极子和电荷载体动力学之间的关系：生物相容性半导体的模型
摘要：eumelanins是通过其自然前体的氧化聚合获得的天然和合成色素的家族：5,6-二羟基吲哚和其2-羧基衍生物（DHICA）。同时存在离子和电子电荷载体，使这些颜料有望在生物电子中应用。在这项计算研究中，考虑到其许多自由度之间的相互作用，我们构建了Dhica黑色素的结构模型，然后我们检查了代表性低聚物的电子结构。我们发现，沿聚合物链的非呈偶极子将该系统与常规聚合物半导体区分开来，确定其电子结构，对氧化和电荷载体的定位。我们的作品阐明了Dhica黑色素以前未被注意到的特征，不仅与它的根本清除和光保护特性相吻合，而且还开辟了对这类材料中理解和调谐电荷传输的开放新观点。
根据光学斯塔克效应和多体微扰理论计算 n = 1、2 和 3 钙钛矿量子阱的跃迁偶极矩
摘要：金属卤化物钙钛矿量子阱 (PQW) 是表现出强束缚激子的量子和介电约束材料。激子跃迁偶极矩决定吸收强度并影响偶极介导能量转移中的阱间耦合，该过程影响 PQW 光电器件的性能。在这里，我们使用圆偏振激光脉冲的瞬态反射光谱来研究 n = 1、2 和 3 Ruddlesden − Popper PQW 的尺寸纯单晶中的光学斯塔克效应。从这些测量中，我们分别提取了 n = 1、2 和 3 的平面内跃迁偶极矩 11.1 (± 0.4)、9.6 (± 0.6) 和 13.0 (± 0.8) D。我们用密度泛函和多体微扰理论计算证实了实验结果，发现能带边缘轨道和激子波函数离域的性质取决于 PQW“奇偶”对称性。这解释了 n = 1 - 3 范围内跃迁偶极矩和 PQW 维数之间的非单调关系。
4：电场中的点电荷和偶极子
1.(A) 5U 0 > 3U 0 > -5U 0 > -7U 0 (B) 3U 0 > 5U 0 = -5U 0 > -7U 0 2. (A.) 2.24E6 米/秒 (B) 1.48E-11 秒 (C.) (x 最大值 ,y 最大值 ) = (3.31E-5 米, 1.117E-5 米) 3.(A.) -6.78E-23 J (B.) 4.57E-23 N · 米, 进入页面 (C.) 1.5E-22 J (D.)1.397E-23 J (E.) 0N · 4. 0.000018809651 米 5.(a) 2.67E17 米/秒 2 (b) 5.62E-11 秒 (c) 0.420886309876 毫米 6. （a）-2.1E13 ˆ j 米/秒 2 （b） （1.5E5 - 2.94E6） 米/秒 7. （a）-1.88E-26 J （b）-2.64E-26 牛顿·米 （c）4.52E-26 J
翻转模式电偶极自旋共振
硅自旋量子比特的最新进展增强了它们作为可扩展量子信息处理平台的地位。随着单量子比特门保真度超过 99.9% [1]，双量子比特门保真度不断提高[2-6]，以及该领域向大型多量子比特阵列发展的步伐[7,8]，开发高效、可扩展的自旋控制所需的工具至关重要[9]。虽然可以利用交流磁场在量子点 (QDs) 中实现单电子自旋共振 [10]，但所需的高驱动功率和相关热负荷在技术上具有挑战性，并限制了可达到的拉比频率 [11]。随着自旋系统扩展到几个量子比特以外，最小化耗散和减少量子比特串扰的自旋控制方法对于低温量子信息处理将非常重要 [12]。电偶极自旋共振 (EDSR) 是传统电子自旋共振的一种替代方法。在 EDSR 中，静态梯度磁场和振荡电场用于驱动自旋旋转 [13]。有效磁场梯度的来源因实现方式而异：本征自旋轨道耦合 [14-16]、超精细耦合 [17] 和 g 因子调制 [18] 已用于将电场耦合到自旋态。微磁体产生的非均匀磁场 [19, 20] 已用于为 EDSR 创建合成自旋轨道场，从而实现高保真控制 [1]。方便的是，该磁场梯度产生了一个空间自旋轨道场。
传统汽车凸极转子的开发
目录 章 页码 1. 介绍................................................................................................................ 1 2. 理论................................................................................................................... 6 2.1 直轴和交轴................................................................................................... 6 2.2 等效电路................................................................................................... 8 2.3 功率角特性................................................................................................... 9 3. 设计参数...................................................................................................... 11 3.1 气隙...................................................................................................... 11 3.2 磁通密度...................................................................................................... 12 3.3 定子和励磁绕组...................................................................................... 12 3.4 波形...................................................................................................... 13 3.5 电抗...................................................................................................... 13 3. 转子设计............................................................................................................. 15 4.1 机械...................................................................................................... 15 4.1.1 励磁绕组.
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