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接触蚀刻停止 a-SixNy：H 层：单多晶硅闪存数据保留的关键因素
氮化硅 a-Si x N y :H 接触蚀刻停止层通过作用于初始电荷损失现象，强烈影响单多晶硅非挥发性存储器中的数据保留性能。其改进需要通过实验设计方法分析流入等离子体增强化学气相沉积工艺参数。a-Si x N y :H 物理电学分析指出，必须避免富含硅的成分，尤其是其界面层，以减少 a-Si x N y :H 电荷量，从而提高数据保留率。事实上，a-Si x N y :H 靠近浮栅，其电荷调制可以充当寄生存储器，通过电容效应屏蔽浮栅中存储的电荷。© 2009 美国真空学会。DOI：10.1116/1.3071846
多晶硅市场的现代阶段
分析了世界半导体和多晶硅 (poly-Si) 市场的现状和前景。长期的低 PS 价格阻碍了行业投资的增长，现在价格已经恢复到具有投资吸引力的水平。分析了 2024 年及长期的供需平衡，并回顾了目前使用的主要 PS 工艺。预计目前的多晶硅市场能力将在近期和中期内保持不变。然而，各国政府宣布的能源行业“绿色转型”、本地市场的发展以及价格恢复到具有投资吸引力的水平，促进了新 PS 工厂项目的发展。对俄罗斯来说，选择西门子三氯硅烷工艺参数尤为重要。俄罗斯市场的一个特点是存在几个非常重要的领域（太阳能、微电子、大功率电子、光子学和光纤），这些领域按国际标准来看规模较小，同样面临原材料短缺。看来，俄罗斯将从提供多种原材料供应问题解决方案的综合项目中受益匪浅。